La industria china de semiconductores de banda prohibida ancha ha empezado 2026 con dos velocidades muy distintas. Mientras las compañías vinculadas al GaN de radiofrecuencia crecen con fuerza gracias al despliegue de estaciones base 5G, terminales de internet satelital y demanda de defensa, buena parte de los fabricantes de SiC afronta un trimestre mucho más incómodo: caída de precios, márgenes presionados, costes de depreciación elevados y una capacidad nueva que aún no trabaja a pleno rendimiento.
El contraste es importante porque tanto el carburo de silicio (SiC) como el nitruro de galio (GaN) se presentan desde hace años como materiales esenciales para la electrificación, las telecomunicaciones, la energía solar, los vehículos eléctricos y la industria. Ambos ofrecen ventajas frente al silicio tradicional en eficiencia, temperatura, frecuencia y manejo de potencia, pero no todos los segmentos maduran al mismo ritmo ni generan beneficios con la misma facilidad.
GaN RF: 5G, satélites y defensa tiran del crecimiento
Según TrendForce, las empresas chinas más expuestas al GaN RF fueron las grandes ganadoras del primer trimestre de 2026. El caso más destacado es Sinopack, que registró un crecimiento de ingresos del 79,05 % interanual, impulsado sobre todo por el negocio de dispositivos GaN RF de su filial. La compañía ha logrado envíos en volumen para estaciones base macro 5G y terminales de internet satelital, y también se ha beneficiado de un aumento de pedidos en electrónica de defensa.
El GaN RF tiene sentido en estas aplicaciones porque permite trabajar a frecuencias altas con buena eficiencia y potencia, dos condiciones importantes en redes móviles, radares, comunicaciones satelitales y sistemas de radio avanzados. A diferencia de algunos negocios de potencia más sensibles a los ciclos del vehículo eléctrico, el despliegue de infraestructuras de telecomunicaciones y aplicaciones militares puede ofrecer una demanda más estable para proveedores bien posicionados.
Sinopack, además, empieza a construir una segunda vía de crecimiento en SiC de potencia. Sus dispositivos ya han entrado en suministro masivo para cargadores embarcados (OBC) en fabricantes de automóviles relevantes. Esto muestra que la frontera entre GaN y SiC no siempre divide empresas de forma limpia: algunas compañías están intentando cubrir varios puntos de la cadena para no depender de una sola aplicación.
Yangjie Technology también presentó un trimestre positivo, apoyado en sus avances en dispositivos SiC de grado automotriz. Su primera línea de chips SiC ya está en producción masiva y cubre plataformas de tensión de 650 V a 1.700 V. Además, el proyecto de encapsulado de módulos de potencia para automotriz ha comenzado operaciones y ha conseguido pedidos de varios proveedores Tier 1. Con la expansión de plataformas eléctricas de 800 V, la compañía vio crecer sus ingresos ligados a SiC más de un 50 % interanual.
AMEC es otro caso favorable, aunque con matices. Su beneficio neto creció un 197,20 % interanual, pero esa cifra incluye una ganancia extraordinaria de unos 397 millones de yuanes por la venta de participación en Piotech. Aun descontando efectos no recurrentes, el negocio siguió fuerte, con un avance del beneficio neto recurrente del 60,09 %. La compañía mantiene una posición destacada en equipos MOCVD para GaN en China y se beneficia de ampliaciones de capacidad en GaN RF, Mini LED y dispositivos de potencia.
| Compañía | Segmento principal | Evolución destacada en Q1 2026 |
|---|---|---|
| Sinopack | GaN RF y SiC OBC | Ingresos +79,05 % interanual |
| Yangjie Technology | SiC automotriz | Ingresos SiC +50 % interanual |
| AMEC | Equipos MOCVD para GaN | Beneficio neto +197,20 % interanual |
| SICC | Sustratos SiC | Pérdida neta de 60,51 millones de yuanes |
| San'an | LED, SiC y RF | Descenso de ingresos y beneficio |
| StarPower | Módulos y fabricación de chips | Beneficio neto -74,32 % interanual |
El SiC paga el precio de crecer demasiado rápido
La cara menos amable del trimestre aparece en los sustratos y dispositivos SiC. La demanda de SiC sigue teniendo una base sólida en vehículos eléctricos de 800 V, energía fotovoltaica e industria, pero la rentabilidad se está deteriorando por una combinación difícil: competencia de precios, nuevas líneas todavía en fase de ramp-up y fuerte depreciación de activos.
SICC, uno de los principales proveedores chinos de sustratos SiC, pasó de beneficios a una pérdida neta de 60,51 millones de yuanes en el primer trimestre. Sus ingresos cayeron un 10,41 % interanual. La razón principal está en la presión de precios: los sustratos de 6 pulgadas bajaron más de un 30 % interanual. Al mismo tiempo, el despliegue de líneas de 8 pulgadas elevó los costes unitarios y mantuvo los márgenes brutos en negativo.
El dato no significa que el negocio esté muerto. Los envíos combinados de sustratos de 6 y 8 pulgadas crecieron un 3,58 % frente al trimestre anterior. Si la utilización de capacidad aumenta y los rendimientos de fabricación mejoran, la rentabilidad podría recuperarse. Pero el trimestre deja una advertencia clara: pasar de 6 a 8 pulgadas no es solo una mejora técnica, también supone asumir costes elevados antes de que la escala empiece a compensar.
San’an vive una transición especialmente exigente. Su negocio tradicional de LED sigue afectado por una demanda débil y precios a la baja, con ingresos que cayeron más de un 40 % interanual. Mientras tanto, las áreas nuevas, como sustratos SiC y filtros RF, todavía están ampliando capacidad. La planta de SiC en Hunan carga con depreciaciones elevadas, y los ciclos de homologación de clientes, sobre todo en automotriz, alargan el camino hacia beneficios.
StarPower Semiconductor también sufrió por los costes de expansión. La compañía registró una caída del 6 % en ingresos y un descenso del 74,32 % en beneficio neto. El principal lastre fue su filial de fabricación de chips, donde varias líneas entraron en operación pero permanecen en etapas iniciales. Los gastos de depreciación aumentaron en 75,43 millones de yuanes, a lo que se sumó mayor amortización de activos fijos. La demanda más floja de vehículos eléctricos en el corto plazo y una ligera bajada de precios en módulos SiC completaron la presión sobre márgenes.
Una tecnología estratégica, pero con selección natural
La divergencia entre GaN y SiC no invalida la importancia de los semiconductores de banda prohibida ancha. Al contrario, confirma que el mercado entra en una fase más selectiva. Ya no basta con producir SiC o GaN para crecer. Importan la aplicación final, el grado de madurez tecnológica, la calidad del cliente, el coste por oblea, el rendimiento de fabricación y la capacidad de pasar certificaciones exigentes.
En GaN RF, las perspectivas a corto plazo parecen más favorables por el empuje de 5G, comunicaciones satelitales y defensa. En SiC, la demanda estructural sigue apoyada por vehículos eléctricos de 800 V, fotovoltaica industrial, cargadores, inversores y sistemas de potencia, pero las empresas que no controlen costes o no alcancen buenos rendimientos pueden sufrir. La presión de precios en sustratos probablemente seguirá favoreciendo a los actores con escala, ventaja técnica y clientes ya certificados.
La lectura industrial para China es evidente. El país ve en GaN y SiC una vía para reducir distancia con líderes globales en áreas donde el silicio tradicional no domina todas las ventajas. La política industrial, la demanda doméstica y la presión por sustituir importaciones seguirán empujando inversión. Pero la primera fase de entusiasmo está dejando paso a un mercado más duro, donde la capacidad instalada no siempre se traduce en beneficio.
Para Europa y Estados Unidos, el caso chino también sirve como aviso. La autonomía en semiconductores no se consigue solo anunciando fábricas o financiando líneas piloto. Hace falta dominar materiales, sustratos, epitaxia, encapsulado, certificación de automotriz, equipos de fabricación y clientes industriales. En SiC, especialmente, los avances de capacidad pueden generar caídas de precio si la demanda no absorbe la oferta al ritmo previsto.
El informe de Yole Group sobre SiC y GaN de potencia prevé que estos mercados sigan creciendo hacia 2031, con SiC como el segmento de mayor tamaño y GaN ganando peso en aplicaciones de potencia. Esa previsión encaja con el fondo del trimestre chino: la tecnología tiene recorrido, pero el beneficio se concentrará en quienes combinen escala, calidad, rendimiento industrial y acceso temprano a clientes de automotriz, telecomunicaciones e industria.
China no está frenando su apuesta por los semiconductores de banda prohibida ancha. Está entrando en una etapa menos cómoda. El GaN RF disfruta ahora de una demanda más clara y márgenes más visibles. El SiC, en cambio, debe demostrar que puede convertir inversión, capacidad y promesas de electrificación en rentabilidad sostenida.
Preguntas frecuentes
¿Qué son los semiconductores de banda prohibida ancha?
Son materiales como el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), capaces de trabajar con altas tensiones, temperaturas y frecuencias con más eficiencia que el silicio en determinadas aplicaciones.
¿Por qué crece el GaN RF en China?
Porque está recibiendo demanda de estaciones base 5G, internet satelital, defensa y sistemas de radiofrecuencia avanzados. Estas aplicaciones necesitan eficiencia y buen rendimiento a frecuencias altas.
¿Por qué sufre el SiC pese al crecimiento del vehículo eléctrico?
Porque la expansión de capacidad ha elevado depreciaciones y costes, mientras la competencia ha empujado los precios a la baja, especialmente en sustratos de 6 pulgadas. Las líneas de 8 pulgadas aún necesitan mejorar utilización y rendimiento.
¿Qué empresas chinas destacan en este mercado?
TrendForce menciona a Sinopack, Yangjie Technology y AMEC entre las compañías con mejor evolución en el trimestre, mientras que SICC, San’an y StarPower afrontan más presión sobre márgenes y beneficios.
vía: trendforce
