Las máquinas que fabrican los chips más avanzados del mundo se han convertido en una de las piezas más delicadas de la economía tecnológica. No entrenan modelos de Inteligencia Artificial, no aparecen en los centros de datos ni llegan al consumidor final, pero sin ellas no existirían los procesadores que alimentan móviles, GPUs, servidores, coches conectados o aceleradores de IA. En el centro de esa cadena está ASML, la compañía neerlandesa que domina la litografía EUV y que ya dibuja su hoja de ruta hasta la próxima década.
La imagen presentada por ASML en SPIE 2026 resume bien el momento de la industria: las herramientas EUV de baja apertura numérica seguirán evolucionando durante años, los sistemas High-NA empiezan a entrar en producción temprana y las ideas Hyper-NA asoman como una posibilidad para más allá de 2030. La transición no será limpia ni rápida. Lo más probable es una convivencia prolongada entre DUV, Low-NA EUV y High-NA EUV, con cada tecnología reservada a las capas donde realmente compensa por coste, rendimiento y complejidad.
DUV sigue siendo la base silenciosa de la fabricación
La atención mediática suele centrarse en EUV, pero la litografía DUV por inmersión continúa siendo esencial para fabricar chips en volumen. Incluso en nodos avanzados, muchas capas del chip no necesitan las máquinas más caras ni las exposiciones más finas. Se imprimen con sistemas DUV, más maduros, más abundantes y con una economía de producción conocida por las fábricas.
ASML cerró 2025 con 32.700 millones de euros de ingresos, un margen bruto del 52,8 % y un beneficio neto de 9.600 millones de euros. Ese año reconoció ingresos por 48 sistemas EUV y 279 sistemas DUV, de los cuales una parte muy relevante correspondió a herramientas de inmersión. La compañía terminó además el ejercicio con una cartera de pedidos de 38.800 millones de euros, una cifra que refleja tanto la demanda de chips de IA como la presión de los fabricantes por ampliar capacidad en nodos avanzados y memoria.
La DUV por inmersión no ha desaparecido porque sigue siendo útil y rentable. En nodos maduros sostiene gran parte de la producción para automoción, industria, electrónica de consumo y sensores. En nodos avanzados puede combinarse con EUV para capas menos exigentes o incluso estirarse mediante multipatronaje, aunque esa técnica añade pasos, máscaras, tiempo de ciclo y riesgo de defectos. Ahí es donde EUV gana sentido: no solo permite imprimir patrones más pequeños, también simplifica procesos que con DUV serían demasiado largos o costosos.
China ha sido uno de los grandes compradores de DUV en los últimos años, en parte por la imposibilidad de acceder a EUV y por el endurecimiento de los controles de exportación. Desde septiembre de 2024, Países Bajos exige licencia para exportar a determinados destinos los sistemas TWINSCAN NXT:1970i y 1980i, una restricción que se suma a las ya existentes para modelos DUV más avanzados y para EUV. Esto ha reforzado el valor estratégico de las herramientas DUV: no son la frontera más avanzada, pero siguen siendo una vía para producir chips competitivos cuando se aceptan más pasos de proceso y menores eficiencias.
Low-NA EUV aún tiene mucho recorrido
La litografía EUV actual, la de baja apertura numérica o Low-NA, trabaja con una NA de 0,33 y luz de 13,5 nm. Es la tecnología que permitió consolidar los nodos de 5 nm, 3 nm y parte de la transición hacia 2 nm. ASML es el único fabricante mundial de sistemas EUV, según recoge su propio informe anual, y esa posición le otorga una influencia enorme sobre los calendarios de TSMC, Intel, Samsung, SK hynix y otros actores de la industria.
La hoja de ruta de ASML muestra que Low-NA no se jubilará pronto. El NXE:3600D aparece asociado a la generación de 3 nm y memoria 1B, mientras que el NXE:3800E sube la productividad por encima de los 220 wafers por hora y se sitúa en la transición hacia 2 nm y memorias 1C. La propia presentación de resultados del primer trimestre de 2026 indica que ASML ya liberó un paquete de mejora para el NXE:3800E que eleva el rendimiento de 220 a 230 wafers por hora con prestaciones de overlay similares.
Después llegarían el NXE:3800F, previsto en la hoja de ruta para 2027-2028, el NXE:4200G hacia 2029-2031 y el NXE:4200H ya en el tramo 2031-2033. En esa progresión, ASML apunta a mejores cifras de overlay y mayor productividad, con el NXE:4200H marcando en la diapositiva un objetivo de al menos 330 wafers por hora. Más adelante aparece una plataforma de alta productividad, el NXE:4600, con una meta de 400 wafers por hora o más.
La razón de esta extensión es clara: Low-NA sigue siendo una herramienta muy valiosa si se combina con software, metrología y litografía computacional. Las técnicas de corrección óptica, optimización de máscaras y control de proceso permiten exprimir sistemas existentes sin cambiar de golpe toda la infraestructura de fábrica. TSMC lo ha dejado ver con su estrategia para A16 y A14: la compañía no tiene previsto usar High-NA EUV en esos nodos y prefiere adoptar la nueva generación cuando vea una ventaja técnica y económica medible.
Esta postura no significa que TSMC renuncie a High-NA para siempre. Significa que, para el mayor fabricante por contrato del mundo, la ecuación todavía no es obvia. Si Low-NA con multipatronaje puede ofrecer resultados suficientes, aunque con más pasos, High-NA debe justificar su precio, su tamaño y los cambios que exige en fábrica.
| Tecnología | Apertura numérica | Papel previsto | Ventaja principal | Límite principal |
|---|---|---|---|---|
| DUV inmersión | 1,35 | Capas maduras y muchas capas no críticas | Coste y madurez | Multipatronaje complejo en nodos finos |
| Low-NA EUV | 0,33 | Nodos avanzados actuales y próximos | Buena productividad y base instalada | Necesita multipatronaje en los patrones más exigentes |
| High-NA EUV | 0,55 | Capas críticas sub-2 nm y DRAM avanzada | Más resolución en una sola exposición | Precio, tamaño e integración fabril |
| Hyper-NA | >0,7, en estudio | Posible tecnología para la década de 2030 | Mayor resolución óptica | Retos físicos, resist, pellicles y coste |
High-NA entra en escena, pero no sustituye todo
High-NA EUV es el gran salto óptico de ASML. Al pasar de 0,33 a 0,55 NA, la resolución mejora hasta unos 8 nm y permite imprimir en una sola exposición características que con Low-NA podrían requerir doble patronaje. ASML presenta el EXE:5200B como un sistema diseñado para producción de nodos lógicos sub-2 nm y DRAM avanzada. La compañía afirma que ofrece un 40 % más de contraste de imagen que los sistemas NXE y que permite imprimir características 1,7 veces más pequeñas, con una densidad de transistores 2,9 veces superior en una sola exposición.
La máquina, eso sí, no es una actualización menor. Los sistemas High-NA son enormes, caros y difíciles de instalar. Intel ha sido el cliente más agresivo en su adopción, con el EXE:5200B como pieza de desarrollo para Intel 14A. La compañía completó la aceptación del sistema a finales de 2025, con la vista puesta en producción de riesgo en 2027. Para Intel, High-NA no es solo una herramienta de litografía: es una forma de intentar recuperar credibilidad tecnológica frente a TSMC.
Samsung y SK hynix también han empezado a moverse. SK hynix instaló un sistema High-NA en su fábrica M16 de Icheon para preparar futuras generaciones de DRAM, mientras que Samsung se sitúa entre los fabricantes que evalúan High-NA para sus nodos más avanzados. En memoria, la tecnología puede ser especialmente atractiva porque la presión de la IA está acelerando la demanda de HBM, DRAM de altas prestaciones y procesos cada vez más finos.
La hoja de ruta de ASML contempla el EXE:5200C, el EXE:5200D y el EXE:5400E, con mejoras progresivas de productividad. En paralelo aparece una plataforma EXE:5600 de alta productividad con objetivo de 250 wafers por hora o más. El mensaje es claro: High-NA no es un experimento aislado, sino una familia de herramientas que ASML quiere llevar a fabricación de volumen.
Pero el despliegue será selectivo. High-NA no imprimirá todo el chip. Su papel más probable será ocuparse de las capas más exigentes, donde evita pasos adicionales y reduce complejidad. El resto seguirá en Low-NA EUV o DUV. Esa combinación puede parecer menos elegante que una sustitución completa, pero encaja mejor con la realidad económica de una fábrica de semiconductores: cada capa debe fabricarse con la herramienta más rentable, no con la más nueva.
Hyper-NA y las alternativas: promesa frente a física
Más allá de High-NA, ASML y sus socios investigan conceptos Hyper-NA, con aperturas por encima de 0,7. Sobre el papel, permitirían seguir reduciendo el tamaño de las estructuras impresas. En la práctica, el salto introduce problemas físicos cada vez más difíciles: menor profundidad de foco, películas fotosensibles más finas, defectos estocásticos, mayor exigencia en máscaras y pellicles, y una óptica aún más compleja.
La discusión sobre Hyper-NA ilustra una idea incómoda para la industria: cada generación de litografía ofrece mejoras, pero a un coste creciente. No basta con hacer una lente más extrema. Hay que conseguir que la fuente EUV entregue potencia suficiente, que la máscara resista, que el pellicle transmita luz sin degradarse, que el resist funcione con películas ultrafinas y que todo eso produzca obleas buenas a un coste asumible.
También existen alternativas, aunque ninguna parece lista para desplazar a ASML en lógica avanzada. Canon ha comercializado su sistema de litografía por nanoimpresión FPA-1200NZ2C, una tecnología que no usa proyección óptica, sino transferencia mecánica del patrón. Canon entregó una unidad al Texas Institute for Electronics en 2024 y defiende que la nanoimpresión puede reducir consumo y coste. Su encaje más realista, por ahora, parece estar en aplicaciones con patrones repetitivos, como memoria o ciertos pasos de fabricación, no en lógica avanzada de alto volumen donde los defectos y el overlay son determinantes.
La consecuencia para el mercado es que ASML seguirá siendo una empresa difícil de sustituir. Su negocio ya no depende solo de vender máquinas nuevas. El área de installed base, que incluye servicio y mejoras sobre sistemas instalados, alcanzó 8.200 millones de euros en 2025 y crece conforme las fábricas exprimen más sus equipos. En el primer trimestre de 2026, ASML elevó su previsión anual hasta 36.000-40.000 millones de euros de ingresos, con margen bruto previsto entre el 51 % y el 53 %, apoyada en la demanda de IA y en planes de expansión de capacidad de sus clientes.
La hoja de ruta deja una conclusión práctica: la fabricación de chips no avanza por saltos limpios, sino por capas. DUV seguirá trabajando. Low-NA EUV seguirá extendiéndose. High-NA entrará donde el coste compense. Hyper-NA tendrá que demostrar que puede vencer sus propios límites físicos. Y mientras tanto, cada generación de IA, GPU, CPU y memoria dependerá de una cadena de máquinas cada vez más cara, precisa y difícil de replicar.
Preguntas frecuentes
¿Qué diferencia hay entre DUV y EUV?
DUV usa luz ultravioleta profunda y sigue fabricando muchas capas de chips actuales. EUV utiliza una longitud de onda mucho más corta, 13,5 nm, y permite imprimir patrones más pequeños con menos pasos en las capas más complejas.
¿Qué es High-NA EUV?
Es una nueva generación de litografía EUV con apertura numérica de 0,55. Permite mejorar la resolución frente a los sistemas EUV actuales de 0,33 NA y está pensada para capas críticas en nodos sub-2 nm y memoria avanzada.
¿Por qué TSMC no quiere usar High-NA en A16 y A14?
TSMC considera que puede seguir avanzando con Low-NA EUV, multipatronaje y litografía computacional mientras High-NA no aporte una ventaja clara en coste, rendimiento y producción. La compañía ha dicho que la adoptará cuando vea un beneficio medible.
¿Puede Canon competir con ASML usando nanoimpresión?
Canon tiene una alternativa interesante con nanoimprint lithography, pero hoy parece más viable para usos concretos que para sustituir EUV en lógica avanzada de alto volumen. El reto está en defectos, precisión de alineación y productividad.
vía: ASML y tomshardware
