3 noviembre 2026
Empresas, Tecnología
6 minutos de lectura

AMD reservaría casi toda la segunda fábrica de Samsung en Texas para memoria HBM

Antonio

Samsung fabricará en su segunda planta de Taylor (Texas) los chips lógicos que sirven de base a la memoria HBM de próxima generación, y AMD se habría quedado con la mayor parte de esa producción. Así lo publicó el 3 de noviembre de 2026 el diario surcoreano Maeil Business Newspaper citando fuentes del sector, que sitúan el arranque formal de las obras este mismo mes, la entrada de maquinaria en febrero de 2029 y la producción en masa en 2030. Ni Samsung ni AMD lo han confirmado.

Las claves de la fábrica de Samsung en Taylor para AMD en 20 segundos

Qué se publica: Samsung usaría Taylor 2 para fabricar base dies de HBM en 2 nm.
Quién: AMD acapararía casi todo el volumen; Reuters menciona también a Nvidia.
Calendario: obras desde noviembre de 2026, maquinaria en 2029 y producción en 2030.
Estado: Samsung no comenta y Reuters no ha podido verificarlo.

Según el periódico, la planta tendría ya comprometida toda su capacidad antes de empezar a construirse. Reuters, que recogió la información desde Seúl, explicó que Samsung declinó hacer comentarios y que la agencia no había podido confirmar el contenido. Hay además una diferencia entre las versiones que circulan: Reuters habla de piezas para AMD y Nvidia, mientras que Wccftech centra el acuerdo en AMD y recuerda que Nvidia preferiría encargar a TSMC los base dies personalizados de su HBM.

Qué es un base die y por qué ahora lo fabrica una foundry

La memoria HBM (High Bandwidth Memory) apila varias capas de DRAM sobre un chip inferior, el base die o logic die, que gestiona la comunicación con el procesador. Hasta HBM3E ese chip se fabricaba en procesos de memoria. Con HBM4 el salto es claro: el base die pasa a un proceso lógico de fundición, más avanzado, porque la interfaz se amplía a 2.048 bits y los clientes quieren integrar funciones propias en esa capa.

Samsung ya ha recorrido parte del camino. En su anuncio de las primeras entregas comerciales de HBM4, del 12 de febrero de 2026, la compañía detalló que su base die se fabrica en un proceso lógico de 4 nm y que la DRAM usa su nodo 1c, la sexta generación de la clase de 10 nm. Esa HBM4 alcanza 11,7 Gbps por pin, con margen hasta 13 Gbps, y hasta 3,3 TB/s por pila, con capacidades de 24 GB a 36 GB en 12 capas y hasta 48 GB en 16. En la misma nota avanzaba que las muestras de HBM4E llegarían en la segunda mitad de 2026 y que la HBM personalizada, adaptada a las especificaciones de cada cliente, se enviaría a clientes en 2027.

El paso a 2 nm que describe Maeil encaja con esa hoja de ruta: un base die más complejo, hecho a medida y en un nodo puntero. Según la información recogida por Android Headlines, Samsung combinaría esos chips lógicos fabricados en Texas con DRAM producida en sus plantas de Corea del Sur y entregaría a AMD las pilas de HBM ya terminadas. Ninguna de las fuentes concreta la generación de HBM ni el producto de AMD al que irían destinadas.

Taylor 2: tamaño, calendario y lo que ya se sabe del campus

De acuerdo con el diario surcoreano, la segunda planta ocupará unos 2,7 millones de pies cuadrados (en torno a 250.000 metros cuadrados), aproximadamente 1,5 veces la superficie de la primera. El calendario publicado prevé el inicio formal de la construcción en noviembre de 2026, la instalación de equipos a partir de febrero de 2029 y la fabricación en volumen en 2030. The Next Web añade que el ayuntamiento de Taylor aprobó en marzo el apoyo de ingeniería para los permisos de esta segunda fábrica.

El campus no parte de cero. Cuando el Departamento de Comercio de Estados Unidos anunció su apoyo a Samsung dentro de la ley CHIPS, describió un proyecto de hasta 4.745 millones de dólares en ayudas directas para levantar en Taylor dos fábricas lógicas de 2 nm y una planta de I+D, en el marco de una inversión de más de 37.000 millones de dólares en la región. La primera fábrica tiene previsto empezar a producir en 2027 y, según Maeil, ya cuenta con un contrato con Tesla, que en 2025 encargó a Samsung la fabricación de su chip AI6 en un acuerdo valorado en 16.500 millones de dólares.

Lo que cambia es el uso de la segunda planta. El plan inicial hablaba de chips lógicos genéricos en 2 nm, y la información de este martes la orienta hacia los base dies de memoria, un producto que antes ni siquiera se fabricaba en una foundry.

Por qué AMD querría HBM fabricada en Estados Unidos

AMD es el cliente más lógico para este tipo de acuerdo. Su acelerador Instinct MI455X, que la compañía presentó en julio de 2026 dentro del rack Helios, se fabrica en 2 nm e integra 432 GB de HBM4, un 50 % más que el MI355X. La empresa ha reiterado que la serie MI500 llegará en 2027, y lo previsible es que sus generaciones posteriores pidan todavía más memoria y más ancho de banda por chip.

Asegurar el suministro de HBM se ha convertido en una de las principales limitaciones para los fabricantes de aceleradores de IA, porque SK hynix, Samsung y Micron trabajan con la capacidad muy ajustada. Un acuerdo a largo plazo con Samsung daría a AMD una segunda vía frente a TSMC, que hoy fabrica buena parte de los base dies de HBM4 de SK hynix. También le permitiría tener parte de la cadena en suelo estadounidense, algo que pesa en la política industrial de Washington, aunque ninguna de las fuentes atribuye esa motivación a AMD.

Para Samsung Foundry, la noticia llega en un momento delicado. Su negocio de fundición acumula pérdidas y lleva años perdiendo pedidos frente a TSMC. The Next Web recoge que Kiwoom Securities espera que la división vuelva a beneficios en el cuarto trimestre y que Samsung prevé que sus pedidos de 2 nm crezcan más de un 130 % este año. Wccftech añade que el traslado de la producción de HBM habría liberado capacidad de 2 nm para el próximo módem Exynos de la compañía.

Conviene leer todo esto con cautela. Se trata de una única fuente periodística, la producción no empezaría hasta 2030 y los detalles técnicos (generación de HBM, volúmenes, precio) no se han hecho públicos. Hasta que AMD o Samsung lo confirmen, es un acuerdo publicado, no anunciado.

Preguntas frecuentes

¿Ha confirmado AMD el acuerdo con Samsung para Taylor 2?

No. La información procede del diario surcoreano Maeil Business Newspaper, que cita fuentes del sector. Samsung declinó comentar y Reuters indicó que no había podido verificarla.

¿Qué es el base die de la memoria HBM?

Es el chip lógico situado en la base de la pila de memoria HBM, que gestiona la comunicación con el procesador. Desde HBM4 se fabrica en procesos lógicos de fundición, como los 4 nm que usa Samsung en su HBM4 actual.

¿Cuándo empezaría a producir la segunda fábrica de Samsung en Texas?

Según el calendario publicado, las obras arrancan en noviembre de 2026, la maquinaria llegaría desde febrero de 2029 y la producción en masa comenzaría en 2030.

¿Participa también Nvidia?

Reuters menciona piezas para AMD y Nvidia, pero otras versiones de la información sitúan a AMD como cliente casi exclusivo y apuntan a que Nvidia prefiere fabricar sus base dies personalizados con TSMC.

Fuentes: