
TSMC avanza hacia transistores subnanométricos con un nuevo diseño basado en MoS₂
TSMC y un equipo de investigadores de la National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU) de Taiwán han demostrado una nueva técnica para fabricar transistores basados en disulfuro de molibdeno (MoS₂) de una sola capa atómica, uno de los materiales que la industria estudia para continuar reduciendo el tamaño de los transistores cuando el silicio convencional empiece a acercarse a sus límites físicos. El avance no supone que TSMC tenga listo un proceso comercial de menos de 1 nanómetro, pero resuelve uno de los problemas que dificultan utilizar semiconductores bidimensionales en futuros chips. Las claves de los futuros transistores de TSMC en 20 segundos El estudio, publicado el 31 de julio de 2026 en Nature Electronics, aborda una dificultad cada




