
Samsung acelera con HBM4E: superar el 70 % de yield acerca su contraataque en memoria para IA
Samsung Electronics vuelve a enseñar músculo en la carrera de la memoria para inteligencia artificial. Tras iniciar este año la producción comercial de HBM4, la compañía surcoreana habría logrado que el yield de fiabilidad de HBM4E, la siguiente generación, supere ya el 70 %, según información sectorial difundida en Corea. La cifra no significa que el producto esté plenamente maduro, pero sí indica que el desarrollo ha entrado en una fase más estable de lo habitual para una tecnología todavía en validación. En memoria HBM, el yield importa tanto como la velocidad. Un chip puede prometer más ancho de banda, más capas o mejor eficiencia, pero si el porcentaje de unidades válidas es bajo, el coste se dispara y la capacidad




