NVIDIA habría pedido a Samsung, SK hynix y Micron que fabriquen la capa base (base die) de su memoria HBM personalizada, llamada NVHBM, con el proceso de 3 nanómetros de TSMC, según publica el diario surcoreano Seoul Economic Daily y recoge Wccftech. El objetivo sería unificar la producción entre los tres proveedores para reducir los pasos de validación. Ninguna de las empresas lo ha confirmado.
Las claves de la HBM a medida de NVIDIA en 20 segundos
- Según la prensa coreana, NVIDIA quiere el base die de NVHBM fabricado en el nodo de 3 nm de TSMC.
- Samsung, que hace sus base dies en casa, habría aceptado.
- NVIDIA anunció NVHBM el 26 de agosto y promete hasta un 30 % más de ancho de banda que HBM4E.
El base die es el chip lógico que va debajo de las capas de DRAM apiladas en cada módulo HBM y que gestiona la comunicación con el procesador. En las primeras generaciones se fabricaba con procesos de memoria, pero desde HBM4 se hace con procesos lógicos de fundición, más rápidos y eficientes. Cada fabricante de memoria ha resuelto esa parte a su manera, y ahí es donde, según el informe, NVIDIA quiere poner orden.
Qué es NVHBM y qué ha anunciado NVIDIA
Lo que sí es oficial es la tecnología. NVIDIA presentó NVHBM el 26 de agosto, dentro de la ampliación de su programa NVLink Fusion, con el que permite conectar aceleradores de terceros a su plataforma de rack. La idea es trasladar el controlador de memoria, que hasta ahora vive en el chip del acelerador, al base die de la HBM, y sustituir el bus paralelo ancho del estándar JEDEC por un enlace serializado más estrecho diseñado por NVIDIA. Lo contamos entonces al explicar cómo NVIDIA mueve el controlador de memoria dentro de HBM.
Según los datos de la compañía recogidos por TechRadar, NVHBM ofrecería hasta un 30 % más de ancho de banda por pila, hasta un 15 % menos de consumo y hasta un 25 % más de superficie útil en el chip del acelerador, siempre frente a muestras de HBM4E estándar. Counterpoint Research advierte de que la única cifra fácilmente verificable es la reducción del 67 % en el área de la interfaz, porque la HBM4E de referencia todavía no se envía en volumen.
El calendario tampoco está claro. SamMobile apuntaba en agosto a un debut con Rubin Ultra el próximo año, mientras que NVIDIA confirmó en marzo, en su conferencia GTC, que Feynman, la generación prevista para 2028, llevará HBM personalizada, como recogimos al hablar de los planes de NVIDIA para Feynman. El informe coreano no da fechas de muestras ni de producción.
Por qué afecta sobre todo a Samsung
SK hynix y Micron ya dependen de fundiciones externas, sobre todo TSMC, para sus base dies avanzados, así que la petición encaja con lo que hacen. Samsung es la excepción: diseña y fabrica el base die en sus propias líneas, con su proceso de 4 nm en HBM4, y ha mantenido ese modelo integrado. Según el Seoul Economic Daily, la coreana habría aceptado fabricar el base die de NVHBM en TSMC, aunque seguiría haciendo en casa su HBM estándar y estudia usar su propia fundición si la demanda supera la capacidad de TSMC.
El movimiento no es del todo nuevo. A mediados de septiembre, el medio coreano iNews24 ya informaba de que Samsung mantenía abierta la opción de usar TSMC para el base die de sus HBM a medida si un cliente lo pedía, sin contrato confirmado. Encaja además con la estrategia de SK hynix, que valida HBM5 con TSMC. Para NVIDIA la ventaja sería tener un único diseño y un único proceso que validar, en lugar de tres variantes distintas.
La cara menos visible es el poder que gana NVIDIA sobre la cadena de suministro. Si diseña el base die y decide dónde se fabrica, los fabricantes de memoria pasan a producir según su especificación, y TSMC suma otra pieza del módulo HBM. Wccftech relaciona el auge de la HBM con la previsión de analistas de que las pérdidas de la división de fundición de Samsung bajen de 6,74 billones de wones en 2025 a 3,92 billones en 2026, una estimación que no procede de la compañía.
Preguntas frecuentes
¿Qué es NVHBM?
Es la memoria HBM personalizada que NVIDIA presentó el 26 de agosto. Lleva el controlador de memoria al base die del módulo y usa un enlace serializado diseñado por NVIDIA en lugar del bus del estándar JEDEC.
¿Está confirmado que Samsung fabricará en TSMC?
No. Lo publica la prensa coreana a partir de fuentes del sector, y ni NVIDIA ni Samsung ni TSMC lo han confirmado.
¿Cuándo llegará la HBM a medida de NVIDIA?
No hay fecha oficial. Algunos medios hablan de Rubin Ultra en 2027 y NVIDIA ha confirmado HBM personalizada para Feynman, prevista para 2028.
Fuentes:
- Wccftech: NVIDIA’s custom HBM, Samsung and TSMC’s 3nm base die
- TechRadar: Nvidia unveils custom high bandwidth memory
- Counterpoint Research: The trillion dollar bottleneck, NVIDIA’s NVHBM fight for base die
- SamMobile: Samsung could supply NVHBM chips to NVIDIA
- iNews24: ¿Samsung también se alía con TSMC? La HBM a medida difumina las fronteras de los semiconductores
