Tower Semiconductor prepara una gran ampliación de su capacidad de fabricación en Japón con una inversión total de unos 4.000 millones de dólares, de los que aproximadamente 3.000 millones procederán de la compañía y 1.000 millones llegarán en forma de ayudas del Ministerio de Economía, Comercio e Industria de Japón (METI). El objetivo es convertir sus instalaciones japonesas en un gran centro de producción de fotónica de silicio (SiPho), silicio-germanio (SiGe) y encapsulado óptico avanzado, tecnologías cada vez más utilizadas en las conexiones de los centros de datos de inteligencia artificial.
Las claves de Tower Semiconductor y sus fábricas ópticas en Japón en 30 segundos
- Tower prevé movilizar unos 4.000 millones de dólares en Japón, con 1.000 millones aportados mediante ayudas públicas.
- La expansión combina la reconversión de la antigua Fab 6 de Arai y el aumento de producción de la Fab 7 de Uozu.
- La segunda fase contempla una nueva fábrica de 300 mm junto a Fab 7.
- Tower espera alcanzar una capacidad equivalente a 45.000 obleas de 300 mm al mes en 2029, unas 40 veces el nivel de 2025.
- La compañía prevé contratar unas 200 personas y orientar la nueva capacidad a la demanda de IA, centros de datos y conectividad óptica.
El plan tiene dos vías paralelas. La primera aprovecha instalaciones que ya existen y procesos que están cualificados para producción, lo que permite aumentar capacidad antes de que una nueva fábrica pueda completar todo el proceso de puesta en marcha. La segunda contempla levantar una nueva planta de 300 mm junto a Fab 7, con impacto previsto a partir de 2029.
La estrategia llega mientras Tower amplía su negocio de fotónica de silicio para infraestructuras de IA. La compañía ya ha comunicado un fuerte crecimiento de esta actividad y en septiembre anunció junto a NewPhotonics envíos de gran volumen de circuitos integrados fotónicos para motores ópticos destinados a interconexiones de IA.
Dos caminos para multiplicar la producción
La primera fase combina dos actuaciones.
Por un lado, Tower quiere recuperar la instalación de Arai, en la prefectura de Niigata, anteriormente denominada Fab 6, y convertirla en una fábrica de obleas de 300 mm para fotónica de silicio y encapsulado óptico avanzado.
Por otro, pretende aumentar todo lo posible la producción de la Fab 7 de Uozu, en la prefectura de Toyama. Esta instalación ya fabrica en volumen componentes de silicio-germanio y fotónica de silicio.
Tower señala que la producción de fotónica de silicio de Fab 7 ya está cualificada y enviándose en volumen. La planta utiliza procesos de 65 nm de clase SiGe y tecnología de fotónica de silicio de 45 nm de clase, entre otros procesos especializados.
Esto cambia los tiempos frente a una fábrica completamente nueva. En lugar de esperar a construir una planta desde cero, instalar todos los equipos, desarrollar procesos y completar las cualificaciones con clientes, Tower puede añadir capacidad progresivamente a una infraestructura que ya está operativa.
La compañía espera que la primera fase esté plenamente preparada para producción durante el cuarto trimestre de 2027.
La segunda vía avanza en paralelo. Tower prevé construir una nueva fábrica de 300 mm junto a Fab 7, una instalación destinada a ampliar de forma importante la capacidad de producción de SiPho y SiGe.
Según la compañía, esta segunda planta será la que aporte una contribución económica relevante a partir de 2029.
| Fase | Instalación | Tecnología principal | Calendario |
|---|---|---|---|
| Track One | Fab 6, Arai | SiPho de 300 mm y encapsulado óptico | Producción completa prevista para 4T 2027 |
| Track One | Fab 7, Uozu | SiGe y SiPho de 300 mm | Ampliación progresiva |
| Track Two | Nueva planta junto a Fab 7 | SiPho y SiGe de 300 mm | Impacto esperado desde 2029 |
De una fábrica de Panasonic a un centro de fotónica para IA
La expansión también está relacionada con la reorganización de las operaciones japonesas de Tower.
La compañía controla actualmente las operaciones de TPSCo, una estructura creada originalmente junto a Panasonic. En marzo de 2026 Tower anunció un acuerdo para hacerse con la propiedad y el control operativo completos de Fab 7, mientras que Nuvoton Technology Corporation Japan asumirá el control de Fab 5, una planta de 200 mm en Tonami. El cierre de esa operación está previsto para el 1 de abril de 2027, sujeto a las condiciones habituales y a las autorizaciones correspondientes.
La reorganización permite a Tower integrar Fab 7 en una filial japonesa completamente controlada por la compañía. La operación incluye los equipos de fabricación de 300 mm, las operaciones, los empleados y las actividades comerciales de la planta.
La historia de Fab 7 ayuda a entender por qué Tower está apostando por ampliar esta instalación. La planta procede de las operaciones japonesas de fabricación de semiconductores de Panasonic y se ha convertido progresivamente en una de las principales instalaciones de Tower para tecnologías especializadas.
En marzo, Tower ya había señalado que pretendía multiplicar por cuatro la capacidad actual de 300 mm de Uozu con la ampliación prevista junto a la fábrica.
Ahora el plan presentado para el conjunto de las operaciones japonesas eleva mucho más la escala: 45.000 obleas equivalentes de 300 mm al mes en 2029, frente al nivel de 2025, que la compañía sitúa como referencia para calcular un incremento aproximado de 40 veces.
La conexión óptica se convierte en un cuello de botella de la IA
La apuesta de Tower está relacionada con un cambio en la arquitectura de los centros de datos.
Los sistemas de IA actuales agrupan grandes cantidades de aceleradores y servidores que necesitan intercambiar enormes volúmenes de información. A medida que aumentan las velocidades de conexión, las tecnologías ópticas adquieren mayor peso frente a las conexiones eléctricas tradicionales en determinados enlaces.
La fotónica de silicio combina componentes fotónicos y electrónicos sobre procesos de fabricación compatibles con tecnologías de semiconductores. Los circuitos integrados fotónicos pueden formar parte de motores ópticos y sistemas destinados a transportar información mediante luz.
Tower fabrica tanto los componentes fotónicos como circuitos electrónicos de silicio-germanio utilizados en estos sistemas. El encapsulado óptico avanzado añade otra parte de la cadena, al integrar componentes electrónicos y fotónicos en soluciones más compactas.
La compañía está ampliando además sus relaciones comerciales en este mercado. En junio anunció junto a Marvell que habían superado los 5 millones de circuitos integrados fotónicos coherentes enviados, mientras que en septiembre comunicó nuevos envíos de gran volumen con NewPhotonics para motores ópticos destinados a interconexiones de IA.
El mercado está creciendo alrededor de varias arquitecturas de interconexión. Una de ellas es la conexión entre servidores y redes, mientras que otra busca acercar cada vez más los componentes ópticos a los procesadores y aceleradores.
Tower también ha señalado que pretende incorporar tecnologías relacionadas con co-packaged optics (CPO) en Uozu. Esta arquitectura integra elementos ópticos y electrónicos mucho más cerca dentro del sistema y se está estudiando para las futuras generaciones de interconexión de centros de datos.
Japón aporta 1.000 millones de dólares en ayudas
El Gobierno japonés aportará aproximadamente 1.000 millones de dólares mediante subvenciones, mientras que Tower prevé invertir unos 3.000 millones de dólares.
El objetivo del Gobierno japonés es reforzar la fabricación nacional de tecnologías relacionadas con semiconductores y reducir riesgos en la cadena de suministro. En el caso de Tower, el foco se sitúa en tecnologías especializadas de fotónica y silicio-germanio que tienen aplicaciones en comunicaciones, centros de datos e inteligencia artificial.
Tower espera contratar aproximadamente 200 trabajadores para acompañar la expansión. Las nuevas instalaciones también se apoyarán en la infraestructura industrial y en la experiencia acumulada en Toyama y Niigata.
La compañía ha planteado además objetivos financieros vinculados a la primera fase. Para 2028, Tower actualizó su modelo de negocio con una previsión de 3.600 millones de dólares de ingresos y 1.200 millones de dólares de beneficio neto. Son objetivos de la compañía, no resultados garantizados.
El calendario es importante porque la nueva fábrica no será la primera fuente de capacidad adicional. Tower espera que la producción aumente progresivamente a medida que lleguen nuevos equipos a las instalaciones existentes y reconvertidas. La segunda fábrica tendrá un papel mayor en la expansión posterior a 2028.
El resultado previsto para 2029 es una plataforma japonesa mucho mayor que la actual, con Fab 7 como núcleo, Arai reconvertida para fotónica y encapsulado, y una nueva instalación de 300 mm junto a Uozu.
Para Tower, el objetivo es atender el crecimiento de los motores ópticos y las interconexiones de los centros de datos de IA. Para Japón, el proyecto refuerza una capacidad de fabricación especializada que el Gobierno considera estratégica para su cadena nacional de semiconductores.
Preguntas frecuentes
¿Cuánto invertirá Tower Semiconductor en Japón?
El proyecto movilizará unos 4.000 millones de dólares, de los que aproximadamente 3.000 millones serán inversión de Tower y 1.000 millones corresponderán a ayudas del Gobierno japonés.
¿Qué fabricará Tower en las nuevas instalaciones?
El plan se centra en fotónica de silicio (SiPho), silicio-germanio (SiGe) y encapsulado óptico avanzado, tecnologías utilizadas en soluciones de conectividad y centros de datos de IA.
¿Cuánta capacidad tendrá Tower en Japón en 2029?
La compañía prevé alcanzar una capacidad equivalente a 45.000 obleas de 300 mm al mes, unas 40 veces el nivel utilizado como referencia de 2025.
¿Cuándo estará lista la primera fase?
Tower espera que la primera fase, que incluye la reconversión de Arai y la ampliación de Fab 7, alcance la plena preparación para producción durante el cuarto trimestre de 2027. La nueva fábrica junto a Fab 7 tendrá un impacto previsto a partir de 2029.
