Samsung Electronics vuelve a enseñar músculo en la carrera de la memoria para inteligencia artificial. Tras iniciar este año la producción comercial de HBM4, la compañía surcoreana habría logrado que el yield de fiabilidad de HBM4E, la siguiente generación, supere ya el 70 %, según información sectorial difundida en Corea. La cifra no significa que el producto esté plenamente maduro, pero sí indica que el desarrollo ha entrado en una fase más estable de lo habitual para una tecnología todavía en validación.
En memoria HBM, el yield importa tanto como la velocidad. Un chip puede prometer más ancho de banda, más capas o mejor eficiencia, pero si el porcentaje de unidades válidas es bajo, el coste se dispara y la capacidad real de suministro queda limitada. La industria suele considerar que un proceso se acerca a una fase madura cuando se sitúa en torno al 80 % o por encima. Por eso superar el 70 % en pruebas de fiabilidad para HBM4E coloca a Samsung en una posición más cómoda de cara a las evaluaciones de clientes y a la futura rampa de producción.
La noticia llega en un momento muy sensible. La demanda de HBM sigue creciendo por el despliegue de aceleradores de IA, servidores de alto rendimiento y nuevas generaciones de GPUs. SK hynix ha liderado buena parte del mercado reciente, Micron ha ganado presencia y Samsung intenta recuperar terreno aprovechando una ventaja estructural: controla memoria, foundry y empaquetado avanzado dentro del mismo grupo.
HBM4E: más velocidad y una ventana crítica para Samsung
Samsung ya había anunciado a finales de mayo el envío de muestras de HBM4E de 12 capas a clientes globales. Según la compañía, este producto alcanza hasta 16 Gbps por pin y está pensado para las cargas de IA de próxima generación. La empresa también aseguró que HBM4E mejora más de un 20 % el rendimiento de velocidad frente a HBM4, con mejoras de eficiencia energética y comportamiento térmico.
Ese salto técnico es relevante porque HBM4E actuará como puente entre la primera ola de HBM4 y generaciones posteriores como HBM5. La memoria de alto ancho de banda se ha convertido en una de las piezas más escasas de la infraestructura de IA. Ya no basta con fabricar una GPU potente: el rendimiento real depende de cuánta memoria puede alimentarla, con qué ancho de banda, con qué consumo y con qué fiabilidad térmica.
Samsung había iniciado en febrero la producción comercial de HBM4, presentada por la compañía como la primera de la industria, con una velocidad consistente de 11,7 Gbps y capacidad de hasta 13 Gbps. Esa generación utiliza DRAM de clase 10 nm de sexta generación y un base die lógico fabricado en 4 nm, una combinación con la que Samsung intenta diferenciarse frente a sus rivales.
La mejora en HBM4E es importante porque la siguiente gran batalla de suministro se jugará en aceleradores de IA posteriores a los actuales. El mercado espera que NVIDIA, AMD y los grandes diseñadores de ASIC cloud sigan empujando configuraciones con más memoria, paquetes más grandes y requisitos térmicos más duros. En ese contexto, llegar antes no basta. Hay que llegar con yield suficiente.
| Generación | Estado destacado | Relevancia para IA |
|---|---|---|
| HBM3E | Generación actual en muchos aceleradores | Base del mercado reciente de IA |
| HBM4 | Producción comercial iniciada por Samsung en 2026 | Mayor ancho de banda y nuevo base die |
| HBM4E | Muestras enviadas y yield de fiabilidad >70 % según reportes | Siguiente paso para aceleradores de nueva generación |
| HBM5 | Próxima gran evolución | Dependerá de procesos DRAM más avanzados como D1d |
D1d DRAM: la pieza que mira ya a HBM5
El otro dato importante está en el proceso D1d, la séptima generación de DRAM de clase 10 nm. Song Jai Hyuk, CTO de Samsung Electronics y responsable del Semiconductor Research Center, habría trasladado internamente que la competitividad técnica de D1d está por delante de sus competidores y que el desarrollo avanza con el objetivo de lograr la aprobación de preparación para producción, conocida como PRA, en noviembre.
La PRA es una fase interna crítica antes del envío y la producción masiva. Evalúa si el proceso ofrece rendimiento, productividad, estabilidad y calidad suficientes para pasar a una etapa industrial. En un producto como HBM, este punto es todavía más delicado porque el fallo no se limita a un único die. La memoria se apila, se interconecta y se integra dentro de paquetes complejos junto a lógica y otros componentes.
D1d importa porque Samsung prevé utilizarlo como base para HBM5. Si ese proceso madura a tiempo, la compañía podría mejorar densidad, eficiencia y coste en la siguiente generación de memoria para IA. Si se retrasa, la ventaja obtenida con HBM4E podría perder fuerza frente a SK hynix y Micron.
Samsung ya había pasado por una etapa complicada en HBM. Durante 2024 y 2025, varios informes apuntaron a dificultades de yield y homologación frente a competidores. De hecho, TrendForce recogió el año pasado que los yields de la DRAM 1c de Samsung habían subido hasta el rango del 50 %-70 % en pruebas, después de estar por debajo del 30 % en fases anteriores.
La lectura ahora es distinta. Si HBM4E se sitúa por encima del 70 % en pruebas de fiabilidad y D1d avanza hacia PRA, Samsung empieza a reducir dos de sus principales dudas: capacidad de ejecución en HBM actual y preparación para la siguiente generación.
La ventaja de Samsung: memoria, foundry y packaging bajo el mismo techo
Uno de los argumentos más repetidos por Samsung en esta nueva etapa es su integración vertical. A diferencia de otros actores, la compañía combina negocio de memoria, foundry y empaquetado dentro del mismo grupo. Song Jai Hyuk ya defendió en febrero que esta estructura daba a Samsung un entorno favorable para fabricar los productos que exige la IA, al poder coordinar memoria, lógica y paquete.
Esa ventaja puede tener más valor en HBM4 y HBM4E que en generaciones anteriores. La memoria de alto ancho de banda ya no es solo DRAM apilada. Integra base dies lógicos, procesos de empaquetado avanzado, gestión térmica, interconexiones más densas y validación conjunta con aceleradores de clientes. Cuanto más complejo es el producto, más pesa la coordinación industrial.
Aun así, la integración vertical no garantiza el liderazgo. SK hynix ha demostrado una ejecución muy fuerte en HBM3E y HBM, y Micron ha ganado relevancia como tercer gran proveedor. Los clientes de IA no compran promesas: compran suministro, rendimiento, eficiencia, estabilidad y capacidad de cumplir calendarios. Samsung necesita convertir sus avances técnicos en volúmenes fiables.
El yield ya es una variable estratégica
La carrera por la HBM se ha contado muchas veces en términos de velocidad por pin, número de capas y ancho de banda total. Pero la variable que decide márgenes y disponibilidad es el yield. En generaciones avanzadas, cada punto porcentual puede suponer millones en capacidad útil y rentabilidad.
Un yield superior al 70 % en HBM4E no equivale a producción masiva madura, pero sí cambia la percepción. Indica que los problemas técnicos pueden estar entrando en una zona controlable. También permite a Samsung negociar mejor con grandes clientes, acelerar validaciones y preparar la transición hacia HBM5 con más credibilidad.
Para el mercado de IA, la noticia también tiene una lectura positiva. Cuantos más proveedores puedan entregar HBM avanzada con yield suficiente, menos presión habrá sobre una cadena de suministro que sigue muy concentrada. La demanda de memoria para aceleradores seguirá creciendo, y cualquier mejora de capacidad ayuda a reducir cuellos de botella.
Samsung aún no tiene ganada la carrera. SK hynix conserva una posición muy fuerte y Micron no está fuera del juego. Pero superar el 70 % en HBM4E, si se confirma en producción y en evaluaciones de clientes, es una señal clara: Samsung quiere volver a competir por el liderazgo de la memoria más importante de la era de la IA.
Preguntas frecuentes
¿Qué significa que Samsung haya superado el 70 % de yield en HBM4E?
Significa que más del 70 % de las unidades evaluadas en pruebas de fiabilidad estarían alcanzando los criterios requeridos. No implica madurez total, pero sí un avance relevante en estabilidad de proceso.
¿Qué es HBM4E?
HBM4E es la evolución de HBM4, una memoria de alto ancho de banda pensada para aceleradores de IA y sistemas de computación de alto rendimiento.
¿Por qué importa tanto el yield en HBM?
Porque HBM combina múltiples capas de memoria, base dies, empaquetado avanzado y validación exigente. Si el yield es bajo, el coste por unidad funcional sube y la disponibilidad real cae.
¿Qué papel juega D1d DRAM?
D1d es la séptima generación de DRAM de clase 10 nm de Samsung. Está prevista como base para futuras generaciones como HBM5, por lo que su madurez será importante para la competitividad futura.
¿Samsung ya lidera el mercado HBM?
No necesariamente. SK hynix sigue siendo un competidor muy fuerte y Micron también está ganando presencia. Samsung está intentando recuperar terreno con HBM4, HBM4E y su integración de memoria, foundry y packaging.
vía: X Jukan
