
NEO acerca la DRAM 3D a la realidad con su primer 3D X-DRAM en silicio
La carrera por la memoria para Inteligencia Artificial no se limita ya a exprimir la HBM o a seguir apilando capas en la NAND. También empieza a tomar forma otra vía que durante años sonó más a promesa de laboratorio que a hoja de ruta industrial: la DRAM en 3D. En ese terreno, NEO Semiconductor acaba de dar un paso que merece atención. La compañía ha anunciado resultados satisfactorios de una prueba de concepto en silicio para su tecnología 3D X-DRAM, junto con una nueva inversión estratégica liderada por Stan Shih, fundador de Acer y exmiembro del consejo de TSMC durante más de dos décadas. Lo importante aquí no es tanto el titular corporativo como lo que implica el anuncio.




