
V-Die y MOSAIC ponen la memoria de IA de lado para reducir el calor
Dos equipos de investigación de Corea del Sur y Japón han presentado nuevas formas de integrar memoria para aceleradores de inteligencia artificial. Sus propuestas, denominadas V-Die y MOSAIC, colocan los chips de memoria DRAM en posición vertical, apoyados sobre uno de sus bordes, en lugar de acumularlos horizontalmente como hace la memoria de alto ancho de banda o HBM. Las claves de V-Die y MOSAIC en 20 segundos Las investigaciones se presentaron en junio durante el IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits 2026. Aunque nacieron de equipos independientes y emplean métodos de conexión diferentes, comparten una idea: el aumento continuo de la altura de las pilas HBM empieza a plantear problemas difíciles de resolver mediante la arquitectura convencional. La




