
China recorta su retraso en memoria: ya sería de un año en NAND
La distancia tecnológica entre los fabricantes chinos y surcoreanos de memoria se ha reducido con rapidez. La Korea Semiconductor Industry Association (KSIA) estima que China está aproximadamente un año por detrás en NAND, dos años en DRAM y tres años en memoria HBM (High Bandwidth Memory). YMTC y CXMT protagonizan este avance, aunque medir la competitividad mediante una cifra de años simplifica diferencias importantes en rendimiento de fabricación, capacidad, eficiencia y producción a gran escala. Las claves del avance chino en memoria en 30 segundos La estimación resulta especialmente relevante porque hace pocos años el retraso chino en algunos segmentos de memoria se calculaba alrededor de cinco años. La evolución no significa que YMTC o CXMT hayan alcanzado a Samsung



