SK hynix prepara una ampliación importante de su capacidad de producción de memoria NAND Flash en China para responder al crecimiento del almacenamiento empresarial y los centros de datos de inteligencia artificial. La compañía surcoreana, a través de Solidigm, está reactivando la segunda fase de su fábrica de Dalian, que podría aportar entre 30.000 y 50.000 obleas adicionales al mes y elevar aproximadamente un 50 % la capacidad del complejo si alcanza el extremo superior de esa previsión. La producción está prevista para comenzar durante la primera mitad de 2027.
Las claves de la ampliación NAND de SK hynix en 20 segundos
- SK hynix reactiva la segunda fase de la fábrica NAND de Dalian tras varios años paralizada.
- La nueva línea podría producir entre 30.000 y 50.000 obleas mensuales.
- La instalación de equipos está prevista durante la segunda mitad de 2026.
- Solidigm utilizará la capacidad principalmente para NAND destinada a almacenamiento empresarial.
- La IA está aumentando la demanda de SSD de gran capacidad en los centros de datos.
La operación resulta especialmente relevante porque recupera un proyecto que llevaba alrededor de cuatro años prácticamente detenido. La caída del mercado NAND después de la pandemia y, posteriormente, las restricciones estadounidenses a la exportación de determinadas tecnologías de fabricación de semiconductores hacia China habían complicado los planes de modernización de las grandes plantas de memoria instaladas en el país.
TrendForce informó ya en julio de que SK hynix estaba preparando la reactivación de Dalian Plant 2 durante la segunda mitad de 2026, con una instalación progresiva de equipamiento y finalización por fases hasta la primera mitad de 2027. La capacidad prevista se sitúa entre 30.000 y 50.000 obleas mensuales y la nueva línea estaría orientada a NAND V8 de aproximadamente 238 capas.
La expansión llega además en un momento en el que SK hynix está destinando cantidades mucho mayores a incrementar su capacidad de memoria en Corea del Sur. El consejo de administración aprobó el 7 de agosto inversiones por 54,3 billones de wones, unos 38.300 millones de dólares, para nuevas instalaciones en Yongin y Cheongju. Esta última tendrá precisamente producción NAND, aunque su entrada en funcionamiento se espera más adelante.
Dalian es una herencia del negocio NAND de Intel
Para entender por qué SK hynix fabrica NAND en China mediante Solidigm hay que remontarse a una de las mayores operaciones realizadas en la industria de las memorias durante los últimos años.
SK hynix acordó en 2020 adquirir por aproximadamente 9.000 millones de dólares el negocio NAND y SSD de Intel, una operación dividida en varias fases que incluía propiedad intelectual, productos SSD, empleados y la fábrica NAND de Dalian.
De aquella adquisición nació Solidigm, creada como filial de SK hynix para gestionar el negocio de almacenamiento empresarial heredado de Intel.
La instalación china es particularmente interesante porque conserva parte de la tecnología desarrollada durante años por Intel. Mientras SK hynix utiliza principalmente arquitecturas charge trap en sus generaciones NAND más recientes, Dalian continúa vinculada a la tecnología floating gate procedente de Intel.
Esa diferencia aparentemente técnica tiene bastante importancia para Solidigm.
La compañía se ha especializado en SSD empresariales de muy alta capacidad basados en memoria QLC (Quad-Level Cell), capaz de almacenar cuatro bits por celda. El objetivo no es necesariamente ofrecer las mayores prestaciones posibles por unidad, sino almacenar enormes cantidades de información utilizando menos servidores, unidades y espacio físico.
Solidigm comercializa actualmente el D5-P5336 con capacidades de hasta 122,88 TB, destinado a cargas intensivas en lectura y grandes conjuntos de datos. La propia compañía presenta la densidad como uno de los elementos centrales de su estrategia para centros de datos e inteligencia artificial.
La siguiente generación pretende llevar esa filosofía todavía más lejos.
La IA necesita GPU, pero también cantidades enormes de almacenamiento
La expansión de la inteligencia artificial suele analizarse desde la perspectiva de las GPU, la memoria HBM (High Bandwidth Memory) y la electricidad necesaria para alimentar los nuevos centros de datos.
El almacenamiento está convirtiéndose en otro componente relevante.
Entrenar y ejecutar grandes modelos requiere almacenar conjuntos de datos, checkpoints, pesos, embeddings, bases vectoriales y resultados intermedios. Los sistemas de Retrieval-Augmented Generation (RAG), por ejemplo, necesitan mantener enormes colecciones de información accesibles para los modelos.
Solidigm considera precisamente que el almacenamiento será uno de los límites que deberán resolver las próximas infraestructuras de IA. La compañía sostiene que el crecimiento de la potencia de las GPU obliga a mejorar simultáneamente la eficiencia y capacidad de los sistemas que suministran datos a esos aceleradores.
Aquí encajan especialmente bien los SSD QLC de gran capacidad.
No todas las capas de almacenamiento de un centro de datos necesitan ofrecer millones de IOPS. Una parte importante de los datos puede mantenerse en unidades de alta densidad que proporcionen un compromiso más favorable entre capacidad, consumo eléctrico, rendimiento y espacio ocupado.
Por eso Solidigm ha ido llevando sus SSD desde decenas de terabytes hasta los actuales 122 TB, mientras trabaja en generaciones de capacidad todavía mayor.
La ampliación de Dalian proporciona más obleas para fabricar precisamente este tipo de memoria sin tener que competir directamente por toda la capacidad de las fábricas surcoreanas más avanzadas de SK hynix.
Hasta 150.000 obleas NAND mensuales en Dalian
La primera fábrica del complejo de Dalian dispone de una capacidad aproximada de 100.000 obleas mensuales, según las informaciones publicadas sobre los planes de expansión.
Si Dalian Plant 2 alcanza finalmente las 50.000 obleas mensuales previstas en el escenario superior, el conjunto podría situarse alrededor de 150.000 obleas al mes, un incremento cercano al 50 %.
No significa que esa capacidad aparezca de golpe.
La instalación de maquinaria se realizará progresivamente y diferentes informaciones sitúan el comienzo del proceso durante la segunda mitad de 2026, con noviembre como uno de los momentos previstos para acelerar la llegada de equipamiento. La producción en volumen se espera durante la primera mitad de 2027.
TrendForce sitúa la tecnología inicialmente prevista alrededor de V8 NAND de 238 capas.
Al mismo tiempo, la primera fábrica de Dalian está siendo modernizada. Sustituir equipamiento antiguo y aumentar el número de capas permite producir más bits de almacenamiento a partir de una misma oblea, por lo que el crecimiento efectivo de capacidad NAND puede ser mayor que el que refleja únicamente el número de obleas procesadas.
Este matiz es importante.
En memoria 3D NAND, contar obleas mensuales no permite conocer directamente cuántos terabytes terminarán saliendo de una fábrica. El número de capas, la densidad de cada matriz, el número de bits almacenados por celda y el rendimiento de fabricación determinan finalmente la cantidad de memoria disponible.
China continúa siendo estratégica pese a las restricciones de Estados Unidos
La decisión también demuestra que los grandes fabricantes surcoreanos no están abandonando sus fábricas chinas.
Las restricciones estadounidenses sobre equipamiento avanzado para fabricar semiconductores han complicado durante los últimos años la modernización de instalaciones de SK hynix y Samsung en China. Los permisos y excepciones concedidos por Washington han permitido mantener determinadas operaciones y actualizaciones, pero las compañías tienen que diseñar sus inversiones teniendo presente qué maquinaria pueden introducir.
Dalian es demasiado importante para dejarla estancada.
Una fábrica de semiconductores necesita inversiones constantes para continuar siendo competitiva. Si permanece durante años utilizando procesos antiguos, el coste por bit termina siendo superior al de instalaciones capaces de fabricar NAND con mayor número de capas.
SK hynix parece haber encontrado un papel concreto para la planta: mantener y ampliar una plataforma NAND orientada especialmente al almacenamiento empresarial de alta densidad, mientras reserva otras instalaciones para sus tecnologías más recientes.
La compañía está realizando en paralelo inversiones enormes dentro de Corea del Sur.
Además de Yongin, SK hynix aprobó 19,1 billones de wones para construir M17 en Cheongju, una nueva fábrica que producirá NAND Flash. Las obras comenzarán previsiblemente en febrero de 2027 y la primera sala blanca debería estar terminada en diciembre de 2028.
Dalian puede, por tanto, aportar capacidad bastante antes.
Más producción NAND no significa automáticamente SSD más baratos
Para consumidores y empresas la pregunta evidente es si añadir decenas de miles de obleas mensuales terminará reduciendo los precios de los SSD.
Podría contribuir, pero no existe una relación inmediata entre esta ampliación y una caída de precios en 2027.
Primero, la capacidad no estará plenamente disponible hasta que las nuevas líneas entren en producción y alcancen buenos niveles de rendimiento. Segundo, una parte importante de esos chips puede destinarse directamente a SSD empresariales de Solidigm en lugar de terminar en unidades para ordenadores personales.
Y tercero, la demanda está creciendo al mismo tiempo.
Los fabricantes de memoria redujeron inversiones después del fuerte exceso de inventario registrado entre 2022 y 2023. Ahora el mercado se encuentra en la situación contraria: los centros de datos están absorbiendo cantidades crecientes de DRAM, HBM y NAND.
SK hynix espera que esa tendencia continúe. Omdia estima que la demanda combinada de DRAM y NAND podría crecer alrededor de un 19 % anual hasta 2030, una previsión que está detrás de las enormes inversiones anunciadas por los fabricantes de memoria.
Por eso la ampliación de Dalian debe interpretarse más como una respuesta a una demanda estructural creciente que como el regreso inmediato a una situación de exceso de NAND.
La diferencia respecto a la primera oleada de la IA es que el gasto empieza a extenderse por toda la infraestructura. Primero fueron las GPU y HBM. Después llegaron las redes de 400 y 800 GbE, la refrigeración líquida y nuevas fuentes de alimentación. El almacenamiento está entrando ahora en la misma dinámica.
SK hynix parece querer cubrir ambos extremos: HBM y DRAM avanzada desde Corea del Sur y más NAND de alta densidad desde instalaciones como Dalian.
Si la segunda planta alcanza finalmente las 50.000 obleas mensuales previstas, Solidigm dispondrá de bastante más silicio para fabricar los SSD empresariales que necesitan los nuevos clústeres de IA. El efecto sobre los precios del almacenamiento convencional dependerá de cuánto crezca simultáneamente esa demanda.
Preguntas frecuentes
¿Cuánto aumentará SK hynix la producción NAND en China?
Dalian Plant 2 tiene una capacidad prevista de entre 30.000 y 50.000 obleas mensuales. Si alcanza el nivel superior, el complejo podría pasar aproximadamente de 100.000 a 150.000 obleas mensuales, alrededor de un 50 % más.
¿Cuándo empezará a producir la nueva fábrica de Dalian?
La instalación de equipamiento está prevista durante la segunda mitad de 2026 y la producción debería comenzar progresivamente durante la primera mitad de 2027.
¿Para qué se utilizará esta memoria NAND?
La capacidad está vinculada a Solidigm, filial de SK hynix especializada especialmente en almacenamiento empresarial. Una de sus áreas de crecimiento son los SSD QLC de alta capacidad destinados a centros de datos, cloud e infraestructuras de inteligencia artificial.
¿Significa esta ampliación que bajarán los precios de los SSD?
No necesariamente. Añadir capacidad puede aliviar las restricciones de oferta, pero la demanda de NAND para servidores y centros de datos también está creciendo. Además, buena parte de la producción de Dalian está orientada al mercado empresarial.
