SK hynix ha empezado a hablar con sus proveedores de materiales, componentes y equipos para preparar la fabricación en serie de iHBM, su tecnología para sacar el calor de la memoria HBM desde la propia base del chip. Lo publicó el 21/10/2026 el diario surcoreano ETNews, que cita a fuentes de la cadena de suministro. Según el medio, las conversaciones ya tratan la aplicación en producto y los planes de producción, y el objetivo de la compañía es estrenar la tecnología con HBM5.
Las claves de iHBM de SK hynix en 20 segundos
- SK hynix negocia con proveedores la producción de iHBM, según ETNews.
- iHBM integra elementos de refrigeración en la base del apilado HBM.
- La compañía asegura que reduce la resistencia térmica más de un 30 %.
- Se fabrica con el proceso Advanced MR-MUF que ya usa en HBM.
- Llegaría con HBM5, que SK hynix sitúa en 2029.
SK hynix presentó iHBM el 26/05/2026. La noticia de ahora es otra: que la empresa estaría pasando del anuncio a preparar su industrialización. Un responsable de un proveedor citado por ETNews afirma que la compañía está explorando la colaboración con la cadena de suministro para aplicar iHBM en sus procesos reales y comercializarlo, y que todo apunta a que ha empezado a estudiar su viabilidad en producción. SK hynix no ha hecho declaraciones públicas sobre estas conversaciones.
Dónde se calienta la HBM y qué cambia iHBM
Una memoria HBM (High Bandwidth Memory, memoria de gran ancho de banda) es una pila de chips de DRAM colocada sobre un chip base, el base die, que se comunica con la GPU o el acelerador de IA en el mismo encapsulado. Según SK hynix, el punto donde más se concentra el calor es la interfaz física entre chips (D2D PHY, de die-to-die physical layer), la zona del chip base que conecta con el procesador a gran velocidad. Hasta ahora, ese calor tiene que salir de forma indirecta, atravesando los chips de memoria apilados encima.
iHBM añade en esa zona lo que la compañía llama ICE (integrated cooling elements, elementos de refrigeración integrados). Son estructuras de silicio que conducen el calor pero no la electricidad y que crean una vía propia para evacuarlo dentro del encapsulado. SK hynix asegura que el diseño reduce la resistencia térmica más de un 30 % frente a los diseños actuales y que permite un funcionamiento estable con temperaturas y cargas altas. Es una cifra de la propia empresa, sin datos independientes publicados todavía.
El problema va a más. Cada generación de HBM apila más capas y trabaja a más velocidad, y las GPU para centros de datos consumen cada vez más energía. Más calor en la memoria puede traducirse en peor eficiencia energética, pérdida de rendimiento, errores y una vida útil más corta, según recoge ETNews.
Una cadena de suministro conocida
Uno de los argumentos de SK hynix es que iHBM no obliga a empezar de cero. La tecnología se fabrica con un proceso de encapsulado a nivel de oblea (WLP, wafer level packaging) basado en Advanced MR-MUF, el método con el que la compañía ya apila los chips de HBM y rellena los huecos entre ellos en un solo paso, y que define como validado en producción masiva. También está pensada para encajar en los encapsulados actuales de los clientes sin grandes cambios de diseño.
Por eso, los analistas citados por ETNews esperan que iHBM use una cadena de materiales, componentes y equipos parecida a la de la HBM actual. El diario añade que SK hynix estudia ampliar su lista de proveedores, además de trabajar con los habituales, para mejorar el rendimiento y la productividad de la nueva tecnología, aunque no da nombres.
HBM5 y la carrera por enfriar la memoria
SK hynix quiere aplicar iHBM a partir de HBM5. ETNews sitúa esa generación en 2029 según los planes de la compañía, que está validando HBM5 con el encapsulado avanzado CoWoS de TSMC, algo que ya se contó en Revista Cloud al informar de que SK hynix valida HBM5 con TSMC. Faltan, por tanto, varios años para ver iHBM en productos comerciales, y el calendario puede cambiar.
La compañía no está sola. Samsung mostró en mayo, en COMPUTEX, una maqueta de HBM5 con su propia solución, llamada HPB (Heat Path Block), que también busca abrir una vía térmica adicional en la zona D2D PHY del chip base. En Revista Cloud se explicó cómo Samsung prepara una nueva vía de refrigeración para HBM. Micron, por su parte, ha puesto el acento en una HBM de bajo consumo y en técnicas de refrigeración a través de los TSV (las conexiones verticales que atraviesan los chips), según la prensa surcoreana y TrendForce.
Un responsable del sector citado por ETNews resume el contexto: los competidores están recortando distancias con mejoras técnicas y más capacidad de producción, y SK hynix intenta diferenciarse para mantener su ventaja en la próxima generación. Cuando la presentó en mayo, Lee Kang-wook, vicepresidente sénior y responsable de desarrollo de encapsulado de SK hynix, defendió que iHBM combina la experiencia de la compañía en diseño de memoria y en encapsulado avanzado.
Preguntas frecuentes
¿Qué es iHBM de SK hynix?
Es una tecnología de memoria HBM que integra elementos de refrigeración (ICE) en la zona de interconexión del chip base, donde se concentra el calor, para crear una vía directa por la que evacuarlo.
¿Cuánto reduce la temperatura iHBM?
SK hynix no da cifras de temperatura. Asegura que reduce la resistencia térmica más de un 30 % frente a los diseños actuales; es un dato de la propia compañía.
¿Cuándo llegará iHBM?
SK hynix quiere aplicarla a partir de HBM5, generación que ETNews sitúa en 2029 según los planes de la compañía. Ahora estaría preparando con sus proveedores la producción en serie.
¿En qué se diferencia de la solución de Samsung?
Las dos atacan el calor de la zona D2D PHY del chip base. SK hynix usa elementos de silicio integrados con su proceso MR-MUF; Samsung ha presentado un bloque de vía térmica llamado HPB.
Fuentes:
