La carrera por la memoria se está trasladando del laboratorio al hormigón. Samsung Electronics y SK Hynix, los dos grandes fabricantes surcoreanos de chips de memoria, han acelerado sus planes de construcción de nuevas fábricas ante una escasez que amenaza con prolongarse por la demanda de infraestructura de inteligencia artificial. Ya no se trata solo de producir más HBM o más DRAM para servidores: también hay que levantar antes las plantas que permitirán fabricar esa memoria durante los próximos años.
La presión es fácil de entender. Los centros de datos de IA consumen enormes cantidades de memoria de alto rendimiento, desde HBM para GPU hasta DRAM de alta capacidad y SSD empresariales. TrendForce prevé que los precios contractuales de la DRAM convencional suban entre un 58 % y un 63 % intertrimestral en el segundo trimestre de 2026, mientras que los de la NAND Flash podrían aumentar entre un 70 % y un 75 %. La consultora atribuye esta subida a la reasignación de capacidad hacia servidores de IA, HBM y SSD empresariales, en detrimento de productos de menor margen.
Una carrera por construir antes
Samsung está acelerando su campus de Pyeongtaek, uno de los complejos de semiconductores más importantes del mundo. Según la información del sector, la compañía trabaja para acortar de forma drástica el calendario de P5 Fab 1, cuya construcción se reanudó a plena escala en noviembre y cuya finalización estaba prevista inicialmente para la segunda mitad de 2028. Si la compresión de plazos sale adelante, la línea podría estar lista en 2027.
La presión también alcanza a P5 Fab 2, que estaría prevista para iniciar obras en julio. La idea es que las dos fases avancen en paralelo, algo poco habitual por la complejidad de una fab de semiconductores. Este tipo de instalación exige cimentación profunda, estructuras metálicas, salas limpias, sistemas de gases, agua ultrapura, electricidad, refrigeración, control de vibraciones y una coordinación extrema entre ingeniería civil y equipamiento industrial.
SK Hynix no se queda atrás. La compañía está acelerando el desarrollo de su clúster de Yongin, una pieza central de su estrategia para consolidar su liderazgo en memoria avanzada. La empresa aprobó una inversión adicional de 21,6 billones de wones, unos 15.000 millones de dólares, para completar la primera fab del complejo, que contará con dos estructuras principales y seis salas limpias. El primer cleanroom se ha adelantado de mayo de 2027 a febrero de 2027, según la propia compañía y medios económicos surcoreanos.
| Proyecto | Empresa | Situación prevista |
|---|---|---|
| P5 Fab 1, Pyeongtaek | Samsung Electronics | Construcción acelerada; posible adelanto hacia 2027 según fuentes del sector |
| P5 Fab 2, Pyeongtaek | Samsung Electronics | Inicio de obras previsto en julio, con avance en paralelo al P5 Fab 1 |
| Yongin Fab 1 | SK Hynix | Dos estructuras y seis cleanrooms; primera sala limpia adelantada a febrero de 2027 |
| Yongin Fab 2 | SK Hynix | Planificación preliminar ya en marcha, según fuentes de obra citadas por el sector |
| M15X, Cheongju | SK Hynix | Orientada a reforzar capacidad de HBM y memoria avanzada |
La diferencia frente a ciclos anteriores es que esta vez el cuello de botella no se resuelve rápido. Levantar una fab no equivale a encender una línea de producción al día siguiente. Tras la construcción llegan instalación de equipos, cualificación, ramp-up, rendimiento de fabricación y acuerdos de suministro. Incluso cuando Samsung y SK Hynix corren, el mercado puede seguir tensionado durante 2026 y 2027.
Materiales, contratistas y cuellos de botella
La velocidad de construcción está creando una competencia menos visible: la de los materiales y proveedores especializados. En una fab, cada semana cuenta, y ciertos componentes estructurales pueden condicionar el calendario completo. La información sectorial apunta a tensiones en productos como vigas prefabricadas de hormigón y estructuras metálicas, con proveedores que trabajan para varios proyectos al mismo tiempo.
Uno de los nombres citados en este contexto es Sencore Tech, fabricante especializado en estructuras de acero y soluciones constructivas que permiten acortar determinados procesos. Según fuentes del sector, Samsung estaría aplicando vigas PC de Sencore Tech en un edificio complejo entre P5 Fab 1 y P5 Fab 2, mientras que SK Hynix tendría acuerdos de suministro prioritario con el mismo proveedor. Si esos reportes se confirman, la carrera por las fabs no solo se estaría jugando entre fabricantes de memoria, sino también entre sus cadenas de suministro de obra.
Este detalle es importante porque la industria de semiconductores suele analizarse desde el lado de los chips, las litografías o los contratos con NVIDIA. Pero antes de que una línea produzca HBM o DRAM, alguien tiene que construir el edificio, instalar las salas limpias y asegurar miles de elementos industriales. La escasez puede aparecer en obleas, equipos de litografía, empaquetado avanzado, gases, energía o, simplemente, en materiales de construcción capaces de cumplir las especificaciones de una fábrica de chips.
La urgencia también se refleja en los resultados. Samsung comunicó en el primer trimestre de 2026 un fuerte crecimiento en su negocio de semiconductores, con la división DS apoyada por la demanda de memoria para IA y por subidas de precios en un entorno de oferta limitada. La compañía indicó que su negocio de memoria superó su récord trimestral de ventas gracias a productos de alto valor añadido vinculados a IA.
SK Hynix vive un momento similar. La compañía se ha beneficiado de su posición en HBM, especialmente por la demanda de aceleradores de IA. La inversión en Yongin busca asegurar capacidad futura en un mercado donde los grandes clientes quieren compromisos plurianuales y suministro fiable, no solo mejores precios puntuales.
Por qué la IA ha cambiado el ciclo de la memoria
La memoria siempre ha sido un mercado cíclico. Durante décadas, los fabricantes alternaban periodos de escasez y precios altos con fases de exceso de capacidad y márgenes deprimidos. La IA está alterando esa dinámica porque la demanda no viene solo de PC, móviles o servidores tradicionales, sino de una nueva infraestructura que consume más memoria por sistema y exige productos más complejos.
La HBM es el ejemplo más claro. Cada GPU de gama alta para IA necesita pilas de memoria de gran ancho de banda, fabricadas con procesos avanzados y empaquetado complejo. A medida que NVIDIA, AMD y otros proveedores aumentan la potencia de sus aceleradores, también crece la presión sobre HBM3E, HBM4 y generaciones posteriores. Pero el efecto se extiende a otras categorías: servidores de IA requieren DRAM de alta capacidad, almacenamiento rápido, SSD empresariales y NAND orientada a centros de datos.
| Segmento de memoria | Qué está pasando |
|---|---|
| HBM | Demanda impulsada por GPU y aceleradores de IA; capacidad limitada por fabricación y empaquetado |
| DRAM de servidor | Más demanda por entrenamiento, inferencia, bases de datos y cargas de IA empresarial |
| NAND empresarial | Reasignación de capacidad hacia SSD para centros de datos y almacenamiento de alto rendimiento |
| Memoria de consumo | Más presión en precios al desplazarse capacidad hacia productos de mayor margen |
| DDR4 y generaciones antiguas | Oferta ajustada por reducción de producción y migración a nodos más rentables |
Para los clientes, esto significa precios más altos y más incertidumbre. Los hiperescalares pueden asegurar suministro mediante contratos a largo plazo, pero fabricantes de módulos, integradores, marcas de PC, distribuidores y consumidores finales tienen menos margen de maniobra. En los últimos meses se han multiplicado las señales de tensión en inventarios, precios spot y financiación de compras de chips por parte de intermediarios.
Para Samsung y SK Hynix, el incentivo es evidente. Cada mes de capacidad adicional puede traducirse en ingresos elevados si la demanda continúa por encima de la oferta. La cuestión es quién llega antes y con qué tecnología. En HBM, SK Hynix ha logrado una posición muy fuerte. Samsung intenta cerrar la brecha y aprovechar su escala industrial. La ampliación de Pyeongtaek y el impulso de Yongin forman parte de esa misma batalla.
El riesgo está en sobrerreaccionar. Si todos los fabricantes aceleran al mismo tiempo y la demanda se normaliza más adelante, la industria podría volver a un escenario de exceso de capacidad. Pero hoy el mercado parece más preocupado por lo contrario: que la oferta no llegue a tiempo para sostener el crecimiento de la IA, los centros de datos y la inferencia a gran escala.
Esta carrera también tendrá consecuencias para Europa y el resto del mundo. La memoria es un componente básico para servidores, cloud, IA, ordenadores, móviles, automoción y electrónica industrial. Si los precios siguen subiendo, el coste de construir centros de datos de IA también aumentará. Y si la capacidad se concentra en clientes de mayor margen, otros sectores podrían sufrir retrasos o encarecimientos.
La pelea entre Samsung y SK Hynix muestra hasta qué punto la infraestructura física sigue siendo decisiva en la economía digital. La IA puede parecer software, modelos y datos, pero depende de fábricas que tardan años en levantarse, materiales que pueden escasear y cadenas de suministro donde un retraso de obra puede condicionar miles de millones en ventas futuras.
Preguntas frecuentes
¿Por qué Samsung y SK Hynix están acelerando sus fábricas?
Porque la demanda de memoria para inteligencia artificial, centros de datos y servidores está creciendo más rápido que la capacidad disponible. Adelantar una fab puede dar ventaja en suministro y rentabilidad.
¿Qué fábricas están en el centro de la carrera?
Samsung está acelerando su campus de Pyeongtaek, especialmente P5 Fab 1 y P5 Fab 2. SK Hynix está impulsando su clúster de Yongin, donde la primera sala limpia se ha adelantado a febrero de 2027.
¿Por qué suben tanto los precios de DRAM y NAND?
La capacidad se está reasignando hacia productos de mayor margen vinculados a IA, como HBM, DRAM de servidor y SSD empresariales. TrendForce prevé subidas del 58-63 % en DRAM convencional y del 70-75 % en NAND Flash en el segundo trimestre de 2026.
¿Cuándo se notará la nueva capacidad?
Aunque se aceleren las obras, una fábrica de semiconductores necesita construcción, equipamiento, pruebas y ramp-up. Por eso la escasez podría seguir durante 2026 y parte de 2027, incluso con inversiones en marcha.