Samsung Electronics habría decidido revisar y aplazar sin nueva fecha su plan inicial de producción del D1d DRAM, la séptima generación de memoria DRAM de clase 10 nm, después de que los rendimientos no alcanzaran los objetivos internos y de que la rentabilidad esperada no justificara arrancar la producción en las condiciones actuales. La información parte de un artículo de IT Chosun publicado este 22 de abril y, por ahora, no ha sido confirmada oficialmente por Samsung, por lo que debe leerse como un movimiento reportado por fuentes internas y no como un anuncio corporativo formal.

Si ese giro se confirma, el impacto iría más allá de un simple ajuste fabril. El D1d aparece en el informe coreano como una pieza crítica para la futura hoja de ruta de HBM5E, un producto que no forma parte de la oferta inmediata de 2026, pero sí de la siguiente gran fase de la memoria de alto ancho de banda para aceleradores de Inteligencia Artificial. En otras palabras, el problema no estaría tanto en el presente más inmediato de Samsung, sino en el punto en que debería sostener su siguiente salto tecnológico frente a SK hynix y Micron.

El contexto ayuda a entender por qué el asunto importa. Samsung anunció en febrero que ya había comenzado a enviar su HBM4 comercial a clientes y que esperaba iniciar el muestreo de HBM4E en la segunda mitad de 2026. Además, en GTC 2026 exhibió públicamente HBM4E como parte de su ofensiva para infraestructuras de IA. Eso significa que la compañía mantiene viva su hoja de ruta a corto plazo, al menos en las generaciones más próximas, pero el presunto frenazo del D1d sugiere que el verdadero cuello de botella podría estar un escalón más arriba, en la siguiente iteración avanzada del roadmap.

Samsung, de hecho, había trasladado en marzo un mensaje mucho más optimista sobre su evolución en HBM. En Reuters y en otros medios coreanos, directivos de la compañía afirmaron que estaban acelerando la producción y que no veían problemas significativos en el suministro de memoria para IA, mientras buscaban además contratos plurianuales con grandes clientes para reducir la volatilidad de la demanda. Esa narrativa encaja con una empresa que quiere reposicionarse con fuerza en el mercado HBM, pero el reportaje de IT Chosun introduce una grieta importante: una cosa es acelerar el desarrollo y otra muy distinta convertir esa tecnología en producción rentable y estable.

El problema no es diseñar la memoria, sino fabricarla con rendimiento suficiente

En semiconductores, una nueva generación no se gana solo en el laboratorio. Se gana cuando el proceso ofrece un rendimiento lo bastante alto como para sostener volumen, calidad y margen. IT Chosun asegura que la dirección de Samsung revisó recientemente el estado del D1d y concluyó que, con los niveles actuales de rendimiento y retorno esperado, la producción no era adecuada. El artículo añade que la complejidad del proceso se ha disparado y que la compañía ha preferido no forzar la línea si eso compromete calidad o empeora el ROI.

Ese tipo de decisión encaja bastante con la lógica industrial del negocio de memoria. Una mejora o caída de apenas unos puntos en rendimiento puede traducirse en miles de millones de wones en resultados. Por eso, aunque desde fuera pueda parecer un simple retraso técnico, en realidad se trata de una decisión de asignación de capital y de disciplina fabril. Arrancar una producción avanzada demasiado pronto puede ayudar a sostener el discurso tecnológico, pero también puede erosionar márgenes y capacidad de ejecución si el proceso no está maduro.

El mercado HBM no deja mucho margen para errores. Reuters informó el mes pasado de que SK hynix controla alrededor del 57 % del mercado HBM, frente al 22 % de Samsung, una brecha que explica la presión interna que existe sobre cada salto de proceso. En paralelo, Samsung ha firmado acuerdos relevantes para suministrar memoria avanzada a plataformas de IA, como el memorando con AMD para futuras soluciones Instinct y EPYC, lo que refuerza la necesidad de que su hoja de ruta se mantenga creíble no solo en presentaciones, sino también en ejecución industrial.

El frenazo del D1d no tumba HBM4, pero sí complica el siguiente tramo

Lo importante aquí es no mezclar calendarios. El informe de IT Chosun no cuestiona que Samsung siga empujando HBM4 o que quiera muestrear HBM4E este mismo año. De hecho, su propia comunicación pública mantiene intacta esa secuencia: HBM4 ya está en producción comercial y HBM4E sigue previsto para muestras en la segunda mitad de 2026. El golpe potencial estaría más adelante, en una generación para la que el D1d sería necesario según el reportaje coreano. Eso dejaría a salvo el corto plazo, pero tensionaría el medio plazo de su estrategia en IA.

Además, Samsung había explicado en su blog técnico tras GTC 2026 que HBM5 planea usar un core die fabricado en 1c DRAM y un base die en proceso de 2 nm, mientras seguía enseñando HBM4E como uno de sus productos estrella para la nueva ola de IA. Esa hoja de ruta oficial muestra que la compañía aún tiene margen para defender sus próximas generaciones inmediatas sin depender todavía del D1d en todos los escalones. Precisamente por eso el retraso reportado resulta tan significativo: indica que el problema no está en la generación que ya se comercializa, sino en la que debería sostener la continuidad del liderazgo más adelante.

También hay otra lectura posible. Samsung lleva meses intentando acelerar su ciclo de desarrollo de HBM para acompasarlo con el ritmo de los grandes aceleradores de IA. Sin embargo, el desarrollo y la producción no son lo mismo. La compañía puede acortar tiempos de diseño, ampliar instalaciones o enseñar prototipos en ferias, pero si el nodo de memoria que debe soportar una generación posterior no alcanza los umbrales de rendimiento y rentabilidad, el calendario real se mueve. Eso es exactamente lo que sugiere el reportaje coreano.

Una señal incómoda en plena carrera por la memoria de IA

El mensaje de fondo es incómodo para Samsung porque llega en un momento de fortaleza financiera de su negocio de memoria. Reuters informó a principios de abril de que la compañía se encaminaba hacia beneficios trimestrales récord impulsados por el boom de la IA y la subida de precios de DRAM. Esa mejora da oxígeno, pero también eleva la exigencia: cuando el mercado está premiando la memoria avanzada, cualquier señal de atasco en la siguiente generación se interpreta como una alerta competitiva.

Por ahora, por tanto, la fotografía correcta no es la de un colapso del roadmap de Samsung, sino la de una posible revisión seria de una pieza clave de su siguiente etapa. HBM4 sigue en marcha, HBM4E continúa en el radar de 2026 y Samsung mantiene acuerdos y despliegues que la sostienen en la carrera de la IA. Pero si el D1d necesita más tiempo, la batalla de verdad se desplazará al terreno que más duele en esta industria: quién llega antes a volumen rentable, con calidad estable y con una oferta suficientemente madura para no perder la siguiente gran ola de contratos.

Preguntas frecuentes

¿Ha confirmado Samsung oficialmente el retraso del D1d DRAM?
No. La información procede de un reportaje de IT Chosun basado en fuentes internas. Samsung no ha publicado, por ahora, un anuncio oficial confirmando ese aplazamiento indefinido.

¿Afecta esto al HBM4 que Samsung ya está enviando a clientes?
No directamente. Samsung anunció en febrero que ya había comenzado a enviar HBM4 a clientes y mantiene que el muestreo de HBM4E sigue previsto para la segunda mitad de 2026.

¿Por qué es tan importante el D1d en la estrategia de Samsung?
Porque, según IT Chosun, esa generación de DRAM es una pieza clave para futuras soluciones HBM5E. Si el proceso no alcanza rendimiento suficiente, puede tensionar la parte más avanzada del roadmap de memoria para IA.

¿Cuál es la posición actual de Samsung frente a SK hynix en HBM?
Reuters informó en marzo de que SK hynix tenía alrededor del 57 % del mercado HBM y Samsung cerca del 22 %, lo que explica la presión competitiva sobre cada nueva generación de memoria avanzada.

vía: it.chosun