Samsung Electronics está moviendo una parte decisiva de su capacidad de memoria de alto ancho de banda hacia HBM4, la generación que marcará el próximo ciclo de aceleradores de inteligencia artificial. Según fuentes del sector citadas en Corea del Sur, la compañía habría asignado ya cerca de la mitad de su capacidad mensual de obleas HBM DRAM a HBM4, una decisión que confirma que Samsung no quiere limitarse a corregir el retraso sufrido en HBM3E, sino intentar recuperar cuota en la siguiente ola tecnológica.
El movimiento llega en un momento clave. La HBM se ha convertido en uno de los componentes más estratégicos de la infraestructura de IA. No basta con tener GPUs o aceleradores cada vez más potentes; esos chips necesitan memoria capaz de mover datos a enorme velocidad y con eficiencia energética. En la práctica, HBM ha pasado de ser una memoria especializada a convertirse en uno de los grandes cuellos de botella de la inteligencia artificial.
La mitad de la capacidad HBM, orientada a HBM4
La información publicada por medios coreanos apunta a que Samsung ha destinado unas 75.000 obleas mensuales, de una capacidad total estimada de 150.000 obleas HBM DRAM al mes, a la producción de HBM4. La otra mitad se mantiene para HBM3E de 12 capas, mientras que la producción de HBM3E de 8 capas, con demanda más débil, habría sido pausada temporalmente para redirigir recursos hacia HBM4.
La decisión tiene lógica industrial. HBM3E sigue siendo necesaria para cubrir demanda actual, pero HBM4 es la memoria asociada a la próxima generación de aceleradores de IA. Para Samsung, que no consiguió capturar el mismo volumen que SK hynix en HBM3E, resulta más atractivo concentrar esfuerzos en la generación siguiente que seguir compitiendo desde atrás en un producto donde el mercado ya está muy definido.
Samsung anunció en febrero el envío comercial de HBM4 y ha subrayado que espera que sus ventas de HBM se multipliquen por más de tres en 2026 frente a 2025. También ha comenzado a mostrar HBM4E, la evolución posterior, con muestras de 12 capas y velocidades de hasta 16 Gbps por pin, pensada para cargas de IA aún más exigentes.
| Elemento | Situación de Samsung |
|---|---|
| Capacidad mensual HBM DRAM estimada | 150.000 obleas |
| Capacidad asignada a HBM4 | 75.000 obleas |
| Capacidad restante | HBM3E de 12 capas |
| HBM3E de 8 capas | Producción pausada temporalmente, según medios coreanos |
| Primeros envíos comerciales HBM4 | Febrero de 2026 |
| Objetivo comercial | Recuperar cuota en HBM y reforzar presencia en IA |
| Próximo paso | HBM4E y custom HBM para nuevos aceleradores |
Este giro no significa que Samsung abandone HBM3E. Significa que está priorizando donde cree que puede cambiar la dinámica competitiva. En HBM3E, SK hynix logró una ventaja clara por certificación, volumen y relación con clientes clave. En HBM4, Samsung quiere entrar antes, con más capacidad y con una propuesta más amplia que incluye memoria, foundry y empaquetado avanzado.
Por qué HBM4 cambia la competición
HBM4 no es solo una mejora incremental de ancho de banda. Supone un cambio en la forma en la que los fabricantes de memoria se integran con los diseñadores de aceleradores. A medida que los chips de IA se vuelven más grandes, más personalizados y más dependientes de la memoria, la relación entre el proveedor de HBM y el cliente deja de ser puramente transaccional.
El base die, la integración con el acelerador, el empaquetado y la adaptación a diseños específicos ganan peso. Esto puede favorecer a Samsung porque es una de las pocas compañías que combina memoria, capacidad de foundry y empaquetado avanzado dentro del mismo grupo. Esa integración no garantiza ganar cuota, pero sí le da argumentos frente a clientes que quieren soluciones más ajustadas a sus propios chips.
La expansión de los ASIC de IA refuerza esta lectura. Google, Amazon, Microsoft y otros grandes proveedores cloud están desarrollando sus propios aceleradores para reducir dependencia de GPUs estándar y ajustar coste, rendimiento y eficiencia energética a sus cargas internas. Estos chips también necesitan HBM, y no siempre tendrán los mismos requisitos que una GPU de NVIDIA. Ahí se abre una ventana para proveedores capaces de personalizar memoria y empaquetado.
Para Samsung, la oportunidad es doble. Puede vender HBM4 a los grandes clientes de aceleradores, pero también puede ofrecer una combinación de capacidades industriales difícil de replicar: fabricación de memoria, procesos lógicos, interposer, packaging y soporte para diseños personalizados. En un mercado que se mueve hacia arquitecturas más específicas, esa combinación puede ser valiosa.
SK hynix sigue teniendo ventaja, pero Samsung quiere cambiar el ciclo
SK hynix llega a esta transición desde una posición de fuerza. Su apuesta temprana por HBM le permitió convertirse en proveedor principal de memoria para aceleradores de IA y ganar un protagonismo bursátil que incluso le ha llevado a superar a Samsung como la compañía cotizada más valiosa de Corea del Sur. Su ventaja en HBM3E le da ingresos, clientes y margen para cambiar gradualmente hacia HBM4 sin tener que forzar tanto el calendario.
Samsung, en cambio, tiene más urgencia. Después de quedar por detrás en parte del ciclo HBM3E, necesita demostrar que puede cumplir en HBM4 con calidad, volumen y tiempos. La asignación de capacidad muestra una apuesta fuerte: si la demanda de HBM4 crece como se espera, la compañía podrá recuperar terreno; si el ramp-up encuentra problemas técnicos, el riesgo de oportunidad será elevado.
| Compañía | Punto fuerte actual | Reto principal |
| SK hynix | Liderazgo en HBM3E y relación sólida con clientes de IA | Mantener ventaja en HBM4 sin perder demanda actual |
| Samsung | Capacidad industrial integrada en memoria, foundry y packaging | Recuperar confianza tras retrasos en HBM3E |
| Micron | Avances en HBM y presencia fuerte en clientes estadounidenses | Escalar capacidad frente a rivales coreanos |
| Grandes clouds | Diseño de ASIC propios y demanda creciente de HBM | Asegurar suministro y reducir dependencia de pocos proveedores |
Las previsiones de mercado apuntan a una competición más ajustada. Estimaciones citadas por medios especializados señalan que la cuota de Samsung en HBM podría subir con fuerza este año, mientras SK hynix cedería parte de su dominio relativo. Algunas proyecciones incluso plantean que Samsung podría disputar el liderazgo en 2027 si HBM4 se convierte en la generación de inflexión.
Aun así, la cuota no se gana solo con capacidad. En HBM, los clientes validan producto, rendimiento, consumo, fiabilidad, empaquetado y suministro. Los retrasos en certificación pueden costar meses y miles de millones en pedidos. Samsung lo sabe bien por HBM3E.
La IA convierte la memoria en infraestructura crítica
La importancia de esta batalla va más allá de Corea del Sur. La cadena de IA depende de varios recursos escasos: GPUs o ASIC, memoria HBM, empaquetado avanzado, red de alta velocidad, energía y capacidad de centro de datos. Si falla uno de esos eslabones, el despliegue de modelos y agentes se encarece o se retrasa.
La memoria HBM es especialmente sensible porque no se puede sustituir fácilmente por DRAM convencional. Los aceleradores de IA necesitan mover enormes volúmenes de datos entre memoria y unidades de cómputo. Cuanto más grandes son los modelos y más intensivas las cargas de inferencia y entrenamiento, más presión aparece sobre el ancho de banda y la eficiencia de la memoria.
Por eso los fabricantes están realineando inversión, obleas y capacidad hacia HBM. El problema es que ampliar producción no es inmediato. Requiere obleas, procesos DRAM avanzados, TSV, apilado, yield, empaquetado, pruebas y una coordinación estrecha con los clientes. El capital se compromete mucho antes de que el mercado confirme por completo la demanda final.
La apuesta de Samsung por HBM4 debe entenderse en ese contexto. No es solo una decisión de catálogo. Es una reasignación de capacidad hacia el segmento que mejores márgenes puede ofrecer en los próximos años y que más influencia tendrá en la infraestructura global de IA.
El nuevo frente: memoria para GPUs y para ASIC personalizados
Hasta ahora, buena parte de la conversación sobre HBM ha girado alrededor de NVIDIA. Tiene sentido: sus aceleradores han sido el centro del boom de la IA generativa. Pero el mercado empieza a diversificarse. Los hiperescalares quieren chips propios. Los laboratorios de IA buscan reducir coste por token. Los grandes clouds quieren controlar más capas del stack.
Esto puede cambiar el equilibrio entre proveedores de memoria. En un mundo dominado por un solo cliente principal, la certificación con ese cliente marca el mercado. En un mundo con más ASIC personalizados, aumenta la importancia de adaptarse a distintos diseños y necesidades de packaging. Samsung puede ver ahí una oportunidad para diferenciarse.
HBM4 llega precisamente cuando la IA pasa de la fase de crecimiento explosivo a una fase de industrialización. Ya no se trata solo de entrenar el modelo más grande. Se trata de servir inferencia a millones de usuarios, ejecutar agentes, alimentar centros de datos enteros y reducir consumo por operación. La memoria participa directamente en esa ecuación.
La pregunta es si Samsung podrá transformar capacidad asignada en cuota real. Tiene escala, tecnología y recursos. También tiene que demostrar ejecución. SK hynix no va a ceder liderazgo sin competir y Micron está ampliando su presencia en el segmento. La batalla de HBM4 será, probablemente, una de las más importantes de la industria de semiconductores en 2026 y 2027.
Samsung ha decidido no esperar. Al dedicar la mitad de su capacidad HBM a HBM4, está intentando que la próxima generación de memoria de IA no repita la historia de la anterior. La carrera ya no va solo de quién fabrica más memoria, sino de quién llega antes al nodo exacto donde se cruzan aceleradores, empaquetado y demanda real de inteligencia artificial.
Preguntas frecuentes
¿Qué es HBM4?
HBM4 es la nueva generación de memoria de alto ancho de banda pensada para aceleradores de IA, GPUs avanzadas y chips personalizados que necesitan mover grandes volúmenes de datos con baja latencia y alta eficiencia.
¿Por qué Samsung está asignando tanta capacidad a HBM4?
Porque quiere recuperar terreno en el mercado HBM tras quedar por detrás de SK hynix en HBM3E y porque HBM4 será clave para la próxima generación de aceleradores de IA.
¿Qué diferencia hay entre HBM3E y HBM4?
HBM4 ofrece mejoras de ancho de banda, eficiencia e integración con nuevos diseños de aceleradores. También aumenta la importancia del base die, el empaquetado y la personalización para cada cliente.
¿Puede Samsung superar a SK hynix en HBM?
Es posible si HBM4 se convierte en una oportunidad de reinicio competitivo y Samsung ejecuta bien en calidad, volumen y certificación. SK hynix, no obstante, sigue partiendo con una ventaja fuerte en clientes y cuota.
Samsung Electronics Allocates Half of HBM Capacity to HBM4
— Jukan (@jukan05) June 24, 2026
Samsung Electronics has been found to have assigned half of its high bandwidth memory (HBM) production capacity to its sixth generation HBM4. After becoming the first in the world to ship HBM4 this past February, the… pic.twitter.com/LxgnjEurCc