La compañía estadounidense acelera su hoja de ruta con nuevas tecnologías como RibbonFET 2 y PowerDirect, dejando atrás a la competencia en rendimiento, eficiencia y densidad.

El evento Direct Connect 2025 de Intel ha dejado claro que la empresa dirigida por Lip-Bu Tan está decidida a recuperar su posición de liderazgo en la industria de semiconductores. Con una hoja de ruta ambiciosa, tecnologías de vanguardia y alianzas estratégicas, Intel Foundry Services (IFS) se posiciona como una amenaza directa para TSMC, el actual gigante taiwanés de la fabricación de chips.

El gran protagonista del evento ha sido el nodo Intel 14A, una evolución crítica que incorpora por primera vez la litografía EUV High-NA, marcando un antes y un después en la carrera tecnológica del silicio. Según los datos revelados, Intel 14A y su versión extendida 14A-E prometen mejoras espectaculares que podrían colocar a Intel por delante de sus rivales a partir de 2027.

Un nuevo salto en eficiencia y densidad: Intel 14A y 14A-E

Basado en transistores RibbonFET de segunda generación (GAA Gen 2) y con el nuevo sistema de distribución eléctrica PowerVia 2.0, ahora denominado PowerDirect, el nodo Intel 14A apunta alto:

• Reducción del consumo de entre el 25 % y el 35 % a igual rendimiento.
• Incremento del rendimiento de entre el 15 % y el 20 % a igual consumo.
• Aumento de la densidad en un +30 % respecto a Intel 18A.

Estas cifras, facilitadas por el ejecutivo Naga Chandrasekaran, posicionan a Intel como pionero en el uso de EUV High-NA, una tecnología que TSMC no planea utilizar en sus nodos A14 o A14P a corto plazo. Esto podría suponer una brecha tecnológica considerable a partir de 2027, cuando Intel prevé lanzar productos finales con este nodo.

Además, Intel ofrecerá tres librerías y rangos de umbral de voltaje (Vt), adaptando sus nodos a un amplio abanico de aplicaciones, desde servidores hasta dispositivos móviles de gama alta.

Intel 18A-P y 18A-PT: más rendimiento sin comprometer densidad

Junto a sus nodos de nueva generación, Intel también presentó actualizaciones de su nodo 18A, que ya se encuentra en fase de producción en riesgo. Las variantes 18A-P y 18A-PT mejoran su eficiencia y rendimiento para clientes que requieren soluciones avanzadas en menor tiempo:

• 18A-P proporciona un +8 % de rendimiento por vatio frente a su versión original.
• 18A-PT, previsto para 2028, incorporará interconexiones 3D mediante Foveros Direct y tecnología TSV para apilar chips, todo ello con un paso (pitch) de 5 micrómetros.

Intel asegura que su nodo base, 18A, ya ofrecía un +15 % en rendimiento por vatio respecto a Intel 3 y una mejora del 30 % en densidad, lo que lo convierte en una opción atractiva para fabricantes de primer nivel como NVIDIA, Broadcom o AMD.

Roadmap ambicioso hasta 2028 y ofensiva geoestratégica

En total, Intel ha confirmado la disponibilidad de cuatro nodos avanzados con PDK (Kits de Desarrollo de Procesos) ya preparados:

• Intel 14A-E: para finales de 2027.
• Intel 18A-P: previsto para mediados de 2026.
• Intel 18A-PT: con TSV y capacidades 3D, en 2028.
• UMC 12: un nodo maduro en colaboración con UMC para competir contra la industria china en el rango de producción masiva de bajo coste.

Esta estrategia refleja la doble ambición de Intel: liderar en la vanguardia tecnológica frente a TSMC y competir en procesos maduros y rentables contra China, consolidando a IFS como una fundición global capaz de abarcar todo el espectro del mercado.

TSMC, a la zaga en EUV High-NA

Mientras Intel pisa el acelerador, TSMC parece haber subestimado el potencial de la litografía EUV High-NA, una tecnología que permite imprimir circuitos aún más finos y precisos, fundamentales para mantener la Ley de Moore. La falta de planes inmediatos por parte de la compañía taiwanesa para adoptar esta tecnología podría dejarla en desventaja en términos de densidad, rendimiento y consumo a partir de 2027.

Intel, por su parte, ha asegurado que en un plazo de tres años será capaz de lograr:

• Un +38 % más de rendimiento a igual consumo energético.
• Una mejora de eficiencia superior al +50 %.
• Un salto del +60 % en densidad de transistores.

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Conclusión: Intel ha pasado de ser vista como rezagada en el ámbito de los nodos avanzados a convertirse en una seria aspirante al liderazgo tecnológico. Si cumple su hoja de ruta y mantiene el ritmo de innovación, el nodo Intel 14A con EUV High-NA podría marcar el inicio de una nueva era en la microelectrónica, con impacto directo en centros de datos, inteligencia artificial, dispositivos móviles y más.

La batalla por el silicio está servida, y por primera vez en años, Intel tiene las armas y el momento a su favor.

Fuente: El chapuzas informático