China acaba de dar un golpe sobre la mesa en la carrera por la soberanía tecnológica en semiconductores. Durante la Conferencia de Innovación y Desarrollo de Circuitos Integrados 2025, celebrada en Wuxi (provincia de Jiangsu), se anunció el arranque del primer proyecto nacional capaz de producir resinas y fotoprotectores avanzados para litografía EUV. Este desarrollo, centrado en la tecnología MOR (Metal Oxide Resist, o fotorresistentes de óxidos metálicos), convierte a China en el primer país fuera de la órbita de ASML y sus socios en dominar una de las piezas más críticas del ecosistema de chips de 5 nanómetros y por debajo.
El contexto: litografía EUV, la frontera tecnológica
La litografía EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) es el proceso mediante el cual se graban los patrones más finos sobre obleas de silicio, permitiendo la fabricación de chips con transistores a escala de pocos nanómetros. Hasta ahora, esta tecnología estaba dominada casi en exclusiva por la neerlandesa ASML, que desarrolla las máquinas de exposición más avanzadas, y por un puñado de proveedores japoneses y estadounidenses especializados en materiales.
Si bien se suele destacar la máquina en sí —las EUV Twinscan de ASML—, lo cierto es que los fotorresistentes son igual de esenciales: sin ellos no es posible aprovechar la luz EUV de 13,5 nm de longitud de onda para imprimir estructuras con precisión a escala atómica.
El salto al MOR: más allá de los CAR tradicionales
Los fotorresistentes actuales para DUV (Deep Ultraviolet) se basan en compuestos CAR (Chemical Amplified Resist). Estos materiales, aunque eficaces, muestran limitaciones para la resolución que exige el salto a nodos de 5 nm, 3 nm o inferiores.
El nuevo desarrollo anunciado en Wuxi se centra en los MOR (Metal Oxide Resist), fotorresistentes a base de óxidos metálicos que ofrecen:
- Mayor resolución: reducen la distancia entre compuertas en los transistores.
- Menor tasa de defectos: reducen los errores de exposición.
- Mayor estabilidad: mejor respuesta a la luz EUV y a los procesos de grabado posteriores.
De este modo, China no solo busca autoabastecerse de un material estratégico, sino también ponerse a la altura de las soluciones más avanzadas a nivel mundial.
Dos proyectos estratégicos en Wuxi
Durante la conferencia, se presentaron dos líneas de innovación que marcan la hoja de ruta del país en materiales EUV:
- Línea piloto de fotorresistentes MOR EUV: el primer proyecto nacional con capacidad de controlar materias primas, formulación y aplicación de fotorresistentes de óxidos metálicos.
- Línea piloto de resinas EUV con síntesis en flujo continuo: proyecto único en China que aplica un proceso de polimerización estable mediante equipamiento avanzado de síntesis.
Ambos proyectos, integrados en la estrategia de autosuficiencia tecnológica de semiconductores, están diseñados para reducir la dependencia de importaciones y acelerar la capacidad de fabricación nacional en nodos punteros.
Impacto en memorias y lógica avanzada
La importancia de los nuevos fotorresistentes MOR va más allá de los chips lógicos de 5 nm y 3 nm. Su aplicación se espera también en la industria de las memorias:
- DRAM: ya comienza a adoptar EUV para reducir tamaño y mejorar rendimiento.
- NAND Flash: aunque aún no requiere EUV de forma masiva, será inevitable en futuras generaciones de alta densidad.
Este salto permitirá a los fabricantes chinos reducir la brecha tecnológica respecto a líderes como Samsung, SK Hynix o TSMC.
El reto geopolítico
El anuncio llega en un contexto de fuerte presión internacional. Estados Unidos y sus aliados han impuesto restricciones a la exportación de equipos EUV avanzados a China, con el objetivo de limitar sus avances en semiconductores de vanguardia.
El desarrollo propio de materiales como los fotorresistentes MOR supone un eslabón crítico para reducir esa dependencia, aunque los mayores desafíos siguen siendo las máquinas de exposición, un campo donde ASML mantiene una ventaja de al menos una década.
Aun así, analistas señalan que controlar materiales clave puede ofrecer a China un margen de maniobra, ya que la litografía no se limita a la máquina: cada capa de un chip requiere una cadena completa de procesos y consumibles altamente especializados.
Mirando hacia el futuro
El camino no será fácil. Dominar la producción industrial de fotorresistentes EUV MOR requiere:
- Garantizar estabilidad de procesos en volúmenes masivos.
- Alcanzar purezas extremas en los compuestos químicos.
- Coordinar con la cadena de valor global para certificar compatibilidad en foundries.
Sin embargo, el proyecto de Wuxi marca un antes y un después: por primera vez, China se posiciona en el campo de los materiales EUV de última generación, con una propuesta que aspira a competir con Japón y Estados Unidos.
Conclusión
La puesta en marcha del primer centro chino para desarrollar fotorresistentes MOR EUV representa un hito en la búsqueda de soberanía tecnológica. Aunque el país aún depende de la importación de equipos de litografía avanzados, la apuesta por dominar materiales críticos es un paso estratégico que puede redefinir su papel en la cadena global de semiconductores.
El futuro de la industria dependerá no solo de los avances en maquinaria, sino también de la capacidad de cada país para innovar en materiales químicos que permitan seguir reduciendo el tamaño de los transistores. En ese tablero, China acaba de mover ficha.
Preguntas frecuentes (FAQ)
¿Qué es un fotorresistente MOR?
Es un tipo de fotoprotector para litografía EUV basado en óxidos metálicos (Metal Oxide Resist). Permite mayor resolución y menor tasa de defectos en nodos de 5 nm y más avanzados, superando las limitaciones de los fotorresistentes CAR tradicionales.
¿Por qué es tan importante para China producir fotorresistentes EUV?
Porque los fotorresistentes son insumos críticos en la fabricación de chips de última generación. Hasta ahora dependían de proveedores extranjeros, principalmente japoneses y estadounidenses.
¿En qué industrias se aplicará esta tecnología?
Además de los chips lógicos de 5 nm o 3 nm, se utilizará en memorias DRAM y en futuras generaciones de NAND Flash de alta densidad.
¿Cómo afecta este avance al escenario geopolítico?
Refuerza la estrategia de autosuficiencia tecnológica de China frente a las restricciones de exportación impuestas por EE. UU. y la Unión Europea. Aunque aún está lejos de ASML en máquinas EUV, dominar materiales clave le da mayor autonomía.
vía: Mydrivers
