El auge de la inteligencia artificial no solo está tensionando el mercado de GPUs, memoria HBM o centros de datos. También está llevando al límite materiales mucho menos conocidos, pero imprescindibles para que esas infraestructuras puedan comunicarse a la velocidad que exige el entrenamiento y la inferencia de grandes modelos. Uno de ellos es el fosfuro de indio, conocido por sus siglas en inglés InP, un semiconductor compuesto utilizado en láseres y dispositivos ópticos de alta velocidad.
China está empezando a mover ficha en este mercado con una intensidad que recuerda a lo ocurrido en otros materiales estratégicos. Todavía no domina el segmento de sustratos de fosfuro de indio de alta calidad, y las barreras técnicas siguen siendo elevadas, pero la combinación de inversión industrial, controles de exportación y demanda disparada por los módulos ópticos para centros de datos ha convertido este material en una pieza mucho más sensible de la cadena de suministro tecnológica.
Por qué el fosfuro de indio importa para la IA
Los grandes clústeres de inteligencia artificial necesitan mover cantidades enormes de datos entre GPUs, servidores, racks y centros de datos. Esa comunicación ya no puede apoyarse solo en cobre. A medida que suben las velocidades de interconexión, los módulos ópticos de 800G, 1,6T y futuras generaciones ganan peso en la arquitectura física de la IA.

Ahí entra el fosfuro de indio. Los sustratos de InP son las obleas cristalinas sobre las que se fabrican chips láser usados en comunicaciones ópticas. Sin esos láseres, buena parte de la conectividad de alta velocidad que necesitan los centros de datos modernos sería mucho más difícil de escalar. Global Semi Research recoge una previsión atribuida a Goldman Sachs según la cual los envíos de módulos ópticos 800G superarían los 34 millones de unidades en 2026, mientras que los módulos 1,6T pasarían de los 25 millones. Son estimaciones de mercado, pero reflejan una tendencia clara: la red interna del centro de datos se ha convertido en una parte central del gasto en infraestructura de inteligencia artificial.
La relación entre módulos ópticos e InP no es lineal. Las soluciones basadas en EML (Electroabsorption Modulated Laser) suelen consumir más sustrato, porque requieren varios chips por módulo y superficies de dado relativamente grandes. La fotónica de silicio, por su parte, puede reducir el número de chips de InP por módulo al usar láseres de onda continua como fuente de luz externa, pero no elimina la dependencia del material.
El matiz técnico es importante. A medida que los láseres CW necesitan más potencia para arquitecturas como CPO (Co-Packaged Optics) y, más adelante, OIO (Optical I/O), el tamaño del chip aumenta y el rendimiento por oblea puede caer. Un láser de 70 o 100 mW permite sacar muchas más unidades de una oblea que una fuente de 300 o 400 mW. Si el mercado avanza hacia láseres más potentes, la fotónica de silicio podría consumir menos chips por módulo, pero cada chip exigiría más superficie y más control de fabricación. El ahorro de material no está garantizado.
Global Semi Research estima que la nueva demanda en 2026 podría situarse en el rango de 100.000 a más de 200.000 obleas equivalentes de 3 pulgadas. El dato debe tomarse con prudencia, porque el mercado mezcla a menudo obleas físicas, equivalentes de 2 y 3 pulgadas, pedidos de seguridad y acuerdos marco que no siempre representan consumo real inmediato. Aun así, la dirección del mercado parece difícil de discutir: la demanda de InP ligada a IA está creciendo más rápido que la capacidad disponible en obleas de calidad para aplicaciones avanzadas.
Un mercado muy concentrado y difícil de ampliar
La oferta mundial de sustratos de fosfuro de indio está concentrada en muy pocos actores. Según Global Semi Research, Sumitomo Electric, AXT junto con su filial china Beijing Tongmei, y JX Nippon Mining & Metals controlan más del 90 % del mercado. La misma fuente sitúa a Sumitomo en torno al 42 % de cuota, a AXT/Tongmei cerca del 36 % y a JX alrededor del 13 %. Más que el número total de obleas, el problema está en las obleas de 3 y 4 pulgadas con calidad suficiente para clientes exigentes, especialmente los sustratos semiaislantes usados en aplicaciones ópticas de gama alta.
Sumitomo Electric ha reconocido en sus materiales para inversores que la demanda de dispositivos ópticos para centros de datos de IA está acelerando sus planes de capacidad. La compañía señala que sus productos principales para redes intra-centro de datos son EML y CW-LD, y destaca su tecnología de producción en masa de 4 pulgadas, además de láseres CW de alta potencia de clase 350 mW o superior. También indica que ha ampliado su capacidad de sustratos InP dentro de su estrategia para el negocio relacionado con centros de datos.
AXT también ha dejado claro que el ciclo de demanda ha cambiado. En sus resultados del primer trimestre de 2026, la compañía comunicó ingresos de 26,9 millones de dólares, frente a 19,4 millones en el mismo periodo del año anterior, y vinculó el crecimiento del fosfuro de indio a la conectividad óptica de alta velocidad para centros de datos de inteligencia artificial. La empresa afirmó además que había completado una captación de capital para apoyar la expansión de capacidad de Tongmei y la inversión en productos como el InP de 6 pulgadas.
El caso de AXT es especialmente ilustrativo. Es una empresa estadounidense, pero cuenta con sede asiática en Pekín, instalaciones de fabricación en China y participaciones en compañías chinas de materias primas. Esa estructura le da acceso a una cadena de suministro integrada, pero también la expone a permisos de exportación y tensiones comerciales. En enero de 2026, la compañía redujo sus expectativas de ingresos para el cuarto trimestre de 2025 por la emisión de menos permisos de exportación de fosfuro de indio por parte del Ministerio de Comercio de China de los que esperaba.
China anunció en febrero de 2025 controles de exportación sobre productos relacionados con tungsteno, telurio, bismuto, molibdeno e indio, todos ellos con usos civiles y militares. El Ministerio de Comercio chino presentó estas medidas como parte de su sistema de control de exportaciones y defendió que no equivalen a una prohibición total, sino a un régimen de licencias. Para los clientes internacionales, la diferencia práctica puede ser notable: aunque el suministro no se cierre, los plazos, la visibilidad y la planificación de inventario se vuelven más complejos.
La ventaja china aún no está asegurada
La tentación es leer este movimiento como una repetición automática de otras industrias: China amplía capacidad, baja costes y termina desplazando a competidores occidentales o japoneses. Puede ocurrir, pero el fosfuro de indio no es un mercado sencillo. La fabricación de obleas de alta calidad exige controlar con mucha precisión el crecimiento del cristal, la uniformidad, los defectos, la resistividad y la consistencia entre lotes. No basta con comprar hornos o levantar fábricas.
El mayor obstáculo no está solo en la inversión, sino en el conocimiento acumulado. En materiales como InP, pequeñas variaciones en el proceso pueden arruinar rendimientos o impedir que una oblea cumpla los requisitos de clientes de comunicaciones ópticas avanzadas. Por eso el salto desde producción inicial a volumen fiable para clientes de primer nivel puede llevar años, aunque haya capital y apoyo industrial.
También conviene distinguir entre capacidad nominal y capacidad útil. Una planta puede declarar más obleas al año, pero el mercado necesita sustratos concretos, de diámetros concretos y con especificaciones muy exigentes. Las obleas de 2 pulgadas no resuelven por sí solas la presión en 3 y 4 pulgadas. Y las de 6 pulgadas, aunque prometedoras para mejorar eficiencia a medio plazo, siguen en una fase de desarrollo y producción piloto en buena parte de la industria.
La oportunidad para China, aun así, es evidente. Si sus fabricantes consiguen elevar calidad y volumen, podrían ganar peso en una cadena de suministro que ahora depende de pocos proveedores. Para Pekín, el InP encaja en una estrategia más amplia: controlar materiales y componentes situados por debajo de la capa visible de los chips de IA, pero sin los cuales esa infraestructura no escala con normalidad.
Para los hiperescalares, fabricantes de módulos ópticos y proveedores de equipos de red, el mensaje es menos cómodo. La disponibilidad de GPUs no basta si la conectividad óptica se convierte en otro punto de presión. La planificación de centros de datos de IA tendrá que mirar con más detalle la cadena de suministro de láseres, sustratos y componentes fotónicos, no solo el suministro eléctrico o la capacidad de servidores.
El fosfuro de indio ha pasado de ser un material especializado, casi invisible fuera de la industria optoelectrónica, a ocupar un lugar cada vez más estratégico. La inteligencia artificial está empujando la red del centro de datos hacia velocidades que requieren más fotónica, más láseres y más obleas de alta calidad. China quiere aprovechar esa demanda para ganar peso. El resultado dependerá de si sus fabricantes consiguen convertir capacidad anunciada en producción fiable, repetible y aceptada por los clientes más exigentes.
Preguntas frecuentes
¿Qué es el fosfuro de indio y para qué se usa?
El fosfuro de indio es un semiconductor compuesto utilizado en dispositivos optoelectrónicos, especialmente láseres y componentes de comunicaciones ópticas de alta velocidad.
¿Por qué es importante para los centros de datos de inteligencia artificial?
Porque los clústeres de IA necesitan mover enormes volúmenes de datos entre GPUs y servidores. Los módulos ópticos 800G y 1,6T dependen de láseres y componentes fabricados sobre sustratos como el InP.
¿China domina ya el mercado de sustratos InP?
No. El mercado sigue concentrado en proveedores como Sumitomo Electric, AXT/Tongmei y JX Nippon Mining & Metals. China está ampliando capacidad, pero todavía debe demostrar calidad y volumen en obleas avanzadas.
¿La fotónica de silicio elimina la dependencia del InP?
No del todo. La fotónica de silicio reduce parte del uso de InP en algunos diseños, pero sigue necesitando fuentes láser, normalmente basadas en materiales III-V como el fosfuro de indio.
vía: Global Semi Research