El presidente de ADATA, Chen Li-bai, considera que la demanda mundial de memoria seguirá superando a la oferta durante los próximos diez años, incluso si Samsung Electronics, SK hynix, Micron y los fabricantes chinos amplían su capacidad. La declaración representa una de las previsiones más agresivas de la industria y no debe confundirse con una estimación consensuada para todos los tipos de DRAM y NAND Flash.
Las claves de la escasez de memoria en 30 segundos
- ADATA cree que la demanda de centros de datos y dispositivos con IA crecerá más deprisa que la producción durante otra década.
- HBM, DDR5 para servidores y SSD empresariales están desplazando capacidad destinada a ordenadores, móviles y productos convencionales.
- Las nuevas fábricas necesitan años para entrar en producción y una parte de su capacidad ya se reserva mediante contratos prolongados.
- TrendForce coincide en la tensión a corto plazo, pero prevé que la escasez general de NAND pueda aliviarse desde la segunda mitad de 2027.
Chen sostiene que todavía es pronto para hablar de una burbuja de inteligencia artificial. Su tesis es que el mercado se está fijando demasiado en la inversión inmediata de los grandes proveedores cloud y no está valorando la futura extensión de la IA a empresas, administraciones públicas, hogares, vehículos, robots, fábricas y dispositivos periféricos.
La posición de ADATA ofrece una visión relevante de los pedidos y los precios del canal, aunque necesita contexto. La compañía es uno de los mayores proveedores mundiales de módulos DRAM y SSD de marca, pero no fabrica las obleas de memoria avanzadas que después integra en sus productos. Su previsión es la opinión de un directivo situado en una parte concreta de la cadena, no un cálculo independiente de capacidad mundial.
La IA ya no consume únicamente HBM
La discusión sobre la escasez suele concentrarse en la memoria de gran ancho de banda, conocida como HBM, que acompaña a los aceleradores de NVIDIA, AMD y otros fabricantes. Sin embargo, un centro de datos de IA necesita muchas más capas de memoria y almacenamiento.
Los servidores incorporan grandes cantidades de DDR5 y módulos RDIMM para los procesadores centrales. Los modelos, los conjuntos de datos, las bases vectoriales y las cachés se almacenan en SSD empresariales. Además, los sistemas agénticos mantienen contextos más largos, llaman repetidamente a herramientas y generan información que debe conservarse.
TrendForce calcula que la adopción de IA agéntica está provocando una expansión estructural de la demanda. La consultora elevó su previsión del mercado mundial de memoria para 2027 hasta más de 1,28 billones de dólares, con 903.300 millones correspondientes a DRAM y cerca de 379.400 millones a NAND Flash. Son estimaciones de ingresos influidas tanto por los volúmenes como por la fuerte subida de precios, no únicamente por el número de chips vendidos.
La fabricación de HBM añade presión porque necesita chips de gran tamaño, procesos complejos de apilado y más capacidad de oblea por cada bit útil que una DRAM convencional. TrendForce espera que la producción destinada a HBM represente alrededor del 30 % de la entrada total de obleas DRAM de los tres principales fabricantes al terminar 2027, aunque solo aporte cerca del 13 % de los bits producidos.
Esta diferencia ayuda a explicar por qué el crecimiento de HBM puede reducir indirectamente la disponibilidad de DDR5, LPDDR y otras memorias. Los fabricantes asignan sus procesos más avanzados a los productos con mayor demanda y rentabilidad, mientras los clientes de ordenadores, móviles y electrónica industrial compiten por la capacidad restante.
Algo parecido ocurre en NAND. Los proveedores están priorizando SSD empresariales de gran capacidad para centros de datos. Durante el segundo trimestre de 2026, TrendForce esperaba que los precios contractuales de NAND aumentasen entre un 70 % y un 75 % respecto al trimestre anterior, mientras los fabricantes de PC y smartphones reducían capacidades para contener el coste de sus equipos.
| Segmento | Principal fuente de demanda | Situación prevista |
|---|---|---|
| HBM | GPU y aceleradores de IA | Fuerte presión hasta 2027 |
| DDR5 y RDIMM | Servidores y procesadores de centros de datos | Oferta ajustada y precios elevados |
| LPDDR | Móviles, portátiles y servidores de bajo consumo | Compite por capacidad con productos para IA |
| NAND empresarial | SSD para IA, analítica y cloud | Escasez durante 2026 |
| NAND de consumo | PC, móviles y dispositivos | Menor prioridad para los fabricantes |
| SLC y MLC maduras | Automoción, industria y sistemas integrados | Riesgo de escasez estructural |
La demanda periférica refuerza la tesis de ADATA. Vehículos definidos por software, robots, viviendas inteligentes, satélites, fábricas automatizadas y equipos industriales necesitan memoria local aunque parte del procesamiento se realice en el cloud. No todos esos mercados crecerán al ritmo previsto por Chen, pero amplían el problema más allá de los grandes centros de datos.
Construir fábricas no resuelve la escasez de un año para otro
Samsung, SK hynix y Micron están elevando sus inversiones, pero una planta de memoria necesita varios años para construirse, instalar sus equipos, validar el proceso y alcanzar un rendimiento de fabricación aceptable.
Micron anunció en julio que aumentará sus inversiones previstas en Estados Unidos hasta más de 250.000 millones de dólares durante el periodo que termina en 2035. La compañía acaba de iniciar la construcción vertical de su nueva fábrica de Nueva York y pretende producir en Estados Unidos alrededor del 40 % de su DRAM a largo plazo. Esa capacidad no llegará de golpe al mercado.
Además, parte de la producción futura se está asegurando antes de que las fábricas entren plenamente en funcionamiento. Micron ha firmado acuerdos estratégicos de suministro con Ford y General Motors para proporcionar DRAM, NAND y otras memorias durante ciclos prolongados de producto. SK hynix también mantiene un acuerdo plurianual con NVIDIA para desarrollar y suministrar las siguientes generaciones de memoria destinadas a sus plataformas de IA.
Estos contratos mejoran la visibilidad de fabricantes y clientes, pero reducen la cantidad que queda disponible para compras puntuales. Una nueva planta puede aumentar la producción mundial y, aun así, no provocar una abundancia inmediata en el mercado abierto si sus primeros años ya están comprometidos.
Chen cree además que los grandes fabricantes evitarán repetir las expansiones desordenadas de ciclos anteriores. La memoria ha sufrido históricamente periodos de exceso de capacidad, hundimiento de precios y fuertes pérdidas. Las compañías tienen incentivos para elevar la producción con prudencia y proteger sus márgenes en lugar de llenar el mercado.
Las mejoras de proceso pueden aportar más bits sin aumentar mucho el número de obleas. Un fabricante puede añadir capas a la NAND 3D, mejorar los rendimientos o migrar a celdas QLC. En DRAM puede introducir nodos más densos. Estas medidas elevan la producción, pero también exigen detener y adaptar líneas, por lo que su efecto tampoco es instantáneo.
La previsión de diez años choca con el posible alivio de la NAND
La principal cautela ante la afirmación de ADATA es que “memoria” reúne mercados diferentes. Una escasez de HBM puede coexistir con una disponibilidad suficiente de NAND para consumo. También puede aparecer exceso de un producto avanzado mientras continúan faltando chips antiguos para automoción o industria.
TrendForce coincide en que 2026 continuará siendo un año muy ajustado, pero su perspectiva para NAND es menos extrema. La consultora prevé que el crecimiento de la oferta en bits empiece a superar al de la demanda durante la segunda mitad de 2027, gracias a las mejoras de proceso, la ampliación gradual de las líneas y la debilidad de smartphones y portátiles.
Esa previsión no contradice necesariamente toda la tesis de Chen. Un mercado puede pasar de déficit a un pequeño superávit y mantener precios altos, inventarios bajos y dificultades en categorías concretas. Tampoco implica que la DRAM vaya a seguir el mismo calendario que la NAND.
Las diferencias pueden resumirse así:
| Previsión | Horizonte | Alcance |
|---|---|---|
| ADATA | Aproximadamente diez años | Memoria en sentido amplio, impulsada por cloud y edge |
| TrendForce sobre DRAM | Tensión y precios al alza durante 2027 | HBM, DDR5 y memoria para servidores |
| TrendForce sobre NAND avanzada | Posible mejora desde la segunda mitad de 2027 | Balance mundial de oferta y demanda en bits |
| TrendForce sobre SLC, MLC y NOR | Escasez prolongada | Productos maduros para industria, automoción y sistemas integrados |
| Micron | Condiciones ajustadas más allá de 2026 | DRAM y NAND, sin fijar una década completa |
En los productos maduros, el problema puede durar más. TrendForce calcula que la capacidad mundial de NAND MLC se reducirá un 41,7 % durante 2026 porque varios grandes proveedores están abandonando o limitando esa tecnología. La ampliación de NAND avanzada para SSD de IA no solucionará automáticamente la falta de memorias antiguas certificadas para equipos que permanecen años en producción.
ADATA también ha endurecido su discurso en pocos meses. En marzo, Chen afirmaba que tanto DRAM como NAND estarían escasas durante todo 2026, pero evitaba entonces pronunciarse sobre 2027 o 2028. La nueva estimación de diez años refleja hasta qué punto han aumentado las expectativas de demanda, aunque también muestra la incertidumbre de cualquier previsión a tan largo plazo.
Para empresas y centros de datos, la consecuencia no debería ser acumular memoria sin límite. Resulta más razonable asegurar capacidades críticas, diversificar proveedores, revisar los ciclos de renovación y diseñar sistemas que no dependan de una única generación de módulos o SSD.
Los compradores también deberían separar el riesgo por producto. Un servidor que utiliza DDR5 estándar afronta un mercado diferente al de una plataforma con HBM4, un SSD empresarial QLC o una memoria SLC industrial. Hablar de una sola “escasez de memoria” puede ocultar diferencias importantes de disponibilidad, precio y sustitución.
La predicción de ADATA dibuja un escenario en el que la memoria y la electricidad se convierten en los principales límites físicos de la expansión de la IA. La tensión de 2026 y 2027 respalda parte de esa lectura. Mantener un déficit mundial ininterrumpido hasta 2036 requeriría, sin embargo, que la demanda continuase creciendo más deprisa que todas las nuevas fábricas, las mejoras de eficiencia y la expansión de los fabricantes chinos. Ese resultado es posible, pero está lejos de ser seguro.
Preguntas frecuentes
¿Ha afirmado ADATA que faltarán DRAM y NAND durante diez años?
Su presidente ha hablado de una escasez prolongada de memoria en sentido amplio. La declaración suele resumirse como una década de falta de DRAM, pero no constituye una previsión cuantitativa separada para cada categoría de DRAM y NAND.
¿Por qué la HBM reduce la oferta de memoria convencional?
La HBM utiliza chips grandes y procesos complejos que consumen más capacidad de oblea por cada bit. Al priorizarla, los fabricantes disponen de menos recursos para producir DDR5, LPDDR y otras memorias.
¿Cuándo podría mejorar la disponibilidad de NAND?
TrendForce prevé que la presión general pueda empezar a aliviarse en la segunda mitad de 2027. Algunas categorías industriales y maduras podrían continuar escasas durante más tiempo.
¿Las nuevas fábricas harán bajar los precios?
Aumentarán la capacidad, pero tardarán años en alcanzar una producción relevante. Parte de su volumen ya se está reservando mediante contratos a largo plazo, por lo que una bajada inmediata no está garantizada.
Fuentes:
- ctee y declaraciones de Chen Li-bai sobre la evolución de la demanda de memoria, recogidas por medios tecnológicos.
