
Corea del Sur alerta del avance de China: un año en NAND y dos en DRAM
La industria china de memoria está reduciendo con rapidez la distancia tecnológica respecto a los fabricantes surcoreanos. Según la Korea Semiconductor Industry Association (KSIA), la brecha se ha reducido a aproximadamente un año en NAND Flash, dos años en DRAM y tres años en HBM, frente a una diferencia que anteriormente se estimaba en más de cinco años. El avance de YMTC y CXMT llega además en un momento de fuerte demanda de memoria ligada a la inteligencia artificial. Las claves del avance de China en memoria en 30 segundos YMTC y CXMT están recortando distancias a gran velocidad La referencia de la KSIA no significa que China tenga actualmente la misma tecnología que Samsung, SK hynix o Micron. Habla




