
Samsung presenta zHBM y una NAND de más de 400 capas para la próxima generación de infraestructura de IA
Samsung ha aprovechado Future of Memory and Storage (FMS) 2026 para mostrar una de las hojas de ruta más ambiciosas del sector de la memoria. La compañía ha desvelado zHBM, un nuevo concepto de memoria de alto ancho de banda diseñada para integrarse directamente sobre los aceleradores de inteligencia artificial, además de presentar V10 BV-NAND, la primera arquitectura NAND de la industria basada en unión de obleas con más de 400 capas, y zNAND-O, una nueva propuesta orientada a cargas de trabajo de IA en el edge. Las claves de la nueva memoria de Samsung en 30 segundos Las novedades llegan en un momento en el que la industria busca nuevas formas de eliminar los cuellos de botella entre procesadores




