X-twitter

Etiqueta: marketing

Samsung y SK Hynix buscan otra salida al límite físico de la DRAM

La memoria DRAM se acerca a una frontera técnica incómoda. Durante décadas, los fabricantes han logrado aumentar densidad y reducir coste por bit encogiendo las celdas, afinando litografía y mejorando materiales. Pero en la generación 1d, asociada a la séptima hornada de DRAM de clase 10 nm y al salto hacia geometrías cada vez más próximas al límite físico, esa receta empieza a quedarse corta. Samsung Electronics y SK Hynix, los dos grandes fabricantes surcoreanos de memoria, preparan caminos distintos para superar ese atasco. Samsung investiga una DRAM apilada verticalmente en 16 capas, mientras SK Hynix trabaja en una estructura 4F² Vertical Gate que exprime la arquitectura más cercana al plano tradicional antes de dar el salto a una DRAM

AMD e Intel preparan ACE para acelerar la Inteligencia Artificial en x86

AMD e Intel han dado un paso poco habitual en una industria acostumbrada a competir en cada generación de procesadores: colaborar en una extensión común para acelerar cargas de Inteligencia Artificial dentro de la arquitectura x86. La propuesta se llama ACE, siglas de AI Compute Extensions, y busca convertir la aceleración de matrices en una capacidad estándar y compartida para futuros chips x86. La iniciativa forma parte del trabajo del x86 Ecosystem Advisory Group, el grupo creado por AMD, Intel y otros socios para reforzar la compatibilidad y evolución de x86 en una etapa marcada por la presión de Arm, los aceleradores especializados y el crecimiento de la Inteligencia Artificial. El whitepaper técnico de ACE, fechado el 15 de abril

TSMC refuerza Taiwán: 4 nm en Fab 15A y 1,4 nm para 2028

TSMC está preparando una nueva reorganización de capacidad en Taiwán para responder a la demanda de chips avanzados vinculados a Inteligencia Artificial, HPC y dispositivos de alto rendimiento. Según Economic Daily News, recogido por TrendForce, la compañía taiwanesa está actualizando su Fab 15A, situada en el Central Taiwan Science Park, para pasar de procesos maduros de 28 y 22 nanómetros a producción en 4 nanómetros. El movimiento tiene una doble lectura. Por un lado, TSMC gana capacidad en nodos avanzados sin depender solo de nuevas plantas. Por otro, libera equipos de procesos maduros que podrían terminar en la fábrica europea de Dresden, una instalación orientada a automoción e industria que debería comenzar producción a finales de 2027. La operación encaja

Micron ya envía un SSD de 245 TB para centros de datos de IA

Micron ha empezado a enviar su nuevo SSD Micron 6600 ION de 245 TB, una unidad de almacenamiento para centros de datos que apunta directamente a una de las presiones más visibles de la infraestructura de Inteligencia Artificial: guardar más datos, ocupar menos espacio y reducir el consumo energético por terabyte. La compañía presenta esta unidad como el SSD comercialmente disponible de mayor capacidad del mercado. La precisión importa, porque otros fabricantes ya habían mostrado o anunciado unidades de capacidad similar, pero Micron subraya ahora el paso a disponibilidad comercial. El producto está pensado para cargas de Inteligencia Artificial, cloud, empresas e infraestructuras hiperescalares, con especial atención a data lakes de nueva generación y almacenamiento de archivos y objetos a

Kioxia quiere que los SSD sean una pieza central de las fábricas de IA

La carrera por la Inteligencia Artificial no solo se libra en las GPU. También se decide en una capa más silenciosa, pero cada vez más importante: el almacenamiento. A medida que los modelos crecen, los agentes de IA ganan autonomía y las empresas empiezan a construir infraestructuras pensadas para producir y consumir tokens de forma continua, los centros de datos necesitan mover, consultar y conservar cantidades enormes de información sin disparar el coste energético ni dejar ociosos los aceleradores. Kioxia está intentando posicionarse justo en ese punto. La compañía japonesa, heredera del negocio de memorias de Toshiba, ha presentado en los últimos meses una cartera de tecnologías que combina SSD de muy alta capacidad, memoria flash de baja latencia, software

SEMIFIVE e ICY Tech llevan la eMRAM de 8 nm al Edge AI

SEMIFIVE e ICY Tech han anunciado el tape-out de un nuevo SoC de Edge AI basado en memoria eMRAM de 8 nm, desarrollado con tecnología 8LPU de Samsung Foundry. El hito acerca a Asia a la primera comercialización de esta tecnología en chips de inteligencia artificial para dispositivos de bajo consumo, un terreno que empieza a ganar peso con los AI PCs, los agentes privados, la robótica y los sistemas inteligentes que deben operar sin depender siempre de la nube. El anuncio es relevante porque apunta a uno de los grandes límites del Edge AI: cómo ejecutar modelos cada vez más capaces en dispositivos con restricciones de energía, espacio y conectividad. SEMIFIVE e ICY Tech aseguran que su arquitectura puede

Samsung y SK Hynix buscan otra salida al límite físico de la DRAM

La memoria DRAM se acerca a una frontera técnica incómoda. Durante décadas, los fabricantes han logrado aumentar densidad y reducir coste por bit encogiendo las celdas, afinando litografía y mejorando materiales. Pero en la generación 1d, asociada a la séptima hornada de DRAM de clase 10 nm y al salto hacia geometrías cada vez más próximas al límite físico, esa receta empieza a quedarse corta. Samsung Electronics y SK Hynix, los dos grandes fabricantes surcoreanos de memoria, preparan caminos distintos para superar ese atasco. Samsung investiga una DRAM apilada verticalmente en 16 capas, mientras SK Hynix trabaja en una estructura 4F² Vertical Gate que exprime la arquitectura más cercana al plano tradicional antes de dar el salto a una DRAM

AMD e Intel preparan ACE para acelerar la Inteligencia Artificial en x86

AMD e Intel han dado un paso poco habitual en una industria acostumbrada a competir en cada generación de procesadores: colaborar en una extensión común para acelerar cargas de Inteligencia Artificial dentro de la arquitectura x86. La propuesta se llama ACE, siglas de AI Compute Extensions, y busca convertir la aceleración de matrices en una capacidad estándar y compartida para futuros chips x86. La iniciativa forma parte del trabajo del x86 Ecosystem Advisory Group, el grupo creado por AMD, Intel y otros socios para reforzar la compatibilidad y evolución de x86 en una etapa marcada por la presión de Arm, los aceleradores especializados y el crecimiento de la Inteligencia Artificial. El whitepaper técnico de ACE, fechado el 15 de abril

TSMC refuerza Taiwán: 4 nm en Fab 15A y 1,4 nm para 2028

TSMC está preparando una nueva reorganización de capacidad en Taiwán para responder a la demanda de chips avanzados vinculados a Inteligencia Artificial, HPC y dispositivos de alto rendimiento. Según Economic Daily News, recogido por TrendForce, la compañía taiwanesa está actualizando su Fab 15A, situada en el Central Taiwan Science Park, para pasar de procesos maduros de 28 y 22 nanómetros a producción en 4 nanómetros. El movimiento tiene una doble lectura. Por un lado, TSMC gana capacidad en nodos avanzados sin depender solo de nuevas plantas. Por otro, libera equipos de procesos maduros que podrían terminar en la fábrica europea de Dresden, una instalación orientada a automoción e industria que debería comenzar producción a finales de 2027. La operación encaja

Micron ya envía un SSD de 245 TB para centros de datos de IA

Micron ha empezado a enviar su nuevo SSD Micron 6600 ION de 245 TB, una unidad de almacenamiento para centros de datos que apunta directamente a una de las presiones más visibles de la infraestructura de Inteligencia Artificial: guardar más datos, ocupar menos espacio y reducir el consumo energético por terabyte. La compañía presenta esta unidad como el SSD comercialmente disponible de mayor capacidad del mercado. La precisión importa, porque otros fabricantes ya habían mostrado o anunciado unidades de capacidad similar, pero Micron subraya ahora el paso a disponibilidad comercial. El producto está pensado para cargas de Inteligencia Artificial, cloud, empresas e infraestructuras hiperescalares, con especial atención a data lakes de nueva generación y almacenamiento de archivos y objetos a

Kioxia quiere que los SSD sean una pieza central de las fábricas de IA

La carrera por la Inteligencia Artificial no solo se libra en las GPU. También se decide en una capa más silenciosa, pero cada vez más importante: el almacenamiento. A medida que los modelos crecen, los agentes de IA ganan autonomía y las empresas empiezan a construir infraestructuras pensadas para producir y consumir tokens de forma continua, los centros de datos necesitan mover, consultar y conservar cantidades enormes de información sin disparar el coste energético ni dejar ociosos los aceleradores. Kioxia está intentando posicionarse justo en ese punto. La compañía japonesa, heredera del negocio de memorias de Toshiba, ha presentado en los últimos meses una cartera de tecnologías que combina SSD de muy alta capacidad, memoria flash de baja latencia, software

SEMIFIVE e ICY Tech llevan la eMRAM de 8 nm al Edge AI

SEMIFIVE e ICY Tech han anunciado el tape-out de un nuevo SoC de Edge AI basado en memoria eMRAM de 8 nm, desarrollado con tecnología 8LPU de Samsung Foundry. El hito acerca a Asia a la primera comercialización de esta tecnología en chips de inteligencia artificial para dispositivos de bajo consumo, un terreno que empieza a ganar peso con los AI PCs, los agentes privados, la robótica y los sistemas inteligentes que deben operar sin depender siempre de la nube. El anuncio es relevante porque apunta a uno de los grandes límites del Edge AI: cómo ejecutar modelos cada vez más capaces en dispositivos con restricciones de energía, espacio y conectividad. SEMIFIVE e ICY Tech aseguran que su arquitectura puede

Las últimas novedades de tecnología y cloud

Suscríbete gratis al boletín de Revista Cloud. Cada semana la actualidad en tu buzón.

Suscripción boletín
×