Transistores sobre transistores: la vía 3D que puede alargar la vida de la ley de Moore
La industria de los semiconductores lleva años buscando cómo seguir aumentando la densidad de los chips cuando reducir transistores se vuelve cada vez más difícil. La respuesta más conocida hasta ahora ha sido el empaquetado avanzado: chiplets, memoria apilada, interposers, 3D V-Cache o HBM. Pero un equipo de la Universidad de Illinois Urbana-Champaign ha demostrado una ruta distinta y mucho más profunda: fabricar varias capas de transistores de silicio directamente una encima de otra dentro del mismo chip. El avance, liderado por el profesor Qing Cao, se basa en integración monolítica 3D con silicio monocristalino. Dicho de forma sencilla: en lugar de fabricar varios chips por separado y unirlos después en el encapsulado, los investigadores han construido nuevas capas activas
