
CXMT se acerca a Micron en DRAM, pero la batalla no se decide por obleas
China está a punto de alcanzar un objetivo que hace pocos años parecía lejano. ChangXin Memory Technologies, más conocida como CXMT, podría cerrar 2026 con una capacidad de fabricación de memoria DRAM muy próxima a la de Micron, el único gran productor estadounidense que sigue compitiendo directamente con Samsung y SK hynix en este mercado. Las estimaciones manejadas por SemiAnalysis sitúan a CXMT alrededor de las 350.000 obleas mensuales antes de acabar el año, frente a unas 385.000 de Micron. La distancia se habría reducido así a unas 35.000 obleas al mes. Es un avance industrial relevante, aunque esa comparación no significa que ambas compañías puedan fabricar la misma cantidad de memoria útil, obtener rendimientos equivalentes o competir en igualdad




