Samsung ha aprovechado Future of Memory and Storage (FMS) 2026 para mostrar una de las hojas de ruta más ambiciosas del sector de la memoria. La compañía ha desvelado zHBM, un nuevo concepto de memoria de alto ancho de banda diseñada para integrarse directamente sobre los aceleradores de inteligencia artificial, además de presentar V10 BV-NAND, la primera arquitectura NAND de la industria basada en unión de obleas con más de 400 capas, y zNAND-O, una nueva propuesta orientada a cargas de trabajo de IA en el edge.

Las claves de la nueva memoria de Samsung en 30 segundos

• Samsung presenta zHBM, una arquitectura que sitúa la memoria HBM sobre el acelerador de IA.
• La compañía afirma que podría ofrecer hasta ocho veces el rendimiento de HBM5 y multiplicar por diez su densidad.
• También anuncia V10 BV-NAND, la primera NAND con más de 400 capas basada en tecnología de unión de obleas.
• La nueva generación incrementa la densidad un 58 % respecto a V9 y mejora el rendimiento de lectura, escritura y entrada/salida.
• Samsung completa la hoja de ruta con zNAND-O, orientada a aplicaciones de IA en tiempo real.

Las novedades llegan en un momento en el que la industria busca nuevas formas de eliminar los cuellos de botella entre procesadores y memoria, uno de los principales desafíos para entrenar y ejecutar modelos de inteligencia artificial cada vez más grandes.

zHBM cambia la arquitectura tradicional de la memoria HBM

La principal novedad presentada por Samsung ha sido zHBM, una arquitectura conceptual que rompe con el diseño habitual de la memoria de alto ancho de banda.

En las plataformas actuales, los chips HBM se sitúan junto al procesador o acelerador mediante interposers avanzados. Con zHBM, Samsung propone apilar verticalmente la memoria directamente sobre el acelerador de IA, reduciendo la distancia física que recorren los datos.

Según la compañía, este planteamiento permitiría incrementar de forma notable tanto el ancho de banda como la eficiencia energética de los sistemas destinados al entrenamiento e inferencia de modelos de inteligencia artificial.

Samsung afirma que una futura interfaz basada en esta arquitectura podría alcanzar:

• Hasta ocho veces el rendimiento de HBM5.
• Más de diez veces la densidad de memoria respecto a HBM5.
• Una mejora de tres veces en eficiencia energética.
• Más de un 50 % menos de resistencia térmica, favoreciendo la estabilidad de sistemas de alta capacidad.

La empresa también plantea que el espacio intermedio entre el acelerador y la memoria pueda utilizarse para integrar bloques IP personalizados, adaptando cada solución a las necesidades de distintos clientes.

No obstante, conviene señalar que zHBM es, por ahora, un modelo conceptual presentado como parte de la hoja de ruta tecnológica de Samsung y no un producto comercial con fecha de lanzamiento anunciada.

V10 BV-NAND supera las 400 capas

La segunda gran presentación corresponde a V10 BV-NAND, una nueva generación de memoria flash que introduce por primera vez una arquitectura denominada Bonding V-NAND (BV-NAND).

La principal diferencia frente a generaciones anteriores reside en el uso de una nueva tecnología de wafer bonding, mediante la que distintas obleas se unen físicamente para construir estructuras NAND de mucha mayor altura.

Gracias a este diseño, Samsung supera las 400 capas, un nuevo hito para la industria.

Según los datos facilitados por la compañía, V10 BV-NAND consigue:

• Incrementar la densidad aproximadamente un 58 % frente a V9.
• Mejorar el rendimiento de lectura y escritura.
• Aumentar las velocidades de entrada y salida (I/O).
• Reducir el consumo energético.

Estas mejoras están dirigidas principalmente a futuros sistemas de almacenamiento para centros de datos y aplicaciones de inteligencia artificial.

zNAND-O apuesta por la IA en el edge

Samsung también mostró zNAND-O, otra arquitectura todavía en desarrollo.

Se trata de una memoria basada en V-NAND diseñada específicamente para aplicaciones donde la latencia resulta crítica, como la inteligencia artificial ejecutada cerca del lugar donde se generan los datos.

La compañía trabaja actualmente en versiones de cuatro y ocho capas y sostiene que combinará una mayor eficiencia espacial, mejores prestaciones de entrada/salida y menores tiempos de respuesta que las soluciones NAND tradicionales.

Una estrategia completa para centros de datos de IA

Además de estos desarrollos experimentales, Samsung aprovechó FMS 2026 para actualizar su hoja de ruta comercial.

Entre las soluciones mostradas se encuentran:

• HBM4E.
• HBM5.
• LPDDR5X-PIM, memoria con capacidad de procesamiento integrado.
• Las unidades SSD empresariales PM1763 y BM1773.

La compañía también puso el foco en su estrategia como fabricante integrado, combinando memoria, fundición de chips y tecnologías avanzadas de encapsulado para ofrecer soluciones completas destinadas a centros de datos e infraestructuras de IA.

La presentación confirma que el mercado de la memoria vive una nueva etapa en la que ya no basta con aumentar el número de capas o la velocidad de los chips. Los fabricantes buscan rediseñar la propia arquitectura de la memoria para responder a las crecientes necesidades de ancho de banda, consumo energético y capacidad que exigen los aceleradores de inteligencia artificial.

Preguntas frecuentes

¿Qué es zHBM?

Es un nuevo concepto de memoria presentado por Samsung que propone apilar la memoria HBM directamente sobre los aceleradores de IA para reducir la distancia que recorren los datos y aumentar el rendimiento.

¿Está disponible comercialmente?

No. Samsung ha presentado zHBM como un modelo conceptual dentro de su visión para las futuras arquitecturas de memoria.

¿Qué aporta V10 BV-NAND?

Introduce una nueva arquitectura basada en unión de obleas que supera las 400 capas y, según Samsung, incrementa la densidad un 58 % respecto a la generación anterior.

¿Qué es zNAND-O?

Es una arquitectura NAND en desarrollo orientada a aplicaciones de inteligencia artificial en el edge, donde la baja latencia resulta especialmente importante.