Samsung Foundry ha presentado en ISSCC 2026 una nueva IP de sensor de temperatura pensada para uno de los grandes problemas de los nodos más avanzados: controlar mejor el calor sin seguir sacrificando área útil dentro del chip. La base de la propuesta es desplazar el sensor desde la zona FEoL —donde residen los transistores— hacia la capa superior de interconexiones BEoL, usando una resistencia metálica de bajo coeficiente térmico. En el programa oficial del congreso, Samsung describe esta solución como un “fully stacked RC-based temperature sensor” para proceso 2nm Gate-All-Around, con 625 μm², funcionamiento a 0,6 V y un enfoque orientado a mejorar la relación entre precisión, consumo y área.

La importancia de este movimiento está en el sitio que ocupan los sensores dentro del chip. En nodos muy avanzados, cada porción de FEoL es oro puro, porque compite directamente con transistores, cachés y lógica de cómputo. Llevar el sensor al BEoL permite liberar ese espacio crítico y, al mismo tiempo, mantener monitorización térmica dentro del dado. En la práctica, eso abre la puerta a insertar más puntos de medida sin penalizar tanto el área de cómputo. La propia ficha de ISSCC deja claro que Samsung ha llevado este diseño a un proceso de 2 nm GAA, lo que lo sitúa directamente en el contexto de sus nodos más estratégicos.

El trasfondo técnico es conocido en toda la industria. A medida que baja el nodo, sube la densidad térmica y se agrava el problema de las fugas. En ese escenario, no basta con tener un sensor térmico cualquiera: importa mucho dónde está, cuántos pueden desplegarse y con qué velocidad y precisión reaccionan. El interés por usar sensores en BEoL no es nuevo, pero históricamente había chocado con un compromiso incómodo entre precisión y tiempo de conversión. Lo que Samsung está sugiriendo con esta presentación es que esa compensación puede reducirse lo suficiente como para hacer viable una adopción más seria en diseños avanzados. Esa lectura se apoya en la descripción técnica del paper y en la interpretación que varios medios coreanos han hecho de su relevancia para foundry.

Más allá del sensor en sí, el anuncio llega en un momento en el que Samsung necesita reforzar cualquier ventaja diferencial en 2 nm. En sus resultados de cierre de 2025, la compañía afirmó que en 2026 la división Foundry planea aumentar la producción de productos 2 nm de segunda generación y seguir mejorando su competitividad con soluciones integradas de lógica, memoria y empaquetado avanzado. Esa hoja de ruta encaja con la idea de que una mejora en monitorización térmica y uso del área no sería un detalle menor, sino una pieza más dentro del intento de hacer sus nodos avanzados más atractivos para clientes de alto rendimiento y de Inteligencia Artificial.

También encaja con el propio calendario oficial de Samsung para 2 nm. La compañía ya había señalado anteriormente que la producción masiva de 2 nm para móvil arrancaría en 2025, para extenderse a HPC en 2026 y a automoción en 2027. Eso significa que cualquier IP que ayude a mejorar densidad, estabilidad térmica o eficiencia energética en este nodo puede tener impacto no solo en chips para smartphones, sino también en procesadores de mayor consumo y complejidad, donde los hotspots son aún más problemáticos.

Uno de los puntos que más interés está despertando es la posible aplicación de esta tecnología a productos internos de Samsung, especialmente Exynos. Aquí conviene ser prudente: no hay una confirmación oficial de que este sensor vaya a desplegarse en un SoC concreto. Lo que existe es una expectativa razonable, muy comentada en prensa coreana, de que una solución así tendría sentido en chips donde el control de fugas y la eficiencia térmica siguen siendo áreas sensibles. Por tanto, hablar de Exynos como destino final sigue siendo una hipótesis industrial, no un hecho confirmado por Samsung.

Lo más interesante de fondo es que esta innovación no busca solo medir temperatura, sino permitir un mapa térmico mucho más denso dentro del chip. Si el sensor ya no consume área valiosa de FEoL, se vuelve más realista distribuir decenas o incluso más puntos de monitorización en diferentes zonas del dado. Eso mejora la capacidad de localizar hotspots en tiempo real y de ajustar voltaje, frecuencia o políticas de protección con más precisión. En chips modernos, especialmente en IA, móvil premium y HPC, ese margen puede marcar la diferencia entre un diseño que rinde de forma estable y otro que entra en throttling con demasiada facilidad. Esa conclusión es una inferencia técnica razonable a partir del desplazamiento al BEoL y del objetivo del paper, aunque Samsung no la formula en esos mismos términos en el programa del congreso.

En definitiva, Samsung no ha presentado simplemente un sensor más. Lo que ha enseñado en ISSCC 2026 es una forma de convertir la monitorización térmica en algo menos invasivo para el área útil del chip justo cuando la pelea por el 2 nm se está volviendo más dura. Si logra integrarlo de forma efectiva en su ecosistema de diseño y en sus kits de proceso, podría convertirse en una ventaja silenciosa, pero muy relevante, dentro de la siguiente generación de chips avanzados.

Preguntas frecuentes

¿Qué ha presentado exactamente Samsung en ISSCC 2026?
Samsung presentó un diseño de sensor de temperatura RC totalmente apilado para proceso 2nm GAA, basado en una resistencia metálica de bajo TCR en la capa BEoL, con el objetivo de mejorar eficiencia de área y monitorización térmica.

¿Por qué es importante mover el sensor del FEoL al BEoL?
Porque el FEoL es la zona donde viven los transistores y otros bloques críticos de cómputo. Llevar el sensor al BEoL libera esa área y permite usar mejor el espacio interno del chip.

¿Samsung ha confirmado que esta tecnología irá en Exynos?
No. Por ahora no hay confirmación oficial de integración en un producto concreto. La posible aplicación en Exynos es una interpretación de mercado y de prensa especializada, no un anuncio formal de Samsung.

¿Qué relación tiene esto con la estrategia 2 nm de Samsung Foundry?
Samsung ha dicho oficialmente que en 2026 planea aumentar la producción de productos 2 nm de segunda generación y seguir reforzando su competitividad en nodos avanzados. Esta IP encaja dentro de esa estrategia de diferenciación técnica.

vía: zdnet.co.kr