Samsung Electronics se ha marcado como objetivo completar a principios de 2027 el desarrollo de 3D Cube-H, una tecnología de empaquetado avanzado que apila chips en vertical mediante unión híbrida (hybrid bonding) y que está pensada sobre todo para chips de IA de muy alto rendimiento. Lo ha publicado ZDNet Korea el 10 de noviembre de 2026, a partir de fuentes del sector, sin declaraciones oficiales de la compañía.
Las claves de 3D Cube-H de Samsung en 20 segundos
- 3D Cube-H apila chips con unión híbrida cobre con cobre.
- Reduce el paso entre conexiones a unos 6 µm, frente a 25 µm o más.
- El primer kit de diseño llegaría a principios de 2027, según ZDNet Korea.
Según el medio coreano, una fuente bien informada asegura que Samsung tendrá listo el primer kit de diseño a principios del próximo año y que después empezará las evaluaciones con clientes potenciales, que no se nombran. Si lo consigue, la tecnología podría reforzar su posición en los chips de IA de próxima generación y ayudarle a captar clientes entre las grandes tecnológicas para su negocio de fundición, en el que va muy por detrás de TSMC.
De la compresión térmica a la unión híbrida
3D Cube-H es la evolución de 3D Cube-T, la técnica anterior de Samsung, que une los chips por compresión térmica (TC bonding): pequeñas protuberancias de soldadura que se funden con calor y presión. La unión híbrida prescinde de esas protuberancias y conecta directamente las superficies de cobre de los dos chips, lo que permite colocar las conexiones mucho más juntas. ZDNet Korea sitúa el paso de 3D Cube-H en unos 6 micrómetros, frente a los 25 micrómetros o más de los chips con compresión térmica.
Según otro responsable del sector citado por el medio, la unión híbrida aumenta drásticamente la densidad de conexiones entre chips y reduce la energía necesaria por bit transmitido, además de disipar mejor el calor. Entre los usos previstos están apilar chips lógicos de alto rendimiento, como GPU, o colocar lógica directamente sobre memoria HBM, dos diseños que buscan acercar cálculo y memoria para reducir los cuellos de botella de los aceleradores de IA.
Un plan sin confirmación oficial
Conviene tratar el calendario como lo que es: un objetivo que recogen fuentes del sector, no un anuncio de Samsung. La información coincide con un momento en que el empaquetado avanzado gana peso en la estrategia del grupo. El 1 de noviembre, su presidente, Lee Jae-yong, visitó el centro de investigación de empaquetado avanzado que Samsung tiene en Yokohama (Japón), según el mismo medio.
Completar el kit de diseño es solo el primer paso. Después quedarán las pruebas con clientes, la validación de rendimiento y fiabilidad y, sobre todo, conseguir que una gran tecnológica confíe su próximo chip de IA a una tecnología nueva.
Preguntas frecuentes
¿Qué es 3D Cube-H?
Una tecnología de empaquetado avanzado de Samsung que apila chips en vertical mediante unión híbrida, pensada para chips de IA de alto rendimiento.
¿Cuándo estará lista?
Según ZDNet Korea, Samsung quiere completar el desarrollo y tener el primer kit de diseño a principios de 2027. La empresa no lo ha confirmado.
¿En qué se diferencia de 3D Cube-T?
3D Cube-T usa compresión térmica con un paso de 25 µm o más, mientras que 3D Cube-H une cobre con cobre con un paso de unos 6 µm.
Fuentes:
