Rusia ha presentado una hoja de ruta que, de cumplirse, cambiaría su posición en la carrera mundial de la fabricación de chips: desarrollar litografía EUV y de rayos X con la que producir desde 65 nm hasta resoluciones por debajo de 10 nm entre 2026 y 2037. La propuesta, divulgada por el divulgador Dmitrii Kuznetsov en X (antes Twitter), combina un calendario agresivo —steppers de 40 nm en 2026, escáneres de 28/14 nm entre 2029 y 2032 y equipos de 13/9 nm entre 2033 y 2036, con EUV “plena” en 2037— y una apuesta por tecnologías distintas de las de ASML: láseres híbridos de estado sólido, fuentes de plasma de xenón (en lugar de estaño) y espejos de rutenio/berilio operando a 11,2 nm (frente a los 13,5 nm que han estandarizado las máquinas EUV occidentales).
No es solo un calendario. El discurso que acompaña a esta hoja de ruta sostiene que ese EUV a 11,2 nm permitiría abaratar procesos frente a DUV por inmersión (193i) en nodos de 14–65 nm —porque no haría falta inmersión ni múltiples exposiciones—, reducir el consumo energético a un tercio y eliminar problemas de contaminación por estaño en la fuente de luz. A ello se suma un guiño geopolítico: Kuznetsov recuerda que una parte de la base tecnológica de EUV a 13,5 nm que hoy comercializa ASML “se apoyó en contribuciones de científicos rusos”, y vaticina que la industria europea podría sufrir si su propuesta rusa llega a materializarse por caída de precios y ventaja tecnológica.
La ambición es evidente. La pregunta es si el reloj y la realidad pueden acompañar ese salto de doce años.
Qué ha anunciado Rusia: fases, cifras y metas
Según la presentación, el Instituto de Física de Microestructuras de la Academia Rusa de Ciencias ha definido un roadmap que arranca ya en 2026 y que se resume así:
- 2026 — Stepper para nodos de 40 nm, con óptica de dos espejos y precisión de alineación de 10 nm.
- 2029–2032 — Escáner de 28 nm, capaz de llegar a 14 nm, con cuatro espejos, campo de exposición de 26×0,5 mm y productividades superiores a 50 W/h.
- 2033–2036 — Escáneres de 13 nm e incluso 9 nm, con seis espejos, alineación a 2 nm y rendimientos de más de 100 W/h.
- 2037 — Entrada en EUV para resoluciones sub-10 nm, con longitud de onda de 11,2 nm, fuente de xenón, láseres híbridos de estado sólido y espejos Ru/Be.
Conviene subrayar que Occidente superó el hito de 28/14 nm con ASML hace más de una década, y que la ruta rusa va dos vueltas por detrás en el calendario. Pero también es cierto que, por primera vez en años, Moscú pone fechas y tecnologías concretas sobre la mesa.
Qué la hace distinta: 11,2 nm, xenón, láseres de estado sólido y espejos Ru/Be
La litografía EUV industrial que hoy usan TSMC, Samsung e Intel se asienta en tres pilares: longitud de onda de 13,5 nm, fuente de plasma de estaño excitado por láseres de CO₂, y espejos multicapa Mo/Si con reflectividades ajustadas a esa longitud de onda. El camino ruso difiere en cuatro puntos:
- Longitud de onda de 11,2 nm
Reducir la longitud de onda aumenta potencial de resolución con ópticas de tamaño similar, a costa de exigencias mayores en fuente y óptica (reflectividad, estabilidad). Rusia afirma que 11,2 nm “abarata” frente a 193i en 14–65 nm al evitar inmersión y múltiples pasadas. - Fuente de plasma de xenón (sin estaño)
La EUV “clásica” genera plasma de estaño; es eficiente pero sucia: el Sn contamina ópticas y requiere limpieza y mitigación. Apostar por xenón apunta a un proceso más limpio y, según la presentación, a menos consumo energético (1/3 del actual). El reto: que el xenón proporcione brillo suficiente en 11,2 nm para lograr rendimientos industriales. - Láseres híbridos de estado sólido
Sustituir el láser de CO₂ por fuentes híbridas de estado sólido puede simplificar sistemas y reducir costes operativos, siempre que la energía y la estabilidad alcancen lo que exige el plasma EUV. No hay detalles públicos sobre potencias ni frecuencias. - Espejos Ru/Be
Los multicapas Mo/Si actuales están optimizados para 13,5 nm. Cambiar a 11,2 nm exige nuevos multicapas. La propuesta rusa habla de rutenio/berilio (Ru/Be). Sobre el papel, ajustar materiales puede elevar reflectividad en 11,2 nm; en la práctica, implica investigación compleja, metrología exquisita y suministro de berilio con calidades ultraaltas.
El mensaje de Kuznetsov es que esta vía alternativa permite una EUV más barata y eficiente en nodos maduros (14–65 nm) y competitiva sub-10 nm. La realidad técnica es que cada cambio abre nuevos problemas: reflectividades acumuladas con más espejos, resistencias a 11,2 nm, películas protectoras (pellicles), ruido y estabilidad de la fuente, metrología y alineación en 2 nm… No son imposibles, pero no hay atajos.
¿Más barato que DUV 193i? El argumento y sus matices
La presentación resume tres ventajas económicas y operativas frente a DUV por inmersión (193i):
- Sin inmersión ni múltiples exposiciones en 14–65 nm → menos capex y opex en fábricas en transición.
- Consumo energético /3 → ahorro en opex.
- Proceso limpio (sin estaño) → menos mantenimiento y mayor disponibilidad.
Si 11,2 nm funcionase como promete, es plausible que en nodos maduros —los que fabrican el grueso de chips de automoción, IoT, industrial— se abaraten costes al evitar la inmersión y el multi-patterning. La gran incógnita es si el brillo y la óptica a 11,2 nm podrán sostener productividades de cientos de wafers por hora que DUV entrega hoy con equipos amortizados y cadencias probadas. Las cifras de 50 W/h y 100 W/h que cita el roadmap (en la presentación se usan unidades poco habituales para “productividad”) no son comparables de forma directa a los wafers por hora que declara la industria. Faltan detalles.
Un guiño al pasado (y una pulla a ASML)
Kuznetsov recuerda que las tecnologías “viejas” de 13,5 nm de EUV “se obtuvieron en parte de Rusia y de científicos rusos”. No ofrece enlaces ni bibliografía en el hilo, pero el mensaje está claro: legitimidad para competir ahora con una derivada “propia” en 11,2 nm. El aviso se completa con una predicción: si esa vía abarata EUV, Europa podría ver estresada la hoja de ruta de ASML por caídas de precio y “retraso tecnológico”.
Conviene poner la frase en contexto. Que haya habido contribuciones rusas a la óptica o a la física del plasma en los noventa/2000 no cambia que ASML ha sido quien industrializó EUV con consorcios y proveedores como ZEISS. Industrializar equivale a multiplicar por mil: tolerancias, repetibilidad, supply chain, servicio global.
Lo que Rusia sí pone sobre la mesa (y lo que aún falta)
A favor:
- Una vía técnica alternativa que, si madura, diversifica la dependencia de la industria.
- Fechas y objetivos anuales que permiten medir avances (40 nm en 2026, 28/14 nm en 2029–2032…).
- Enfoque pragmático: no prometer 2 nm mañana, sino escalones que acorten la brecha, empezando por nodos donde hay volumen.
En contra (o por demostrar):
- Fuente de 11,2 nm con brillo y estabilidad suficientes.
- Multicapas Ru/Be con reflectividad acumulada competitiva para 6 espejos.
- Resists y pellicles aptos para 11,2 nm.
- Metrología y alineación en 2 nm en un ecosistema aún naciente.
- Cadena de suministro (materiales, óptica, vacuum, etapas, stages), que en EUV es global y delicadísima.
La geopolítica se suma: controles de exportación, sanciones, acceso a componentes y la posibilidad de apoyos externos —China es la gran variable, citada en tono de “jamás digas nunca” por analistas—.
¿Qué podría pasar si llega a funcionar?
- Presión a precios en 14–65 nm, donde DUV 193i —con multi-patterning— aún reina.
- Ecosistema alternativo que reduce la dependencia de un único proveedor global para EUV.
- Más jugadores en sub-10 nm con tecnologías divergentes (13,5 vs. 11,2 nm), obligando a resists, óptica y metrología a soportar dos mundos.
- Más riesgo/fragmentación en estándares, más resiliencia en suministro.
El escenario base sigue siendo que Rusia llega tarde y tendrá que probar cada paso. Pero marcar 2037 como año de EUV es, al menos, una línea de meta que permitirá distinguir humo de fuego con el paso de los años.
Cronómetro y escepticismo: dos décadas en diez años
La litografía no perdona atajos. ASML tardó décadas —con consorcios EEUU-Europa-Japón— en cerrar EUV. Rusia quiere recorrer dos décadas en doce años. ¿Es imposible? No, pero exige:
- Recursos sostenidos (ciencia, ingeniería, proveedores).
- Gobernanza de proyectos que sobreviva a ciclos políticos.
- Validaciones públicas (prototipos, tool in fab, rendimiento real) en cada jalón.
El propio Kuznetsov concede que “van tarde”, y los hitos de 2029–2032 (28 → 14 nm, 4 espejos) o 2033–2036 (13 → 9 nm, 6 espejos) aún están por detrás de lo que Occidente desplegó hace años. Pero cada paso reducirá la brecha si se ejecuta.
Conclusión: ambición, alternativa… y mucho que demostrar
La hoja de ruta rusa para EUV a 11,2 nm es, a la vez, ambiciosa y disruptiva. Si logra fuentes de xenón con brillo industrial, multicapas Ru/Be con reflectividades suficientes y metrología en 2 nm, puede crear una segunda vía hacia la litografía avanzada, con impacto en costes y competencia. Por ahora, todo son promesas y fechas.
Un sano escepticismo es pertinente; también lo es vigilar los hitos inmediatos: 2026 (40 nm), 2029–2032 (28/14 nm), 2033–2036 (13/9 nm). Si cumplen, la EUV rusa dejará de ser un chiste fácil para convertirse en alternativa. Si no, quedará como otro plan quinquenal que no sobrevivió al vacío entre el laboratorio y la fábrica.
Preguntas frecuentes
¿Qué diferencia a la litografía EUV rusa propuesta (11,2 nm) de la que usa ASML (13,5 nm)?
La ruta rusa propone operar a 11,2 nm con fuente de plasma de xenón, láseres híbridos de estado sólido y espejos multicapa Ru/Be. La EUV industrial actual usa 13,5 nm, plasma de estaño excitado por láser de CO₂ y multicapas Mo/Si. Sobre el papel, 11,2 nm mejora resolución y promete costes/energía más bajos en 14–65 nm; en la práctica, requiere resolver el brillo de la fuente, la reflectividad óptica, resists, pellicles y metrología para ser viable en fábricas.
¿Qué fechas y equipos ha anunciado Rusia en su hoja de ruta de litografía?
- 2026: stepper de 40 nm con 2 espejos y alineación de 10 nm.
- 2029–2032: escáner de 28 nm capaz de 14 nm, 4 espejos, 26×0,5 mm de campo y >50 W/h.
- 2033–2036: 13 nm e incluso 9 nm, 6 espejos, 2 nm de alineación y >100 W/h.
- 2037: EUV propia a 11,2 nm para sub-10 nm.
¿Por qué usar plasma de xenón y espejos Ru/Be?
Según la propuesta, el xenón evitaría la contaminación por estaño y, con láseres de estado sólido, reduciría el consumo energético. Los espejos Ru/Be se ajustarían mejor a 11,2 nm que los Mo/Si de 13,5 nm. El reto es demostrar brillo suficiente de la fuente y reflectividades acumuladas competitivas con 6 espejos para lograr rendimientos industriales.
¿Qué impacto tendría para Europa y para ASML si Rusia lograse EUV en 2037?
De materializarse, podría presionar precios en 14–65 nm, diversificar el suministro de EUV y abrir una segunda vía tecnológica (11,2 vs. 13,5 nm). Pero industrializar EUV exige ecosistema, proveedores y servicio global; ASML parte con ventaja tras décadas de despliegue. La hoja de ruta rusa deberá validarse hito a hito antes de hablar de impacto real.
