Rusia ha anunciado un ambicioso proyecto para desarrollar escáneres EUV (litografía ultravioleta extrema) que prometen ser más económicos y fáciles de fabricar en comparación con los avanzados equipos de ASML, líder mundial en este campo. Liderado por el Instituto de Física de Microestructuras (IPM RAS), este esfuerzo busca garantizar la independencia tecnológica de Rusia y posicionar al país como un actor relevante en mercados emergentes y menos exigentes.
Reducción de longitud de onda: un enfoque innovador
La clave de esta iniciativa radica en reducir la longitud de onda de 13,5 nm (utilizada por ASML) a 11,2 nm, lo que mejora la resolución en un 20% y reduce significativamente los costos de producción. Según Nikolay Chkhalo, científico principal del IPM RAS, el uso de fuentes de xenón en lugar de plasma de estaño prolongará la vida útil de los componentes ópticos y disminuirá los costos operativos. Este cambio también simplifica la producción de espejos y lentes, haciéndolos más accesibles para fabricantes más pequeños.
Adicionalmente, el proyecto ruso se beneficiará del uso de resistencias basadas en organosilicio, que se adaptan mejor a la nueva longitud de onda, incrementando la eficiencia de los procesos de fabricación. Aunque la capacidad de procesamiento será inferior a la de ASML, estos escáneres están diseñados para mercados más pequeños, donde el costo y la accesibilidad son factores clave.
Un plan estratégico en tres etapas
El desarrollo de esta tecnología se divide en tres fases:
- Investigación y desarrollo inicial: Centrada en resolver problemas clave de la tecnología de litografía EUV y establecer vínculos de cooperación para la producción de componentes críticos.
- Prototipos funcionales: Diseño de un escáner con sistemas clave como lentes de seis espejos, sistemas láser de alta potencia y herramientas para obleas de 200/300 mm. Este paso también incluye la integración de la litografía EUV en las cadenas de producción de chips avanzados.
- Producción en serie: Desarrollo de equipos capaces de procesar más de 60 obleas de 300 mm por hora, adaptados para aplicaciones industriales y comercialización en mercados globales.
Un enfoque pragmático frente al gigante ASML
Rusia ha optado por no replicar el modelo de ASML, cuya tecnología es extremadamente costosa y compleja. Según Chkhalo, la estrategia de ASML ha sido exitosa debido a la integración de los mejores logros globales, un enfoque difícil de emular para un solo país. En cambio, Rusia busca crear una alternativa más económica y accesible, adaptada a las necesidades de empresas fuera del top 5 mundial, que dominan actualmente el mercado de chips.
El proyecto tiene como objetivo alcanzar una topología de 7 nm para 2028, con un progreso gradual que comenzará con la fabricación de chips de 350 nm en 2024 y de 130 nm en 2026.
Retos y oportunidades
Aunque el proyecto es ambicioso, enfrenta desafíos significativos, como la falta de especialistas en Rusia y los altos costos iniciales. Según Evgeny Gornev, del Instituto de Física y Tecnología de Moscú, la industria rusa carece de personal capacitado y recursos comparables a los de ASML, que invirtió tres veces más en I+D en 2022 que todo el presupuesto ruso proyectado para este esfuerzo.
Sin embargo, la implementación exitosa de esta hoja de ruta podría posicionar a Rusia como un competidor viable en mercados más pequeños y menos exigentes, ofreciendo una solución más asequible en un sector dominado por jugadores como ASML, Nikon y Tokio Electron. Además, este avance fortalecería la independencia tecnológica del país frente a sanciones internacionales.
Impacto global
Si bien Estados Unidos y Japón fracasaron en el desarrollo de escáneres EUV competitivos, Rusia confía en su enfoque alternativo. De tener éxito, la tecnología rusa podría cambiar el panorama de la litografía avanzada, proporcionando acceso a herramientas de última generación a empresas que actualmente no pueden permitirse los equipos de ASML. Este proyecto, aunque arriesgado, podría redefinir la industria global de semiconductores.
vía: Cnews.ru
