La carrera por la memoria para Inteligencia Artificial no se limita ya a exprimir la HBM o a seguir apilando capas en la NAND. También empieza a tomar forma otra vía que durante años sonó más a promesa de laboratorio que a hoja de ruta industrial: la DRAM en 3D. En ese terreno, NEO Semiconductor acaba de dar un paso que merece atención. La compañía ha anunciado resultados satisfactorios de una prueba de concepto en silicio para su tecnología 3D X-DRAM, junto con una nueva inversión estratégica liderada por Stan Shih, fundador de Acer y exmiembro del consejo de TSMC durante más de dos décadas.
Lo importante aquí no es tanto el titular corporativo como lo que implica el anuncio. NEO sostiene que su 3D X-DRAM ha demostrado que puede fabricarse utilizando infraestructura ya madura de 3D NAND, incluidos equipos, materiales y procesos existentes. En una industria donde el coste de llevar una nueva memoria a producción suele ser casi tan importante como el rendimiento teórico, ese punto es probablemente el más relevante del comunicado. La empresa no está diciendo que ya tenga una DRAM 3D comercial lista para el mercado, pero sí que ha conseguido validar en silicio una arquitectura que intenta aprovechar parte del ecosistema industrial ya construido alrededor de la NAND vertical.
Los resultados de la prueba de concepto que ha hecho públicos la compañía son, sobre el papel, llamativos. NEO afirma haber logrado una latencia de lectura y escritura inferior a 10 nanosegundos, una retención de datos superior a un segundo a 85 ºC, resistencia a perturbaciones de bit-line y word-line también por encima de un segundo a esa temperatura, y una endurance superior a 10^14 ciclos. La empresa compara esa retención con el estándar de 64 milisegundos usado en DRAM convencional y la presenta como unas 15 veces mejor. Conviene subrayar que estas cifras proceden de la propia compañía y corresponden a una prueba de concepto, no a un producto comercial desplegado a escala.
Por qué este anuncio importa más allá del marketing
La DRAM tradicional sigue siendo esencial, pero también lleva tiempo acercándose a límites físicos y económicos cada vez más exigentes. El propio comunicado de NEO recoge la valoración de Jeongdong Choe, Senior Technical Fellow y SVP de TechInsights, que sitúa este avance dentro de una tendencia más amplia de la industria hacia arquitecturas 3D y nuevas celdas de memoria para responder a las cargas de IA y sistemas centrados en datos. Es decir, NEO no está sola intentando explorar este camino, aunque sí intenta colocarse como una de las compañías que antes ha llevado la idea desde la simulación al silicio real.
De hecho, la compañía lleva varios años construyendo este relato técnico. En mayo de 2023 presentó por primera vez su propuesta de 3D X-DRAM como una arquitectura “NAND-like” orientada a superar el cuello de botella de capacidad de la DRAM convencional. Más adelante, en mayo de 2025, NEO evolucionó esa línea con una versión basada en IGZO y habló entonces de hasta 512 Gb de densidad y 450 segundos de retención, además de insistir en que la tecnología se apoyaba en procesos compatibles con 3D NAND. Aquella fase era todavía claramente precomercial; lo nuevo ahora es que la empresa asegura haber pasado de la promesa y la simulación a una prueba física fabricada y evaluada.
Ese salto se ha producido además con una fuerte base taiwanesa. NEO explica que el POC se desarrolló junto a la National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU), en concreto con su Industry-Academia Innovation School, y que la fabricación y las pruebas se realizaron en el Taiwan Semiconductor Research Institute (NIAR-TSRI). El centro académico y el instituto de investigación avalan, según el comunicado, que el dispositivo superó evaluaciones eléctricas y de fiabilidad, lo que refuerza la credibilidad del resultado, aunque siga siendo una validación de primera fase.
Menos movimiento de datos, más densidad y una posible nueva ruta para la memoria de IA
La tesis de NEO es bastante clara: si se puede construir una DRAM vertical usando parte de la maquinaria, materiales y procesos del universo 3D NAND, el sector podría ganar una nueva ruta para escalar densidad, eficiencia energética y coste en la era de la IA. La compañía habla expresamente de aplicaciones para sistemas de IA y cómputo centrado en datos, y plantea 3D X-DRAM como una tecnología fundacional para futuras memorias de alta densidad, incluidas sus propias familias X-HBM y 3D X-AI. No es casualidad que su hoja de ruta más reciente ya intente conectar estas piezas bajo un mismo paraguas tecnológico.
Aun así, conviene mantener el realismo. Una prueba de concepto exitosa no equivale a una adopción industrial inmediata. Entre un POC y una memoria desplegada en servidores de IA hay todavía muchas etapas: implementación a nivel de arrays, nuevos test chips multinivel, validación de costes, empaquetado, integración con controladores y, sobre todo, un socio industrial con capacidad real de producción masiva. NEO reconoce precisamente que la siguiente fase se centrará en la implementación a nivel de array, el desarrollo de chips de prueba multicapa y el refuerzo de conversaciones con compañías líderes del sector de memoria y semiconductores.
La entrada de Stan Shih en esta fase también tiene lectura estratégica. Más allá del dinero, su perfil aporta legitimidad industrial y conexiones dentro del ecosistema tecnológico taiwanés, algo que puede ser decisivo en una tecnología que necesita mucho más que una buena patente para prosperar. Shih, según la propia compañía, lidera el nuevo grupo inversor que respaldará la siguiente etapa del proyecto.
Un avance serio, pero todavía en fase de construcción
La noticia, por tanto, merece atención, aunque no todavía triunfalismo. NEO no ha resuelto por sí sola el futuro de la memoria para IA, pero sí ha mostrado una señal que el sector llevaba tiempo esperando: que la DRAM 3D puede empezar a salir del terreno de la simulación y entrar en el de la fabricación real con métricas iniciales prometedoras. Si consigue convertir esa prueba de concepto en una hoja de ruta industrial creíble, podría abrir una vía muy relevante en un momento en que la demanda de memoria para IA no deja de crecer y la escalabilidad de la DRAM clásica empieza a tensionarse.
Preguntas frecuentes
¿Qué ha anunciado exactamente NEO Semiconductor?
NEO ha comunicado resultados satisfactorios de una prueba de concepto en silicio para su tecnología 3D X-DRAM y una nueva inversión estratégica liderada por Stan Shih para impulsar la siguiente fase del desarrollo.
¿Qué cifras técnicas ha dado la empresa?
La compañía habla de latencia inferior a 10 ns, retención superior a 1 segundo a 85 ºC, resistencia a perturbaciones de línea y una endurance superior a 10^14 ciclos. Son resultados aportados por la propia NEO dentro de su POC.
¿La 3D X-DRAM ya está lista para producción comercial?
No. NEO ha validado una prueba de concepto y ahora quiere avanzar hacia arrays, chips multicapa y acuerdos con fabricantes de memoria y semiconductores.
¿Por qué esta tecnología puede ser importante para la IA?
Porque NEO plantea una memoria de mayor densidad y potencialmente más eficiente, apoyada en procesos maduros de 3D NAND, lo que podría ayudar a resolver parte de las necesidades de capacidad y coste de los sistemas de IA del futuro.
vía: prnewswire
