MACOM Technology Solutions Inc. (MACOM), proveedor líder en productos semiconductores, ha sido seleccionado para liderar un proyecto de desarrollo tecnológico que se centrará en el diseño de semiconductores de nitruro de galio sobre carburo de silicio (GaN-on-SiC) para aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y microondas. Financiado por la Ley CHIPS y de Ciencia del gobierno de los Estados Unidos a través del Departamento de Defensa (DoD), el proyecto tiene como objetivo establecer procesos de fabricación avanzados para materiales basados en GaN y circuitos integrados monolíticos de microondas (MMICs) que operen a altas tensiones y en frecuencias de ondas milimétricas (mmW).
Este proyecto marca un hito en los esfuerzos de MACOM por fortalecer la producción nacional de tecnologías de potencia RF y microondas de última generación, esenciales para aplicaciones militares como el radar y los sistemas de detección, así como para la futura implementación de redes de telecomunicaciones de nueva generación. “Nuestra estrategia es aumentar la producción nacional de tecnologías avanzadas de potencia RF y microondas para respaldar las aplicaciones militares de radar y detección, además de habilitar las redes de telecomunicaciones del futuro”, afirmó Stephen G. Daly, presidente y director ejecutivo de MACOM.
Colaboración con instituciones académicas y militares
Para llevar adelante esta iniciativa, MACOM colaborará con el North Carolina State University, Adroit Materials y el Laboratorio de Investigación Naval (NRL) en el marco del Hub de Microelectrónica CLAWS (Commercial Leap-Ahead for Wide Bandgap Semiconductors). El proyecto cuenta con un financiamiento inicial de 3,4 millones de dólares para el primer año, en lo que representa una expansión de las actividades de desarrollo de tecnología GaN que MACOM ya había establecido con el DoD en años recientes.
Entre estas colaboraciones previas, destaca un acuerdo de investigación y desarrollo firmado en 2021 con el Laboratorio de Investigación de la Fuerza Aérea de los Estados Unidos (AFRL), mediante el cual MACOM transfirió exitosamente el proceso GaN-on-SiC MMIC de 0,14 micras del AFRL a su fundición de confianza ubicada en Massachusetts. Asimismo, en 2023, MACOM recibió un contrato de 4 millones de dólares para desarrollar tecnologías GaN para aplicaciones de ondas milimétricas, y una adjudicación de DARPA valorada en hasta 10,1 millones de dólares para mejorar la disipación de calor en aplicaciones de alta potencia.
MACOM y su liderazgo en tecnología GaN
MACOM, con una amplia cartera de productos que abarca tecnologías de RF, microondas, señales analógicas y mixtas y semiconductores ópticos, se ha consolidado como un actor destacado en la industria de semiconductores. La compañía, que opera instalaciones en Estados Unidos, Europa y Asia, ha logrado certificaciones internacionales como el estándar automotriz IATF16949, la norma de calidad ISO9001 y la norma de gestión ambiental ISO14001. Con estas credenciales, MACOM se posiciona como un socio estratégico en el desarrollo de soluciones tecnológicas de vanguardia que fortalecen tanto el sector de defensa como las comunicaciones y los centros de datos.
Este nuevo proyecto reafirma el compromiso de MACOM de seguir innovando y contribuyendo al desarrollo de tecnologías críticas para la seguridad nacional y el progreso de las telecomunicaciones, en un contexto en el que Estados Unidos busca reforzar su liderazgo en el ámbito de los semiconductores.
