Kioxia y Sandisk han aprovechado la Future of Memory and Storage (FMS) 2026 para presentar la décima generación de su memoria NAND Flash, BiCS10, una evolución que no se limita a aumentar el número de capas. La nueva tecnología introduce una memoria QLC de 2 Tb por chip, 332 capas y una densidad superior a 37 Gb/mm², convirtiéndose, según ambas compañías, en la memoria QLC con mayor densidad anunciada hasta la fecha.
Las claves de BiCS10 en 20 segundos
- Kioxia y Sandisk presentan BiCS10 con versiones TLC y QLC.
- La versión QLC alcanza 2 Tb por chip y 332 capas.
- La densidad supera los 37 Gb/mm², un 60 % más que BiCS8.
- Está diseñada para centros de datos, IA e infraestructuras cloud de próxima generación.
El anuncio llega en un momento en el que el crecimiento de la inteligencia artificial está disparando la demanda de almacenamiento de alta capacidad. Mientras los modelos generativos consumen cada vez más datos y las cargas de inferencia requieren infraestructuras más eficientes, los fabricantes de memoria buscan aumentar la capacidad sin incrementar proporcionalmente el espacio físico ni el consumo energético.
Más capacidad utilizando menos silicio
La principal novedad de BiCS10 es que permite fabricar SSD de mayor capacidad utilizando menos chips.
El nuevo diseño incrementa la densidad hasta un 60 % respecto a la octava generación BiCS, permitiendo almacenar más información en la misma superficie de silicio.
Las especificaciones más destacadas son:
| Característica | BiCS10 QLC |
|---|---|
| Capacidad por chip | 2 Tb |
| Número de capas | 332 |
| Tipo de memoria | QLC |
| Densidad | 37,6 Gb/mm² |
| Interfaz | Hasta 4,8 Gb/s |
Esto supone un salto importante frente a generaciones anteriores y sitúa a Kioxia y Sandisk por delante de otras soluciones anunciadas recientemente en términos de densidad.
La arquitectura CBA continúa evolucionando
La nueva generación mantiene la arquitectura CMOS directly Bonded to Array (CBA), una de las principales señas de identidad de ambas compañías.
Este diseño fabrica por separado la lógica CMOS y la matriz NAND para unir posteriormente ambas obleas mediante un proceso de unión directa de alta precisión.
Separar ambos componentes permite optimizar cada proceso de fabricación de forma independiente y aprovechar mejor el área disponible del chip.
En BiCS10 esta arquitectura incorpora además un nuevo diseño de seis planos, utilizado por primera vez en una memoria QLC del fabricante.
Esta organización mejora el aprovechamiento del espacio, aunque también introduce nuevos retos eléctricos relacionados con la alimentación, las interferencias y el ruido interno. Para compensarlo, Kioxia y Sandisk han rediseñado parte de la distribución eléctrica del chip con nuevas capas metálicas y conexiones de tierra adicionales.
También mejora el rendimiento
Tradicionalmente las memorias QLC priorizan la capacidad frente al rendimiento.
BiCS10 intenta reducir esa diferencia mediante varias optimizaciones internas.
Entre ellas destacan:
- interfaz Toggle DDR6.0
- velocidad de hasta 4,8 Gb/s
- nueva técnica LBUS Coupling Sense
- protocolo Separate Command Address (SCA)
Gracias a estas mejoras, el rendimiento interno supera los 85 MB/s por chip durante las operaciones de escritura y mejora aproximadamente un 4 % respecto a la generación anterior en determinadas cargas.
Pensada para la inteligencia artificial
Aunque las cifras llaman la atención, probablemente el aspecto más importante sea el mercado al que se dirige.
Kioxia y Sandisk dejan claro que BiCS10 no nace pensando en ordenadores personales.
Su objetivo son:
- centros de datos
- plataformas cloud
- almacenamiento para entrenamiento de IA
- sistemas de inferencia
- infraestructuras de hiperescala
En estos entornos, donde pueden instalarse miles de SSD, aumentar la densidad de cada chip permite reducir el número total de componentes necesarios para alcanzar la misma capacidad.
Más eficiencia energética
El consumo energético también ha sido uno de los focos del desarrollo.
Las nuevas memorias incorporan tecnologías como:
- PI-LTT, orientada a reducir el consumo durante la transferencia de datos.
- Bus Idle Sleep, que coloca automáticamente en reposo los chips que no están siendo utilizados dentro de un mismo encapsulado.
Aunque las compañías no han publicado cifras completas para la versión QLC, sí indican que estas mejoras buscan responder a uno de los principales desafíos actuales de los centros de datos: el consumo energético y la refrigeración asociados al crecimiento de la inteligencia artificial.
¿Cuándo llegarán los primeros SSD?
Por el momento, Kioxia y Sandisk no han anunciado productos comerciales basados en BiCS10 QLC.
La versión TLC de 1 Tb ya ha comenzado su fase de muestras y producción inicial durante 2026, mientras que la variante QLC de 2 Tb continúa avanzando hacia su comercialización.
Todo apunta a que los primeros SSD que incorporen esta tecnología estarán orientados al mercado empresarial antes de llegar, si lo hacen, al segmento de consumo.
En cualquier caso, BiCS10 marca una dirección clara para la industria: aumentar la capacidad sin disparar el tamaño físico, el consumo o los costes será una prioridad en los próximos años, especialmente a medida que la inteligencia artificial siga impulsando la demanda mundial de almacenamiento.
Preguntas frecuentes
¿Qué es BiCS10?
Es la décima generación de memoria NAND Flash desarrollada conjuntamente por Kioxia y Sandisk, disponible en versiones TLC y QLC.
¿Qué capacidad alcanza la nueva memoria QLC?
Cada chip puede almacenar 2 Tb, utilizando una estructura de 332 capas.
¿Para qué tipo de equipos está pensada?
Principalmente para centros de datos, plataformas cloud, sistemas de inteligencia artificial e infraestructuras de almacenamiento de alta capacidad.
¿Cuándo estarán disponibles los primeros SSD con BiCS10?
Las compañías no han anunciado una fecha concreta para los productos comerciales basados en la versión QLC, aunque la producción de algunas variantes TLC ya ha comenzado.
