Jensen Huang sitúa en 2030 el salto de China hacia la litografía avanzada

Jensen Huang, CEO de NVIDIA, considera que China podría disponer de sistemas propios de litografía avanzada hacia 2030, una previsión que contrasta con la situación actual de su industria de fabricación de semiconductores. El país ha avanzado en equipos de litografía domésticos, pero todavía existe una distancia considerable respecto a los sistemas más avanzados de ASML, especialmente en litografía ultravioleta extrema (EUV).

Las claves de la litografía china en 20 segundos

  • Jensen Huang sitúa hacia 2030 la posible llegada de China a sistemas avanzados propios.
  • SMEE ya produce escáneres de 193 nanómetros para procesos de aproximadamente 90 nm.
  • China ha desarrollado equipos de inmersión que apuntan a 28 nm, aunque su producción masiva todavía requiere validación.
  • La tecnología EUV exige resolver problemas de óptica, alineación, metrología y etapas de oblea mucho más complejos.
  • La previsión de Huang es una estimación, no una confirmación de que China haya alcanzado esa capacidad.

Las declaraciones de Huang se produjeron durante una entrevista con The All-In Podcast, en la que el máximo responsable de NVIDIA situó alrededor de 2030 el momento en el que China podría alcanzar capacidades propias de litografía avanzada. Su argumento parte del ritmo de industrialización del país y de su capacidad para llevar tecnologías a producción a gran escala.

La previsión, sin embargo, debe separarse del estado actual de la tecnología china. El fabricante nacional Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) dispone de equipos de litografía que permiten fabricar chips en nodos maduros, mientras que el desarrollo de sistemas de inmersión más avanzados todavía se encuentra en una fase de industrialización y validación.

La distancia es aún mayor cuando se habla de EUV, la tecnología empleada para fabricar algunos de los semiconductores más avanzados. China trabaja en componentes relacionados con esta tecnología, pero no existe evidencia pública de que haya conseguido producir un escáner EUV completo comparable a los sistemas comerciales más avanzados de ASML.

SMEE avanza en DUV, pero la fabricación masiva es el reto

La litografía es una de las etapas más complejas de la fabricación de semiconductores. Los sistemas proyectan patrones extremadamente pequeños sobre una oblea de silicio mediante luz, y su precisión determina en buena medida qué tamaño de estructuras puede producir un fabricante de chips.

China ha desarrollado capacidad propia en esta área, aunque todavía con una diferencia tecnológica importante respecto a los equipos occidentales más avanzados.

Shanghai Micro Electronics Equipment, conocida como SMEE, es actualmente uno de los principales fabricantes chinos de equipos de litografía. La compañía puede producir en volumen un escáner de litografía ultravioleta profundo (DUV) con láser de argón-flúor y longitud de onda de 193 nanómetros.

Ese tipo de equipo puede utilizarse para fabricar chips de aproximadamente 90 nanómetros, un nodo muy alejado de los procesos empleados actualmente para los semiconductores de mayor densidad.

El siguiente salto corresponde a la litografía DUV de inmersión. En este tipo de sistemas se utiliza líquido entre la lente y la oblea para aumentar la resolución de la exposición. Según las informaciones recogidas por Tom’s Hardware, SMEE habría desarrollado un escáner capaz de trabajar con procesos de 28 nanómetros, pero todavía no existe evidencia pública equivalente de que estos equipos se estén fabricando en grandes cantidades y utilizando de forma generalizada para producción de chips.

También se ha informado de la entrega del primer escáner de inmersión de una compañía china vinculada a este sector. Sin embargo, entregar una máquina y utilizarla de forma estable en una fábrica de semiconductores son dos etapas diferentes.

Los equipos de litografía necesitan procesos prolongados de cualificación antes de entrar en producción de alto volumen. Las fábricas deben comprobar su precisión, estabilidad, rendimiento y compatibilidad con el resto de las etapas de fabricación.

Por eso, incluso si los primeros equipos de este tipo llegan a fabricantes chinos durante 2026, su utilización generalizada en producción podría prolongarse varios años.

El salto a EUV es mucho más exigente

La situación resulta todavía más compleja cuando se pasa de DUV a EUV, siglas de Extreme Ultraviolet, o ultravioleta extrema.

La EUV utiliza luz con una longitud de onda de 13,5 nanómetros y requiere una combinación de tecnologías que incluye una fuente de luz especializada, óptica de altísima precisión, sistemas de posicionamiento de obleas y máscaras, alineación, control de superposición entre capas y metrología.

ASML es actualmente el principal fabricante de sistemas EUV para producción avanzada de semiconductores. Sus máquinas incorporan componentes procedentes de una extensa cadena internacional de proveedores y han requerido décadas de desarrollo.

China ha avanzado en algunos de los componentes necesarios para construir una tecnología EUV propia. Se han publicado informaciones sobre el desarrollo de fuentes de plasma generadas mediante láser capaces de producir luz en la longitud de onda necesaria de 13,5 nanómetros.

Conseguir esa fuente de luz, sin embargo, no equivale a disponer de un escáner EUV operativo para fabricar chips. El sistema completo debe integrar todos los componentes con una precisión extremadamente elevada y mantener esa precisión durante procesos industriales prolongados.

Ahí se encuentra una de las principales dificultades para cualquier fabricante que intente desarrollar una alternativa completa.

2030 es una previsión, no una fecha confirmada

Huang considera que China puede alcanzar capacidades avanzadas de litografía hacia 2030. Durante la entrevista explicó que el país tiene una gran capacidad de producción industrial y que, desde su perspectiva, el desarrollo de estas tecnologías es cuestión de tiempo.

La afirmación no significa que exista actualmente una máquina china equivalente a los sistemas más avanzados de ASML ni que haya un calendario industrial confirmado para conseguirla.

La propia evolución de los equipos DUV permite observar la magnitud del desafío. Si un fabricante todavía está desarrollando y cualificando sistemas de inmersión capaces de trabajar alrededor de 28 nanómetros, pasar desde ahí a una plataforma EUV preparada para fabricación de alto volumen exige resolver múltiples problemas tecnológicos adicionales.

Además, la comparación entre generaciones de equipos puede resultar engañosa. Igualar las capacidades de una generación antigua de sistemas de litografía no supone alcanzar el nivel de los productos actuales de un fabricante que continúa desarrollando nuevas generaciones.

Por tanto, que China consiga producir una máquina DUV de inmersión funcional no significaría automáticamente que haya alcanzado la paridad tecnológica con los sistemas comerciales contemporáneos de ASML.

La situación también está condicionada por el interés estratégico de Pekín en reducir su dependencia de proveedores extranjeros. La industria china de semiconductores está desarrollando alternativas domésticas en diferentes etapas de la cadena de fabricación, desde equipos de producción hasta materiales y componentes.

La litografía es especialmente relevante porque constituye uno de los puntos más difíciles de sustituir. Una cadena de suministro nacional necesita no solo desarrollar una máquina, sino conseguir que funcione de forma estable, tenga suficiente rendimiento y pueda integrarse en fábricas que producen grandes volúmenes de chips.

La fabricación de chips exige mucho más que una máquina

El desarrollo de un escáner de litografía no puede analizarse de forma aislada. Una fábrica avanzada necesita combinarlo con materiales adecuados, fotomáscaras, sistemas de medición, equipos de deposición y grabado, herramientas de inspección y software de control.

También resulta determinante la capacidad para mantener la precisión entre sucesivas capas del chip. La alineación y la superposición de patrones deben mantenerse dentro de tolerancias extremadamente reducidas.

En EUV, estas exigencias aumentan todavía más. La fuente de luz, los espejos, la cámara de vacío, las etapas de posicionamiento y los sistemas de control deben funcionar como un conjunto coordinado.

Por eso, el camino que separa un prototipo de una máquina utilizada diariamente en una fábrica de alto volumen puede ser largo. La experiencia acumulada por los fabricantes de equipos y sus proveedores es una parte importante de esa ecuación.

China está intentando acortar ese recorrido mediante inversión, investigación y desarrollo de una cadena industrial doméstica. Huang considera que la velocidad con la que el país puede llevar una tecnología a producción puede hacer posible alcanzar avances importantes antes de 2030.

El resultado dependerá de si los prototipos y equipos iniciales pueden convertirse en sistemas de producción fiables y competitivos. Por ahora, las evidencias públicas muestran avances en DUV y en componentes relacionados con EUV, pero no una plataforma china de litografía EUV comparable a las máquinas comerciales más avanzadas de ASML.

La fecha de 2030 planteada por Huang debe entenderse, por tanto, como una previsión sobre la evolución tecnológica china, no como un anuncio de una máquina ya desarrollada o de un producto con disponibilidad industrial confirmada.

Preguntas frecuentes

¿Qué ha dicho Jensen Huang sobre la litografía china?

El CEO de NVIDIA considera que China puede alcanzar sistemas propios de litografía avanzada hacia 2030 y sostiene que su capacidad industrial puede acelerar ese desarrollo.

¿Qué equipos de litografía produce actualmente China?

SMEE produce escáneres DUV de 193 nanómetros utilizados para procesos de aproximadamente 90 nm. También se han desarrollado sistemas DUV de inmersión orientados a procesos de 28 nm, aunque su producción y utilización a gran escala todavía requieren validación.

¿China ya tiene una máquina EUV comparable a ASML?

No existe evidencia pública de que China haya conseguido un escáner EUV completo comparable a los sistemas comerciales más avanzados de ASML. El desarrollo de una fuente de luz EUV es solo una parte de la tecnología necesaria.

¿Qué tendría que resolver China para fabricar equipos EUV?

Entre otros elementos, tendría que integrar una fuente EUV, óptica de precisión, sistemas de posicionamiento y alineación, metrología y otros componentes capaces de funcionar de manera estable en producción de alto volumen.

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