Durante el simposio VLSI 2025 celebrado en Kioto, Japón, Intel presentó las capacidades avanzadas de su nuevo nodo de fabricación Intel 18A, que combina las tecnologías RibbonFET (GAA) y PowerVia, alcanzando importantes mejoras en rendimiento, eficiencia energética y densidad frente a generaciones anteriores como Intel 3.
Un salto generacional: más allá de Intel 3
Según los datos presentados en la ponencia T1-1 del evento, Intel 18A consigue una mejora del 30 % en densidad, una reducción del 36 % en consumo energético, y un incremento de hasta el 25 % en rendimiento frente a su nodo Intel 3. Este avance representa una evolución significativa en la estrategia de Intel Foundry Services (IFS), consolidando su apuesta por volver a liderar la carrera tecnológica en semiconductores.
Intel 18A incorpora bibliotecas de alto rendimiento (HP) y alta densidad (HD), permitiendo un diseño optimizado y una mayor facilidad de implementación para sus socios. El nodo es compatible tanto con productos propios como con los diseños de terceros, dentro del modelo de fundición abierta que promueve Intel.
RibbonFET y PowerVia: los pilares de la innovación
La clave de estas mejoras radica en la introducción de RibbonFET, la primera arquitectura de transistores gate-all-around (GAA) de Intel, que sustituye a los tradicionales FinFET tras más de una década de uso. Esta arquitectura apila verticalmente canales con forma de cinta, permitiendo mayor control de la corriente, mayor eficiencia y escalado.
Complementando esta innovación se encuentra PowerVia, una arquitectura pionera de distribución de energía por la parte posterior del chip (BSPDN). Al llevar las conexiones de alimentación a la parte trasera, PowerVia libera el frontal del silicio para flujos de datos, mejorando el rendimiento y reduciendo el consumo.
Ambas tecnologías combinadas permiten a Intel no solo alcanzar nuevas cotas de eficiencia y potencia, sino también simplificar el enrutamiento del diseño de circuitos, reducir interferencias y facilitar la integración de funciones complejas.
Comparativa con generaciones anteriores
La presentación también contextualizó estos avances con respecto a nodos anteriores. El proceso Intel 7, usado desde Alder Lake (12ª Gen) hasta Raptor Lake Refresh (14ª Gen), partía de una base de 10 nm con mejoras (Enhanced SuperFin). Intel 4 y posteriormente Intel 3 introdujeron la litografía EUV real, aplicada en las series Meteor Lake y Xeon Granite Rapids, respectivamente.
Con Intel 20A (~2 nm), Intel ya había dado un gran paso hacia la próxima generación, pero ahora Intel 18A (~1,8 nm) lo supera con avances adicionales en escalado, rendimiento y eficiencia. Entre ambos nodos, las mejoras en densidad pueden alcanzar un 20 %, el rendimiento hasta un 15 % y la eficiencia energética en torno a otro 15 %.
Chips Panther Lake y producción en 2025
Los primeros procesadores en utilizar Intel 18A serán Panther Lake, orientados a portátiles, cuyo lanzamiento está previsto para la segunda mitad de 2025. Además, empresas como NVIDIA ya están evaluando este nodo para sus futuros chips de alto rendimiento.
Una apuesta estratégica de Intel Foundry
Intel planea ofrecer Intel 18A como tecnología abierta dentro de su división de fundición, permitiendo que empresas externas accedan a este nodo para sus propios diseños. Con este movimiento, Intel busca competir de forma más agresiva con TSMC y Samsung, ofreciendo un ecosistema competitivo basado en tecnologías líderes como RibbonFET y PowerVia.
Este nuevo nodo no solo representa un avance técnico, sino también una afirmación estratégica: Intel está decidida a recuperar su posición como referente tecnológico en la fabricación de semiconductores. Con una producción de alto volumen prevista para 2025, Intel 18A marca el inicio de una nueva etapa en el diseño y fabricación de chips para la próxima generación de dispositivos inteligentes, centros de datos y soluciones IA.
