La compañía alemana se adelanta al mercado tras el anuncio del cierre de la producción GaN por parte de TSMC, posicionándose como referente global en tecnología de nitruro de galio
Infineon Technologies AG ha confirmado que su hoja de ruta para la fabricación de semiconductores de nitruro de galio (GaN) sobre obleas de 300 milímetros avanza según lo previsto. La multinacional alemana, que opera bajo el modelo IDM (Integrated Device Manufacturer), ofrecerá las primeras muestras a clientes en el cuarto trimestre de 2025, reforzando así su papel como actor clave en el mercado global de componentes de potencia avanzados.
El anuncio llega en un momento estratégico: TSMC, principal competidor en el segmento, ha comunicado el cese de su línea de producción de GaN y el desmantelamiento de sus instalaciones en los próximos dos años. Este movimiento abre una importante ventana de oportunidad para Infineon, que se convierte así en el primer fabricante en integrar con éxito tecnología GaN de 300 mm en una infraestructura de producción de alto volumen.
Eficiencia y escalabilidad: ventajas de las obleas de 300 mm
La transición de las tradicionales obleas de 200 mm a 300 mm supone un avance técnico y económico de gran calado. Según la compañía, este cambio permite producir hasta 2,3 veces más chips por oblea, lo que mejora notablemente la eficiencia y contribuye a lograr paridad de costes con productos equivalentes basados en silicio.
“Con la fabricación a escala completa de GaN en 300 mm podremos ofrecer más valor a nuestros clientes más rápidamente, al tiempo que avanzamos hacia la competitividad en costes frente al silicio”, ha señalado Johannes Schoiswohl, director de la línea de negocio GaN de Infineon. “Nuestra estrategia IDM y las inversiones previas en infraestructura están dando frutos”.
Un enfoque integral y diferenciado
Infineon domina las tres tecnologías clave en semiconductores de potencia: silicio (Si), carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN). Esta versatilidad, junto con un control total del proceso de producción –desde el diseño hasta el producto final–, le permite ofrecer soluciones personalizadas y escalables para aplicaciones emergentes en sectores como:
- Automoción eléctrica
- Sistemas de energía para inteligencia artificial
- Robótica industrial
- Inversores solares y controladores de motor
- Cargadores rápidos y adaptadores inteligentes
El GaN, en particular, destaca por su alta densidad de potencia, velocidades de conmutación más rápidas y menores pérdidas de energía, lo que se traduce en diseños más compactos y eficientes desde el punto de vista térmico.
Una apuesta respaldada por el mercado
De acuerdo con el informe del Yole Group, el mercado de semiconductores de potencia GaN crecerá a un ritmo del 36 % anual, alcanzando un volumen de negocio de 2.500 millones de dólares estadounidenses en 2030. Infineon ya ha anunciado más de 40 nuevos productos basados en GaN en los últimos 12 meses, consolidando así su liderazgo tecnológico e industrial.
Frente a la retirada de TSMC del mercado GaN –centrada ahora en procesadores lógicos de alto margen–, Infineon refuerza su posición como proveedor preferente para clientes que buscan soluciones de alta fiabilidad, escalables y competitivas en coste.
Hacia una nueva era de eficiencia energética
La integración de tecnología GaN en obleas de 300 mm marca un punto de inflexión en la industria de semiconductores de potencia, acelerando la transición hacia dispositivos más eficientes, sostenibles y adaptados a las nuevas exigencias del mercado, desde el hogar inteligente hasta el vehículo eléctrico o los centros de datos de inteligencia artificial.
Con una sólida capacidad de fabricación, un equipo dedicado de expertos en GaN y una de las carteras de propiedad intelectual más amplias del sector, Infineon se posiciona como referente europeo y global en la era post-silicio.
vía: infineon