El fabricante chino CXMT (ChangXin Memory Technologies) habría conseguido introducir la tecnología High-k Metal Gate (HKMG) en su proceso G4 de DRAM y en productos LPDDR5X, un avance relevante para reducir las fugas eléctricas que aparecen a medida que se miniaturizan los transistores. La compañía continúa así recortando terreno frente a Samsung, SK hynix y Micron mientras desarrolla su siguiente proceso G5, situado en torno a los 15 nanómetros.

Las claves del avance de CXMT en 30 segundos

• CXMT habría incorporado HKMG a su proceso G4 de 16 nm y LPDDR5X, una tecnología utilizada desde hace años por fabricantes líderes.
• HKMG emplea materiales de alta constante dieléctrica y puertas metálicas para controlar mejor las fugas eléctricas.
• La compañía desarrolla ya su siguiente generación G5, de unos 15 nm.
• CXMT también trabaja en HBM, aunque sigue por detrás de Samsung, SK hynix y Micron.
• Su capacidad de producción crece rápidamente, pero las estimaciones sobre su volumen futuro varían considerablemente según la fuente.

El avance es especialmente interesante porque no consiste simplemente en producir más memoria. CXMT está incorporando técnicas de fabricación necesarias para seguir reduciendo el tamaño de los transistores DRAM, precisamente uno de los ámbitos donde la distancia tecnológica respecto a los tres grandes fabricantes internacionales continúa siendo relevante.

La propia CXMT ya comercializa DDR5 de hasta 8.000 Mbps y LPDDR5X que alcanza 10.667 Mbps. Esta última familia entró parcialmente en producción en masa en mayo de 2025, mientras que las versiones de mayor velocidad comenzaron posteriormente su fase de muestras para clientes.

Por qué sustituir materiales dentro del transistor importa tanto

La miniaturización de DRAM lleva años encontrándose con un problema físico. Cuando determinadas capas aislantes convencionales se hacen extremadamente delgadas, aumenta la corriente de fuga por efectos como el túnel cuántico.

HKMG busca aliviar ese problema mediante materiales con una constante dieléctrica elevada (High-k) y una puerta metálica.

Uno de los materiales utilizados habitualmente en este tipo de estructuras es el óxido de hafnio (HfO₂). Su mayor constante dieléctrica permite mantener determinadas propiedades eléctricas utilizando una capa físicamente más gruesa que con dióxido de silicio convencional, reduciendo así las fugas.

La segunda parte de HKMG es igualmente importante: sustituye el electrodo tradicional de polisilicio por una puerta metálica.

CXMT no está descubriendo esta tecnología. Fabricantes más avanzados llevan años trabajando con ella. SK hynix, por ejemplo, anunció en 2022 su aplicación de HKMG a DRAM móvil y posteriormente explicó que esta tecnología había sido una de las piezas utilizadas para desarrollar LPDDR5X y LPDDR5T de mayor velocidad y menor consumo.

La noticia está en que CXMT habría alcanzado la madurez suficiente para introducir HKMG en producción dentro de su propia tecnología DRAM.

ZDNet Korea sitúa su G4 en la clase de 16 nm y señala que la compañía está desarrollando G5, de aproximadamente 15 nm. Según la misma información, CXMT todavía mantendría alrededor de dos generaciones de distancia respecto a los principales fabricantes.

Por tanto, resulta prematuro interpretar HKMG como una prueba de que CXMT ya ha alcanzado tecnológicamente a Samsung, SK hynix o Micron.

De DDR5 a HBM: CXMT amplía sus objetivos

El siguiente frente es la High Bandwidth Memory (HBM), la memoria de alto ancho de banda utilizada junto a GPU y aceleradores de inteligencia artificial.

Según la información procedente de Corea, CXMT habría entrado en producción de riesgo de HBM2E utilizando su proceso G3 de aproximadamente 18 nm y estaría realizando muestras de HBM3 fabricada mediante G4.

Conviene diferenciar estas fases de una producción comercial a gran escala. El catálogo público actual de CXMT continúa concentrándose en DDR5, LPDDR5/5X, DDR4 y LPDDR4X, sin presentar HBM como una familia comercial equivalente.

Eso sitúa al fabricante chino en una posición muy diferente de SK hynix, Samsung y Micron, que compiten actualmente en generaciones mucho más avanzadas de HBM para aceleradores de IA.

También explica por qué las noticias sobre los progresos de CXMT deben leerse en dos planos diferentes. En DRAM convencional, la empresa ya tiene productos competitivos y está aumentando rápidamente su producción. En las memorias más avanzadas para IA, todavía debe demostrar capacidad de fabricación, rendimiento, empaquetado y cualificación con clientes a gran escala.

Su avance, aun así, tiene implicaciones para la industria porque China está intentando reducir una de sus principales dependencias tecnológicas en semiconductores: la memoria avanzada.

CXMT aumenta producción y se acerca al tamaño industrial de Micron

La otra parte de la ecuación es la capacidad fabril.

Las cifras disponibles no permiten afirmar como un hecho que CXMT vaya a producir exactamente 800.000 obleas mensuales en 2031. Las estimaciones publicadas presentan diferencias importantes.

Counterpoint Research calcula que CXMT dispone actualmente de alrededor de 320.000 obleas mensuales de capacidad y podría alcanzar unas 420.000 en 2027. La firma considera que la compañía pretende duplicar capacidad para 2030 y triplicarla para 2035.

Otros modelos son incluso más agresivos. Estimaciones atribuidas a SemiAnalysis sitúan la capacidad alrededor de 350.000 obleas mensuales al terminar 2026 y unas 420.000 al cierre de 2027.

A esto se añaden nuevos proyectos fabriles. CXMT opera instalaciones de DRAM en Hefei y Pekín y continúa ampliando su infraestructura industrial, con nuevos proyectos que podrían elevar considerablemente su producción durante los próximos años.

Por eso el número de obleas tampoco debe confundirse directamente con cuota de mercado.

Dos fabricantes pueden procesar cantidades similares de obleas y producir volúmenes muy diferentes de memoria útil si emplean procesos distintos, tienen diferente densidad por chip o trabajan con rendimientos de fabricación diferentes.

Ahí continúa una de las ventajas de Samsung, SK hynix y Micron.

CXMT puede acercarse a ellos en capacidad física de fabricación antes de hacerlo en bits producidos, coste por bit o productos de gama alta. Las cifras públicas disponibles tampoco permiten comparar de forma homogénea sus rendimientos de fabricación (yield) con los de sus competidores.

La presión competitiva, sin embargo, está aumentando.

Durante años, la industria mundial de DRAM ha estado extraordinariamente concentrada alrededor de Samsung Electronics, SK hynix y Micron. CXMT está construyendo la escala necesaria para convertirse en un cuarto participante mucho más difícil de ignorar.

La incorporación de HKMG resulta relevante precisamente por eso. Construir fábricas permite aumentar capacidad, pero dominar materiales, estructuras de transistor y procesos más pequeños determina qué memorias pueden salir de esas fábricas.

El fabricante chino todavía tiene distancia tecnológica que recuperar, especialmente en HBM y las generaciones más avanzadas de DRAM. Pero el salto desde memorias convencionales hacia DDR5, LPDDR5X, procesos G4 con HKMG y el desarrollo de G5 muestra que la competición ya no se limita a productos de generaciones anteriores.

Preguntas frecuentes

¿Qué ha conseguido CXMT con la tecnología HKMG?

Según información publicada en Corea, CXMT ha incorporado High-k Metal Gate a su proceso DRAM G4 de aproximadamente 16 nm y a productos LPDDR5X. Esta tecnología ayuda a controlar las fugas eléctricas cuando los transistores se hacen más pequeños.

¿CXMT ya está al nivel de Samsung, SK hynix y Micron?

No. Las fuentes consultadas todavía sitúan a CXMT aproximadamente dos generaciones por detrás de los fabricantes líderes en determinados procesos, aunque la distancia se está reduciendo y su capacidad de producción aumenta.

¿CXMT fabrica memoria HBM para inteligencia artificial?

CXMT estaría trabajando en HBM2E y realizando muestras de HBM3, pero estas fases no equivalen a disponer de producción comercial de HBM avanzada a la escala de los principales fabricantes.

¿CXMT llegará a 800.000 obleas mensuales?

Existen previsiones que apuntan a fuertes incrementos de capacidad durante los próximos años, pero 800.000 obleas mensuales en 2031 debe tratarse como una estimación, no como una capacidad confirmada por CXMT. Otras previsiones sitúan su evolución en cifras diferentes.

vía: wccftech