La Universidad de Fudan rompe récords con una memoria no volátil ultrarrápida ideal para aplicaciones en Inteligencia Artificial
Investigadores de la Universidad de Fudan, en Shanghái, han anunciado el desarrollo de la memoria Flash más rápida del mundo, marcando un hito sin precedentes en la historia de la computación. Bautizado como PoX (Phase-change Oxide), este nuevo tipo de memoria no volátil es capaz de realizar operaciones de escritura en tan solo 400 picosegundos, es decir, 0,0000000004 segundos. Para ponerlo en perspectiva, es unas 300.000 millones de veces más rápida que el parpadeo humano, que tarda aproximadamente 300 milisegundos.
Este avance representa un paso de gigante frente a las memorias tradicionales. Las SRAM y DRAM, ampliamente utilizadas en la actualidad, escriben datos en tiempos de entre 1 y 10 nanosegundos, pero su carácter volátil hace que pierdan toda la información al apagarse. En cambio, las memorias NAND Flash, presentes en SSD y unidades USB, retienen los datos sin alimentación, aunque sus velocidades se sitúan entre microsegundos y milisegundos, lo que las hace inadecuadas para tareas de alta demanda en tiempo real como las que requiere la Inteligencia Artificial (IA).
PoX: El salto tecnológico hacia una nueva era de computación
El chip PoX desarrollado en Fudan combina dos ventajas clave: no volatilidad y velocidad de conmutación ultrarrápida, superando ampliamente el anterior récord de escritura de 2 millones de operaciones por segundo. Su rendimiento la sitúa como una candidata ideal para eliminar el cuello de botella que actualmente limita a los sistemas de IA, donde la mayor parte del consumo energético se destina al movimiento de datos, y no al procesamiento.
Uno de los elementos clave para este avance ha sido el abandono del silicio tradicional como material base. En su lugar, el equipo liderado por el profesor Zhou Peng recurrió al grafeno bidimensional tipo Dirac, famoso por su capacidad para facilitar un flujo de carga rápido y sin restricciones.
Además, los investigadores optimizaron la arquitectura interna ajustando la longitud gaussiana del canal de memoria, permitiendo un fenómeno llamado superinyección 2D, donde los electrones se desplazan de forma casi ilimitada hacia la capa de almacenamiento. Esto elimina prácticamente cualquier restricción de velocidad propia de las memorias convencionales.
¿Un producto exclusivo para la IA?
Aunque aún no se han revelado detalles sobre su comercialización, todo apunta a que esta tecnología tendrá como destino principal el campo de la Inteligencia Artificial. Gracias a su bajo consumo energético y su extraordinaria velocidad de escritura, PoX podría integrarse en futuros sistemas de IA, acelerando tanto el entrenamiento como la inferencia de modelos complejos.
“El aumento de la velocidad es un gran avance que supera por completo un cuello de botella teórico de los actuales marcos tecnológicos de almacenamiento”, explicó Liu Chunsen, investigador del Laboratorio Estatal Clave de Chips y Sistemas Integrados en la Universidad de Fudan.
“Mediante el uso de algoritmos de IA para optimizar las condiciones de prueba del proceso, hemos avanzado significativamente en esta innovación y allanado el camino para sus futuras aplicaciones”, añadió.
En resumen
Este desarrollo sitúa a China en la vanguardia de la tecnología de memorias, un sector estratégico para la autonomía tecnológica y el avance de la inteligencia artificial. Aunque aún falta tiempo para que esta tecnología llegue a dispositivos comerciales, su potencial para transformar el rendimiento de sistemas de alto nivel es indiscutible.
La memoria PoX podría ser el catalizador que redefina los límites de la computación moderna.
Fuente: Bastille Post
