Marvell revoluciona la memoria con la primera SRAM de 2 nm para centros de datos de IA
La compañía estadounidense lanza una innovación que promete mayor ancho de banda, menor consumo energético y ahorro de espacio en silicio, dirigida a la infraestructura cloud y clústeres de inteligencia artificial. Marvell Technology ha vuelto a situarse en el centro de la conversación tecnológica con un anuncio que puede redefinir el futuro de la memoria en los centros de datos. La firma con sede en Santa Clara (California) ha presentado la primera memoria SRAM personalizada de 2 nanómetros de la industria, un avance que busca responder a una de las grandes limitaciones de la era de la inteligencia artificial: la velocidad, eficiencia y densidad de la memoria dentro de los chips. El anuncio llega en un momento clave. El auge