
Micron acelera en memoria para IA con HBM4E y diseños personalizados
Micron ha situado la memoria en el centro de su estrategia para la inteligencia artificial. La compañía prepara el salto a HBM4E en 2027, avanza en DRAM 1-gamma, acelera su nodo NAND G9 y empieza a hablar con más claridad de diseños de memoria personalizados para plataformas de IA. El mensaje es sencillo: en la próxima generación de centros de datos, la memoria ya no será un componente secundario alrededor de la GPU, sino una pieza estratégica del rendimiento, el coste y la disponibilidad. La presión llega de varios frentes a la vez. Los modelos de lenguaje más grandes necesitan más ancho de banda. La inferencia agéntica consume contexto, caché y accesos constantes a memoria. Los sistemas rack-scale exigen más




