
3D X-DRAM de NEO: prueba en silicio acerca la DRAM 3D a la IA
La memoria para Inteligencia Artificial ya no se mueve solo entre apilar capas de NAND y exprimir hasta el último byte de la HBM. Empieza a abrirse otra vía que llevaba años sonando a promesa de laboratorio: la DRAM en 3D. En ese frente, NEO Semiconductor acaba de dar un paso que conviene mirar con atención. La compañía ha presentado resultados satisfactorios de una prueba de concepto en silicio de su tecnología 3D X-DRAM, junto con una nueva inversión estratégica liderada por Stan Shih, fundador de Acer y exmiembro del consejo de TSMC durante más de dos décadas. El dato más relevante no es la cifra de inversión, sino que NEO afirma haber fabricado y validado el dispositivo usando infraestructura




