
SK hynix avanza con HBM por unión híbrida ante la carrera de la IA
SK hynix ha dado un paso técnico relevante en la evolución de la memoria HBM al verificar una pila de 12 capas unida mediante hybrid bonding, una tecnología de empaquetado avanzada que podría ser decisiva para las próximas generaciones de memoria de alto ancho de banda. La compañía surcoreana no ha revelado cifras concretas de rendimiento de fabricación, pero sí ha reconocido que trabaja para elevar el yield hasta un nivel compatible con producción en masa. El anuncio, realizado por Kim Jong-hoon, líder técnico de SK hynix, durante la conferencia Beyond HBM celebrada en Seúl, llega en plena carrera por HBM4 y HBM5. La demanda de aceleradores de inteligencia artificial ha convertido esta memoria en uno de los componentes más




