
SK hynix instala el primer sistema comercial High NA EUV para revolucionar la memoria DRAM
SK hynix anunció la puesta en marcha del primer sistema de litografía EUV de alta apertura numérica (High NA EUV) para producción en masa en su planta M16 de Icheon, Corea del Sur. El equipo, el modelo TWINSCAN EXE:5200B de ASML, marca un hito en la industria global de semiconductores al abrir la puerta a patrones más finos y densidades de transistores sin precedentes, fundamentales para la próxima generación de memorias DRAM y aplicaciones de inteligencia artificial. Qué significa High NA EUV La litografía EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) utiliza longitudes de onda extremadamente cortas de luz ultravioleta para grabar patrones en las obleas de silicio. La clave del nuevo sistema está en su apertura numérica (NA): mientras los equipos EUV