SK hynix ha aprobado una inversión de aproximadamente 54 billones de wones surcoreanos para construir dos nuevas fábricas de memoria en Corea del Sur, una dedicada principalmente a DRAM y HBM y otra centrada en NAND Flash. La compañía destinará 35,2 billones de wones a la planta Y2 del clúster de Yongin y otros 19,1 billones a la futura M17 de Cheongju, en uno de sus mayores movimientos industriales para responder al crecimiento de la demanda de memoria asociada a inteligencia artificial.
Las claves de la inversión de SK hynix en 20 segundos
- SK hynix invertirá unos 54 billones de wones en dos nuevas fábricas.
- Y2, en Yongin, producirá HBM y DRAM de próxima generación.
- M17, en Cheongju, ampliará la capacidad de NAND Flash, especialmente para SSD empresariales.
- Las primeras salas limpias abrirán en diciembre de 2028 y junio de 2029.
- La compañía espera que la demanda de DRAM y NAND crezca a una tasa anual compuesta del 19 % hasta 2030.
La decisión llega en un momento en el que la memoria ha dejado de ser un componente secundario dentro de la carrera de la inteligencia artificial. Los aceleradores necesitan HBM para alimentar las GPU con grandes cantidades de datos, los servidores incorporan cantidades crecientes de DRAM y la inferencia está aumentando además la demanda de almacenamiento NAND de alto rendimiento.
Para SK hynix, ese cambio no representa un ciclo temporal. La compañía considera que la memoria está pasando a formar parte de la infraestructura que determina directamente el rendimiento de los sistemas de IA.
Yongin Y2: más capacidad para HBM y DRAM
La mayor parte de la inversión irá a Yongin Y2, segunda de las cuatro fábricas previstas dentro del Yongin Semiconductor Cluster.
SK hynix destinará 35,2 billones de wones a esta instalación, que tendrá aproximadamente 1,13 millones de metros cuadrados de superficie construida. Las obras comenzarán en julio de 2027 y la primera sala limpia debería estar disponible en junio de 2029.
Su función será producir:
- HBM de futuras generaciones;
- DRAM avanzada;
- otros productos de memoria destinados principalmente a sistemas de alto rendimiento.
La compañía ya está construyendo Y1, cuya primera sala limpia está prevista para febrero de 2027. Y2 será el siguiente paso de un proyecto mucho mayor.
SK hynix ha decidido además acelerar todo el calendario de Yongin. El plan original contemplaba completar las cuatro fábricas en 2045, pero ahora pretende terminar el conjunto en 2033, doce años antes de lo inicialmente previsto.
El clúster completo ocupa aproximadamente 4,16 millones de metros cuadrados y su infraestructura básica de electricidad y agua para las primeras fases se encontraba ya al 99 % de ejecución cuando la empresa anunció la nueva inversión.
Cheongju M17: la IA también dispara la demanda de NAND
La segunda fábrica será M17, situada en Cheongju.
SK hynix invertirá aproximadamente 19,1 billones de wones en este complejo, cuya superficie total rondará los 680.000 metros cuadrados.
Las obras comenzarán en febrero de 2027 y la primera sala limpia está prevista para diciembre de 2028.
M17 estará orientada fundamentalmente a ampliar la producción de NAND Flash.
Esta parte de la inversión resulta especialmente interesante porque demuestra que el impacto de la inteligencia artificial no se limita a HBM.
El crecimiento de los servicios de IA está aumentando rápidamente la demanda de SSD empresariales, utilizados para alimentar enormes conjuntos de datos y almacenar información durante los procesos de entrenamiento e inferencia.
TrendForce señala además que la proporción de los SSD dentro del negocio NAND de SK hynix ha crecido con fuerza: desde alrededor del 50 % de los ingresos NAND en el segundo trimestre de 2025 hasta aproximadamente el 70 % en el segundo trimestre de 2026.
El KV Cache empieza a cambiar también el mercado del almacenamiento
SK hynix menciona explícitamente otro fenómeno que está elevando la necesidad de NAND: el KV Cache.
Durante la inferencia de un gran modelo de lenguaje se generan vectores de claves y valores que pueden reutilizarse para evitar repetir determinados cálculos. Cuanto más larga es una conversación o mayor es la ventana de contexto, más memoria necesita esa caché.
Tradicionalmente buena parte del KV Cache reside en memoria de alta velocidad, pero las arquitecturas de IA empiezan a utilizar almacenamiento rápido como nivel adicional cuando los volúmenes crecen.
Esto abre nuevas oportunidades para los SSD empresariales.
La aparición de agentes de IA, modelos con contextos mucho mayores y sistemas de inteligencia artificial física podría incrementar todavía más esa demanda durante los próximos años. SK hynix cita precisamente el KV Cache como una de las razones para ampliar su producción de NAND.
Una inversión de 54 billones dentro de un plan mucho mayor
Los dos proyectos recién aprobados son solamente una parte de una estrategia industrial de dimensiones extraordinarias.
SK hynix mantiene un plan de inversión de hasta:
| Zona | Plan a largo plazo |
|---|---|
| Yongin Semiconductor Cluster | 600 billones de wones |
| Cheongju | 100 billones de wones |
| Nuevos proyectos Y2 + M17 | 54,3 billones de wones |
Yongin se convertirá en uno de los mayores polos mundiales de producción de memoria avanzada, mientras Cheongju ampliará la capacidad NAND aprovechando que ya dispone de las fábricas M11, M12 y M15, además de infraestructura eléctrica y de agua existente.
Precisamente esa infraestructura previa fue una de las razones para elegir Cheongju como emplazamiento de M17: permite poner nueva capacidad en funcionamiento más rápidamente.
La demanda de memoria crecería un 19 % anual hasta 2030
El dato que explica el tamaño de estas inversiones procede de las previsiones utilizadas por SK hynix.
Según Omdia, citada por la compañía, la demanda tanto de DRAM como de NAND crecería a una tasa anual compuesta del 19 % entre 2025 y 2030.
Ese ritmo es extraordinariamente alto para una industria madura como la memoria.
La inteligencia artificial está alterando además la composición de esa demanda.
En DRAM, las prioridades se desplazan hacia:
- HBM;
- memoria DDR5 de servidor;
- soluciones especializadas para aceleradores.
En NAND, el crecimiento procede principalmente de:
- SSD empresariales;
- almacenamiento para centros de datos;
- cachés de inferencia;
- nuevas arquitecturas para IA.
TrendForce también viene señalando que el aumento del consumo de HBM puede tensionar simultáneamente la oferta de DRAM convencional, porque los fabricantes deben decidir cómo distribuir capacidad limitada entre distintos productos.
Más fábricas no significan más memoria inmediatamente
La inversión tampoco resolverá de forma inmediata la actual tensión del mercado.
Una fábrica de semiconductores necesita años para pasar desde el inicio de las obras hasta la producción comercial.
Incluso cuando se abre la primera sala limpia todavía hay que instalar maquinaria, cualificar procesos, mejorar rendimientos y aumentar gradualmente la producción.
SK hynix deja claro que las fábricas se construirán según el calendario previsto, pero la instalación de equipos y la ampliación efectiva de las salas limpias se ejecutarán progresivamente en función de la demanda de los clientes.
Por eso Y2 y M17 son una respuesta fundamentalmente para finales de esta década.
A corto plazo, el mercado continuará dependiendo principalmente de la capacidad existente y de las mejoras introducidas en las actuales líneas de producción.
La memoria se convierte en infraestructura estratégica para la IA
Durante los primeros años del actual boom de inteligencia artificial, gran parte de la conversación estuvo centrada en las GPU.
Ahora empieza a quedar claro que el acelerador es solamente una pieza del sistema.
Un servidor de IA necesita:
GPU + HBM + DRAM + almacenamiento + red + energía
Si cualquiera de esas capas se convierte en un cuello de botella, el rendimiento de todo el sistema queda limitado.
SK hynix se encuentra en una posición especialmente interesante porque participa en varias de ellas mediante HBM, memoria convencional y NAND empresarial.
La compañía considera que en este mercado ya no basta con tener la tecnología más avanzada. También hay que ser capaz de proporcionar suficiente volumen exactamente cuando el cliente necesita desplegarlo.
La aprobación simultánea de Y2 y M17 refleja precisamente ese cambio.
No se trata únicamente de fabricar más memoria RAM o más chips para SSD. SK hynix está preparando capacidad industrial para un escenario en el que los centros de datos de IA consumirán cantidades de memoria muy superiores a las utilizadas hasta ahora.
Y, aunque las nuevas fábricas no comenzarán a aliviar el mercado hasta 2028 y 2029, su construcción muestra que los fabricantes ya están planificando la infraestructura de memoria que necesitará la inteligencia artificial a finales de esta década.
Preguntas frecuentes
¿Cuánto invertirá SK hynix en sus nuevas fábricas?
La compañía ha aprobado aproximadamente 54 billones de wones, distribuidos entre 35,2 billones para Yongin Y2 y 19,1 billones para Cheongju M17.
¿Qué fabricará la planta Y2?
Y2 estará orientada a producir HBM y DRAM de próxima generación. Su primera sala limpia está prevista para junio de 2029.
¿Qué producirá M17?
La fábrica M17 ampliará principalmente la capacidad de NAND Flash, especialmente ante el crecimiento de los SSD empresariales utilizados en infraestructura de IA.
¿Estas nuevas fábricas harán bajar pronto el precio de la RAM y los SSD?
No necesariamente. Las primeras salas limpias no llegarán hasta finales de 2028 y mediados de 2029, y la capacidad se incorporará progresivamente. Por tanto, su impacto será principalmente de medio y largo plazo.
Fuentes:
