Samsung Electronics ha decidido recuperar su tecnología de memoria Z-NAND, abandonada hace siete años, con el objetivo de responder a la creciente demanda de rendimiento en cargas de trabajo de inteligencia artificial (IA). La compañía surcoreana posiciona esta solución como una alternativa de alta velocidad frente a la NAND tradicional, prometiendo mejoras de hasta 15 veces en velocidad de acceso y procesamiento para aplicaciones críticas.
El anuncio llega en un contexto en el que el mercado de memoria se enfrenta a una presión creciente por parte de la IA generativa, los centros de datos de alto rendimiento y las aplicaciones en el edge computing. Según fuentes de la industria, Z-NAND busca situarse como un puente entre la memoria DRAM —rápida pero volátil— y la NAND flash convencional —más económica pero con mayores latencias—, ofreciendo un equilibrio entre coste y prestaciones para escenarios que requieren tiempos de respuesta ultra bajos.
Una tecnología que vuelve por la puerta grande
Z-NAND, introducida por primera vez en 2016, se desarrolló como una respuesta a la entonces emergente memoria 3D XPoint de Intel y Micron. Sin embargo, tras una adopción limitada y el avance de la NAND TLC y QLC, Samsung decidió no continuar con su comercialización a gran escala.
Ahora, con la explosión de la IA y la necesidad de procesar volúmenes masivos de datos en tiempo real, la compañía retoma el proyecto con una arquitectura optimizada para cargas de trabajo como entrenamiento e inferencia de modelos de IA, análisis de datos financieros, procesamiento de imágenes médicas y simulaciones científicas.
Competencia directa en el ecosistema de memoria para IA
El renacimiento de Z-NAND también responde a la creciente competencia en el sector de memoria de alto rendimiento. Empresas como Kioxia, Micron y SK hynix están apostando por tecnologías como XL-FLASH o HBM (High Bandwidth Memory) para atender las exigencias de los aceleradores de IA. Samsung busca diferenciarse con un producto que, según analistas, podría ser más asequible que la HBM y más rápido que la NAND convencional, ofreciendo además una mayor durabilidad y eficiencia energética.
Aplicaciones clave y perspectivas de mercado
Entre las aplicaciones objetivo de la nueva generación de Z-NAND se encuentran:
- Centros de datos para IA generativa: entrenamiento e inferencia de modelos de gran tamaño con mínima latencia.
- Edge computing industrial: análisis de datos y respuesta en milisegundos para entornos críticos.
- Sistemas financieros y de trading algorítmico: ejecución de operaciones en tiempo real.
- Procesamiento científico y médico: simulaciones y análisis de imágenes de alta resolución.
Los analistas estiman que, si Samsung logra producir Z-NAND a escala competitiva, podría captar una cuota significativa del mercado de memoria para IA, que se proyecta en miles de millones de dólares para finales de la década.
Preguntas frecuentes (FAQ)
¿Qué es la memoria Z-NAND?
Es una tecnología de memoria flash no volátil desarrollada por Samsung que ofrece velocidades de acceso muy superiores a la NAND convencional, con menor latencia y mayor resistencia, pensada para aplicaciones de alto rendimiento.
¿Por qué Samsung dejó de producir Z-NAND en el pasado?
Su adopción inicial fue limitada y el mercado se inclinó hacia soluciones más económicas como la NAND TLC y QLC, mientras que la DRAM seguía siendo la opción preferida para baja latencia.
¿En qué se diferencia Z-NAND de la HBM?
HBM (High Bandwidth Memory) ofrece un ancho de banda mucho mayor y se integra directamente en aceleradores como GPUs, pero es más costosa. Z-NAND, aunque más lenta que HBM, es más económica y puede implementarse en sistemas de almacenamiento de alta velocidad.
¿Cuáles son las aplicaciones más prometedoras para Z-NAND?
Cargas de trabajo de IA, procesamiento de datos financieros, análisis científico, imagen médica y edge computing industrial.
Foto vía: spanish.storagesserver.com
