Samsung está ampliando su estrategia de memorias NAND para inteligencia artificial con tres líneas de desarrollo: Z-NAND-O, orientada a la IA en dispositivos, Z-NAND-T, centrada en aumentar el ancho de banda para centros de datos, y Z-NAND-I, diseñada para maximizar las operaciones de entrada y salida por segundo. Según el medio surcoreano ZDNet Korea, las dos últimas siguen en una fase inicial de desarrollo y Samsung todavía no ha anunciado oficialmente sus características.

Las claves de las nuevas Z-NAND de Samsung en 20 segundos

• Samsung trabaja, según informaciones del sector, en tres variantes de NAND adaptadas a distintas cargas de IA.
• Z-NAND-O está orientada a la IA en dispositivos y utiliza chips apilados mediante conexiones TSV.
• Z-NAND-T busca elevar el ancho de banda y se relaciona con el concepto de memoria HBF (High Bandwidth Flash).
• Z-NAND-I prioriza los IOPS, es decir, el número de operaciones de entrada y salida que puede completar cada segundo.
• El objetivo es adaptar la memoria a las necesidades de la inferencia de IA y de los centros de datos.

La estrategia refleja una necesidad de la infraestructura de IA: no todas las aplicaciones se benefician de la misma característica de memoria. Algunas necesitan transferir grandes cantidades de datos con rapidez, mientras que otras realizan numerosas operaciones pequeñas y frecuentes. Samsung estaría explorando productos diferenciados para responder a esas necesidades sin depender de una única configuración de memoria.

La información procede de ZDNet Korea, que cita fuentes del sector. Por tanto, conviene distinguir entre Z-NAND-O, cuya maqueta Samsung mostró en un evento de memoria en agosto de 2026, y las variantes Z-NAND-T y Z-NAND-I, cuyo desarrollo no se ha confirmado públicamente por la compañía.

Z-NAND-O, T e I: tres diseños para necesidades distintas

La primera de estas soluciones, Z-NAND-O, ya se ha mostrado públicamente en forma de maqueta. Samsung la presentó en agosto de 2026 durante Future of Memory and Storage (FMS), un evento especializado en memoria y almacenamiento celebrado en Estados Unidos. Su diseño está pensado para ejecutar IA directamente en dispositivos, incluidos equipos móviles y sistemas de computación en el borde.

La tecnología combina memoria NAND apilada verticalmente con conexiones a través del silicio, conocidas como TSV (Through-Silicon Vias). Samsung contempla configuraciones de cuatro u ocho capas apiladas en un mismo encapsulado. Al reducir la distancia que recorren los datos entre los chips, el diseño pretende mejorar la velocidad de acceso y la eficiencia energética. La compañía no ha publicado en el anuncio inicial cifras comerciales definitivas de rendimiento o consumo para esta solución.

ZDNet korea

Z-NAND-T seguiría un planteamiento parecido en cuanto al apilamiento, pero con otra prioridad: aumentar el volumen de datos que la memoria puede transferir por unidad de tiempo. Esa característica se conoce como throughput y resulta especialmente útil en sistemas de IA que necesitan alimentar aceleradores con grandes cantidades de información.

El sector utiliza el término HBF (High Bandwidth Flash) para describir esta aproximación de memoria flash de alto ancho de banda. La idea es aprovechar el apilamiento vertical y las conexiones TSV para acercar la NAND a las prestaciones de transferencia que demandan las nuevas arquitecturas de computación. No obstante, HBF no debe confundirse con HBM (High Bandwidth Memory): ambas tecnologías buscan aumentar el ancho de banda, pero utilizan tecnologías de memoria distintas y tienen características diferentes.

Z-NAND-I, por su parte, estaría diseñada para elevar los IOPS (Input/Output Operations Per Second), una medida del número de operaciones de entrada y salida que puede completar un dispositivo cada segundo. Una memoria con muchos IOPS puede resultar más adecuada para cargas de trabajo que acceden continuamente a pequeños bloques de datos, aunque no necesariamente sea la mejor opción para transferir grandes volúmenes de información en operaciones secuenciales.

ZDNet Korea relaciona este tipo de memoria con tareas de inferencia de IA que utilizan cachés de tipo clave-valor, o KV cache. Estos sistemas necesitan acceder repetidamente a datos temporales durante la generación de respuestas. La noticia no publica cifras de IOPS, latencia o capacidad para Z-NAND-I, de modo que todavía no es posible comparar sus prestaciones con las de productos disponibles.

La competencia también se libra en la memoria para inferencia

Samsung no es el único fabricante que explora memorias NAND adaptadas a las cargas de inteligencia artificial. Según la información publicada por ZDNet Korea, SK Hynix ha organizado su propia familia AIN (AI-NAND) en tres líneas: AIN P, centrada en el rendimiento; AIN D, orientada a la densidad y la capacidad; y AIN B, enfocada en el ancho de banda.

El medio surcoreano señala que SK Hynix trabaja en una variante AIN P con un objetivo de hasta 100 millones de IOPS y en una línea AIN D que aspira a capacidades de almacenamiento del orden de petabytes. AIN B responde a una idea similar a HBF, al priorizar la transferencia de datos. Son objetivos de desarrollo comunicados por el sector, no prestaciones que deban atribuirse a todos los productos comercializados por la compañía.

La diferenciación tiene sentido porque los sistemas de IA combinan tareas muy distintas. El entrenamiento y ciertas fases de inferencia pueden beneficiarse de un ancho de banda elevado, mientras que otros servicios requieren acceso rápido a numerosos bloques pequeños. La capacidad total también importa cuando es necesario conservar grandes conjuntos de datos, estados de modelos o cachés.

Para Samsung, una familia de memorias especializadas permitiría adaptar el producto a cada aplicación en lugar de depender de una única solución NAND. Pero el éxito comercial dependerá de aspectos que todavía no se han aclarado: capacidad por encapsulado, latencia, consumo, coste de fabricación, disponibilidad y compatibilidad con las plataformas de los clientes.

La información disponible tampoco confirma que Z-NAND-I tenga un contrato con NVIDIA ni que exista una designación oficial de Samsung que la identifique como memoria exclusiva para sus sistemas. Aunque la memoria de alto rendimiento puede ser relevante para las plataformas de IA de NVIDIA y otros proveedores, atribuir un cliente concreto a este producto requeriría una confirmación adicional.

Por ahora, Z-NAND-O es la variante de la que existe una presentación pública documentada, mientras que Z-NAND-T y Z-NAND-I permanecen en una fase inicial de desarrollo según fuentes del sector citadas por ZDNet Korea. Samsung no ha anunciado fechas de lanzamiento comercial ni especificaciones finales para estas dos últimas familias.

Preguntas frecuentes

¿Qué es Z-NAND-O de Samsung?

Es una solución NAND de alto rendimiento diseñada para IA en dispositivos. Samsung mostró una maqueta en FMS 2026 y explicó que utiliza chips apilados verticalmente con conexiones TSV.

¿Qué diferencia hay entre Z-NAND-T y Z-NAND-I?

Z-NAND-T priorizaría el ancho de banda para transferir grandes cantidades de datos, mientras que Z-NAND-I buscaría maximizar los IOPS para atender muchas operaciones de entrada y salida por segundo.

¿Qué significa HBF en las memorias para inteligencia artificial?

HBF significa High Bandwidth Flash, o memoria flash de alto ancho de banda. Es un enfoque basado en NAND que busca elevar la velocidad de transferencia mediante técnicas de apilamiento, aunque no equivale a HBM.

¿Samsung ha confirmado que Z-NAND-I se utilizará en productos de NVIDIA?

No en la información citada. ZDNet Korea informa del desarrollo de la variante, pero no aporta una confirmación oficial de Samsung que identifique a NVIDIA como cliente.

vía: ZDnet