Samsung ha comunicado a sus grandes clientes una subida de precios en DRAM de hasta el 30 % y en NAND flash de un 5–10 % para los contratos del cuarto trimestre. La decisión, adelantada por el medio coreano Newdaily, responde a un ajuste de oferta provocado por la reducción de producción de gamas antiguas y una demanda al alza en segmentos como smartphones de gama alta, AI PC y centros de datos. En paralelo, Micron habría notificado incrementos del 20–30 % y SanDisk un 10 % en NAND, configurando un movimiento de mercado en bloque.
La medida afecta a productos LPDDR4X, LPDDR5 y LPDDR5X en DRAM, y a eMMC y UFS en almacenamiento NAND móvil. El trasfondo es claro: los fabricantes han ido reorientando capacidad hacia tecnologías más rentables y de mayor tracción —DDR5 y, sobre todo, HBM para aceleradores de IA—, mientras recortaban progresivamente DDR4 y LPDDR4X. Con el repunte de la demanda en la recta final del año —temporada de lanzamientos de smartphones y PC, ahora con el tirón de las funciones de IA generativa—, la cadena de suministro ha entrado en tensión.
Un giro de tornillo que llega con el mercado caliente
Samsung no es un actor más. La compañía mantiene alrededor de un 32,7 % de cuota en DRAM y un 32,9 % en NAND, posiciones de liderazgo que hacen que cualquier ajuste tenga efecto tractor sobre el resto del sector. La firma surcoreana ha liderado los ciclos de LPDDR, con hitos como LPDDR5 (2018) y LPDDR5X (2021), y acelera ya el desarrollo de LPDDR6, cuyo primer diseño podría ver la luz a finales de año. Ese liderazgo tecnológico convive con un tablero industrial donde HBM se ha convertido en el centro de gravedad: todos los grandes fabricantes de DRAM priorizan suministro a NVIDIA, AMD y otros proveedores de aceleración para IA, lo que estrecha aún más la disponibilidad en memorias de consumo.
En el almacenamiento, el guion es similar. El auge de la IA ha hecho saltar las costuras de los data centers, con pedidos de SSD de alta capacidad que sustituyen a los HDD en capas donde antes se toleraba menor rendimiento. El resultado es un tirón inédito de NAND para servidor, que compite con las necesidades del móvil y del PC por el mismo conjunto de obleas.
De la “muerte” de DDR4 al sorpasso inesperado
El repliegue sobre productos legacy no llega sin consecuencias. A mediados de año, DDR4 vivió un episodio poco frecuente: su precio medio mensual se disparó hasta un 50 %, por momentos superando al de DDR5. La razón no está en una mejora técnica —DDR5 es el estándar superior—, sino en la mecánica de la oferta: menos líneas dedicadas a DDR4 y un remanente de demanda que, lejos de desaparecer, resiste por parque instalado y reposiciones de gama media. Samsung había previsto cesar DDR4 y LPDDR4 a mitad de año; primero aplazó al cierre del ejercicio y ahora extiende el horizonte hasta finales del próximo año para no dejar a clientes sin suministro.
Ese baile de calendarios se traslada a los AI PC, el nuevo slogan de la industria del ordenador personal. Muchas de las máquinas que se lanzan con funciones “copiloto” o “nativas de IA” adoptan LPDDR5/LPDDR5X por su eficiencia energética y ancho de banda, lo que levanta aún más la demanda sobre esas familias, justo las que Samsung ha encarecido.
El consenso: menos oferta que demanda en 2025
La narrativa de escasez no se apoya solo en percepciones. Estimaciones de entidades financieras manejan déficits de oferta sobre la demanda en 2025: se han citado –1,8 % en DRAM y –4 % en NAND, con escenarios que sitúan el gap de NAND hasta el –8 % en el caso más exigente. Sobre ese terreno, las subidas del 15–30 % en LPDDR y del 5–10 % en eMMC/UFS que Samsung traslada a clientes para el cuarto trimestre funcionan como válvula para racionalizar pedidos y sostener márgenes en un ciclo donde la parte más rentable —HBM— aún tarda en transformarse en ingresos plenamente visibles.
No es casualidad que algunas casas de análisis apunten a que el negocio de semiconductores (DS) de Samsung podría mejorar sustancialmente la rentabilidad en el cuarto trimestre, con proyecciones que hablan de más de 6 billones de wones de beneficio operativo —frente a 2,9 billones en el mismo periodo del año anterior— si la disciplina de precios y la mezcla de producto acompañan.
¿Quién paga la factura? Impacto por vertical
Fabricantes de smartphones.
Los flagship de final de año y los modelos con IA en el dispositivo —traductor simultáneo, edición de vídeo, asistentes contextuales— montan LPDDR5/5X y UFS. Un 5–10 % en NAND móvil y hasta 30 % en DRAM puede no trasladarse uno a uno al PVP, pero reduce margen en modelos de gran volumen. La elasticidad será mayor donde la diferenciación es fuerte (gama alta) y menor en gama media, donde los OEM deberán ajustar configuraciones (RAM/almacenamiento) o escalonar lanzamientos.
PC y AI PC.
La presión en LPDDR5/5X y el sorpasso episódico de DDR4 inducen a los integradores a acelerar DDR5 como estándar “relación coste-prestaciones”. En portátiles ultraligeros y equipos con NPU —la etiqueta “AI PC”—, la memoria soldada LPDDR5/5X ya es norma, lo que acota la capacidad del usuario final para ajustar costes a posteriori.
Centros de datos.
Los SSD con NAND de alta densidad suben por escasez y por el cambio de mix en data centers que aceleran formación y despliegue de IA. A esto se suma la prioridad de HBM en las líneas de DRAM, que encarece y tensiona la RDIMM convencional usada en servidores. El ciclo empuja a los operadores a programar compras con mayor anticipación y a escalar de forma más fina las fases de expansión.
Consumidor final y canal.
El episodio de DDR4 obliga a los minoristas a vigilar inventarios: donde DDR5 es compatible, ya no solo es la opción “futura”, sino —por momentos— la más lógica en precio. En almacenamiento, el salto a NVMe de mayor capacidad podría sufrir incrementos en gamas medias y altas, con menos impacto en SATA de entrada.
La gran tracción: IA en todas partes
El vector que lo explica casi todo es la IA. En el corto plazo, los fabricantes reorientan capacidad a HBM para capturar el ciclo de entrenamiento e inferencia; en el medio, los smartphones y PCs se reposicionan como dispositivos “con IA”, lo que sube el listón de memoria y almacenamiento en clientela de masas. Ahí encaja el plan de Samsung para LPDDR6: más ancho de banda con menos consumo, justo lo que piden móviles premium y ultraportátiles con NPU. Si el estándar aterriza antes de que la oferta legacy se normalice, la presión de precios podría prolongarse en 2025.
Por qué suben los precios: anatomía de un cambio de mezcla
- Capacidad finita. Las fábricas de memoria no se reconvierten de la noche a la mañana. Cambiar el mix a DDR5/HBM reduce la disponibilidad de DDR4/LPDDR4X.
- Demanda estacional + IA. El 4.º trimestre ya es fuerte por tradición (móvil y PC); en 2025 se le añade la capa IA.
- Centros de datos “comedores” de NAND. La SSDización del data center acelera la absorción de obleas.
- Disciplina de inventario. Tras el ciclo bajista de 2023, los fabricantes evitan acumular stock y prefieren precio a volumen en legacy.
Señales a vigilar en los próximos meses
- Calendario de LPDDR6. Un anuncio formal precipitaría el vuelo de los flagship 2026 y consolidaría la presión sobre LPDDR5X.
- Cuotas y pedidos de HBM. Si Samsung consolida validaciones clave, parte de la presión en DRAM de consumo podría normalizarse en el segundo semestre de 2025.
- Evolución de DDR4. Aunque el pico del +50 % fue excepcional, la “resurrección” de DDR4 podría repetirse si la demanda retro del canal supera lo previsto.
- Inversión de los hiperescalares. La capex en almacenamiento de los grandes cloud marcará la trayectoria de NAND en 2025.
Lectura para compradores y equipos de aprovisionamiento
- Smartphones y PC: donde haya opción, priorizar DDR5/LPDDR5 por disponibilidad y trayectoria de precio; evitar sobreespecificar almacenamiento en capacidad si no hay uso real.
- Canal y ensambladores: escalar pedidos y diversificar proveedores para amortiguar pasos de precio; analizar kits DDR5 frente a DDR4 incluso en plataformas mixtas.
- Empresas: revisar calendarios de renovación y contratos marco de SSD y módulos de memoria; contemplar compras adelantadas en proyectos críticos Q4–Q1.
- Usuarios finales: en actualizaciones domésticas, validar compatibilidad con DDR5; en portátiles, recordar que LPDDR suele ir soldada —elige bien de inicio—.
Una foto de Samsung en el tablero
La firma surcoreana no ha ocultado su ambición por HBM: busca validaciones con NVIDIA y acelera su línea LPDDR6, a la vez que ajusta temporalmente la retirada de DDR4/LPDDR4 para no dejar huecos en su base instalada. Con 32,7 % en DRAM y 32,9 % en NAND, cualquier reajuste se nota de inmediato río abajo. Por eso, el resto del sector —Micron con +20–30 % y SanDisk con +10 %— se mueve en paralelo, validando un nuevo escalón de precios a cierre de año.
Conclusión: menos legado, más IA… y memoria más cara a corto plazo
El cambio de ciclo en memoria es, en esencia, un cambio de mezcla: menos legacy, más estándar nuevo y prioridad absoluta a HBM. En ese contexto, subir precios en LPDDR y NAND móvil es un mecanismo de equilibrio entre capacidad finita y demanda creciente. El mercado aceptará ese nuevo peldaño si la temporada de lanzamientos cumple y los pedidos de data center se mantienen firmes. Para 2025, el foco estará en si LPDDR6 y una normalización de HBM permiten relajar la presión en DRAM y NAND de consumo. Hasta entonces, smartphones, PC y SSD vivirán un trimestre caro.
Preguntas frecuentes (SEO)
¿Por qué Samsung sube el precio de la memoria DRAM hasta un 30 % y de la NAND un 5–10 %?
Por un desequilibrio oferta-demanda: menos producción de DDR4/LPDDR4X, prioridad a DDR5 y HBM para IA, y pico estacional de smartphones/PC que aumenta la demanda de LPDDR5/5X y UFS.
¿Qué memorias se encarecen más y en qué productos se notará antes?
La DRAM móvil (LPDDR4X/5/5X) es la más afectada (hasta +30 %). Se notará primero en smartphones y portátiles con memoria soldada, y en el canal que vende módulos para PC.
¿Tiene sentido comprar DDR4 ahora o pasar directamente a DDR5 para un PC nuevo?
Con episodios de DDR4 subiendo hasta +50 %, DDR5 es a menudo más lógico por precio y soporte futuro. En plataformas compatibles, el salto a DDR5 reduce el riesgo de encarecimientos puntuales.
¿Cómo afectará a SSD y almacenamiento para data center y usuario final?
El aumento de pedidos de SSD de alta capacidad para IA está tensando NAND. Es previsible alza en NVMe de gama media/alta y plazos más largos en data center; en consumo de entrada el impacto puede ser menor, pero no nulo.
vía: biz.newdaily.co.kr
