Samsung Electronics está moviendo ficha para no quedarse atrás en el componente más escaso —y más rentable— del boom de la Inteligencia Artificial: la memoria de alto ancho de banda (HBM). En el último tramo de febrero y a las puertas del Mobile World Congress (MWC) 2026, la compañía ha acelerado el calendario de construcción de las salas limpias (cleanrooms) de su futura Fab 5 (P5) en el macrocomplejo de Pyeongtaek (Corea del Sur), una instalación llamada a convertirse en hub de producción de HBM para alimentar la demanda de aceleradores de IA y centros de datos.
El movimiento, adelantado por la publicación especializada Cleanroom Technology, no es un simple “retoque” de obra. En fabricación de semiconductores, el cleanroom es el punto de no retorno: sin sala limpia terminada, no se puede instalar equipamiento. Y sin herramientas, no hay obleas. Por eso, acelerar el cleanroom equivale a preparar el terreno para apretar el acelerador cuando el mercado lo justifique.
El “Shell First”: construir primero el continente, decidir después el contenido
Samsung enmarca este adelanto dentro de una estrategia que denomina “Shell First”. La idea es sencilla y pragmática: completar antes la infraestructura (sala limpia, tuberías, servicios críticos) sin comprometer todavía toda la inversión en equipamiento, de modo que la compañía pueda responder más rápido si la demanda se dispara o si un cliente exige volumen en un plazo agresivo.
Según Cleanroom Technology, Samsung ha adelantado varios hitos:
- La construcción completa de salas limpias estaba prevista para principios de 2027, pero ahora la compañía planea iniciar trabajos clave antes.
- Las tareas preparatorias se han reprogramado para el segundo trimestre y el despliegue del cleanroom pasaría a arrancar a principios del tercer trimestre.
- Se prevé trabajo preliminar de “inserts” (elementos estructurales que se embeben antes de ciertas instalaciones) en el cuarto trimestre.
- La instalación de tuberías, crítica para desplegar equipamiento semiconductor, se adelanta también hacia finales de 2026.
En un sector donde una rampa de fabricación se mide en trimestres y los grandes clientes planifican con años de antelación, ganar meses en obra civil puede marcar la diferencia entre “llegar a tiempo” o perder un ciclo completo.
P5, más grande que sus predecesoras y pensada para HBM
Pyeongtaek es el gran campus de Samsung para semiconductores, y P5 está diseñada para ser más grande que las plantas anteriores del complejo. De acuerdo con Cleanroom Technology, P5 tendría seis salas limpias distribuidas en tres plantas, frente a cuatro salas limpias en dos plantas en fabs previas del campus. Samsung ha descrito P5 como un futuro centro neurálgico para HBM, precisamente cuando el mercado empuja a los fabricantes de memoria a priorizar productos de alto margen destinados a IA.
La dimensión económica también impresiona: la inversión total del campus se estima en decenas de miles de millones de dólares y una fab como P5 se ha proyectado en el rango de 23.000–46.000 millones de dólares, según la misma publicación. Esa horquilla ilustra la realidad industrial: construir capacidad “de reserva” es caro, pero quedarse sin ella puede salir todavía más caro si se pierde la ola de contratos de IA.
La señal del mercado: Samsung recupera el liderazgo en DRAM gracias al empuje de HBM
Detrás del acelerón hay una razón obvia: la demanda de memoria para IA no afloja. Y, además, Samsung ha vuelto a tener viento a favor en el tablero competitivo. El informe de TrendForce sobre el cuarto trimestre de 2025 indica que Samsung recuperó el número 1 en ingresos de DRAM, con 19.300 millones de dólares (un 43 % más trimestral) y 36 % de cuota, impulsada en parte por el crecimiento del negocio HBM. En el mismo periodo, SK hynix registró 17.220 millones y 32,1 %, y Micron 11.980 millones y 22,4 %.
Este reparto no es una anécdota: refleja que la HBM se ha convertido en una de las palancas más directas para mover ingresos en memoria. Y cuando los clientes de IA compran a gran escala, la prioridad pasa a ser volumen, rendimiento y capacidad de entrega.
Mientras Corea acelera, Texas ajusta expectativas: la rampa de Taylor se estira a 2027
El otro lado de la estrategia de Samsung es su ambición como fundición (foundry), especialmente en Estados Unidos. Sin embargo, los últimos reportes apuntan a que el gran proyecto de Samsung en Taylor (Texas) avanza, pero con un calendario menos lineal de lo que se esperaba.
El Korea JoongAng Daily informó recientemente de que la producción a escala significativa en la planta de Taylor podría desplazarse a principios de 2027, citando fuentes de la cadena de suministro. TrendForce, haciéndose eco de esa información, también señala que se están acumulando preguntas sobre el ritmo real de entrada en producción del complejo. En paralelo, el mismo medio coreano describe un giro interesante: parte de las instalaciones que inicialmente se contemplaban como línea de foundry en Corea habrían pasado a priorizar expansión de memoria ante el tirón de la IA.
Leído en conjunto, el mensaje es nítido: Samsung está reforzando su músculo donde hoy tiene más tracción inmediata (memoria para IA), mientras la foundry en Texas sigue un camino de rampa más largo y sensible a la demanda de clientes, permisos, equipamiento y economía del proyecto.
Una carrera que se juega en salas limpias, no en presentaciones
Desde fuera, la industria de chips se suele contar en nodos (2 nm, 3 nm) y grandes nombres (GPU, IA, centros de datos). Pero en el terreno industrial, muchos cambios empiezan con algo más prosaico: el calendario del cleanroom y la capacidad de instalar máquinas a tiempo.
Samsung acelera Pyeongtaek P5 porque sabe que la memoria HBM es una autopista directa a los racks de IA. Y al mismo tiempo, la compañía mantiene su apuesta internacional —incluida la foundry en Texas— aunque el mercado está demostrando que la ejecución y la demanda real marcan el ritmo, no los objetivos iniciales.
Tabla resumen: Pyeongtaek P5 vs. Taylor (Texas)
| Proyecto | Objetivo principal | Estado / calendario reciente | Clave estratégica |
|---|---|---|---|
| Pyeongtaek P5 (Corea) | Base de producción de HBM para IA | Adelanto de obra: preparativos en 2T, inicio de cleanroom a principios de 3T, “inserts” en 4T y tuberías hacia finales de 2026 | “Shell First”: dejar lista la infraestructura para desplegar herramientas cuando la demanda lo exija |
| Taylor (Texas, EE. UU.) | Expansión de foundry avanzada | Reportes sitúan la rampa de producción significativa en principios de 2027 | Ajustar expectativas y acompasar la inversión al ritmo real del mercado |
Preguntas frecuentes
¿Qué es una “sala limpia” y por qué es tan crítica en una fab?
Es un entorno controlado (partículas, temperatura, humedad y presión) indispensable para fabricar chips. Sin cleanroom terminado no se puede instalar equipamiento, así que marca un hito clave en el calendario.
¿Qué significa la estrategia “Shell First” de Samsung?
Consiste en construir primero la infraestructura (el “cascarón”: salas limpias y servicios) antes de comprometer todo el gasto en herramientas, para poder reaccionar rápido si la demanda cambia.
¿Por qué la HBM es tan importante para la Inteligencia Artificial?
Porque los aceleradores de IA necesitan un ancho de banda de memoria extremo para alimentar el cómputo. Eso ha disparado la demanda y ha convertido HBM en un producto estratégico para centros de datos.
¿Qué implica que la rampa de Taylor se desplace a 2027?
Que la capacidad avanzada en EE. UU. tardaría más en aportar volumen significativo. Para Samsung, refuerza la lógica de acelerar donde hoy tiene retorno más inmediato: memoria y HBM.
vía: cleanroom technology
