Micron Technology ha anunciado que es la primera empresa en la industria en enviar muestras de su nueva generación de memoria DRAM basada en el nodo 1γ (1-gamma), marcando un avance significativo en la tecnología de memoria para las necesidades computacionales del futuro.

Este hito en el desarrollo de la memoria DRAM de sexta generación (clase 10nm) se basa en el liderazgo previo de Micron con sus nodos 1α (1-alpha) y 1β (1-beta), ofreciendo innovaciones que impulsarán las futuras plataformas de computación, desde la nube hasta aplicaciones industriales y de consumo, así como dispositivos de IA en el borde como PC con IA, smartphones y automóviles.

El nuevo nodo DRAM 1γ se implementará inicialmente en su memoria DDR5 de 16Gb y posteriormente se integrará en toda la cartera de memoria de Micron para satisfacer la creciente demanda de soluciones de memoria de alto rendimiento y energéticamente eficientes para IA. Diseñada para ofrecer capacidades de velocidad de hasta 9200MT/s, el producto DDR5 de 16Gb proporciona un aumento de velocidad de hasta un 15% y una reducción de energía de más del 20% en comparación con su predecesor.

Beneficios clave de la nueva tecnología

La transición de Micron al nodo DRAM 1γ aborda desafíos fundamentales que enfrentan los clientes:

• Rendimiento mejorado: La DRAM basada en 1γ proporciona un rendimiento mejorado que respaldará el escalado de la computación en diversas ofertas de memoria, desde centros de datos hasta dispositivos de borde, para satisfacer las demandas de los futuros requisitos de cargas de trabajo de IA.
• Ahorro de energía: El nodo 1γ de Micron, que utiliza tecnología CMOS de puerta metálica de alta-K de próxima generación junto con optimizaciones de diseño, permite más de un 20% menos de consumo energético, lo que conduce a perfiles térmicos mejorados.
• Mayor densidad de bits: El nodo 1γ de Micron, aprovechando la litografía EUV, las optimizaciones de diseño y las innovaciones de proceso, resulta en más del 30% más de bits por salida de oblea en comparación con la generación anterior y la capacidad de escalar el suministro de memoria de manera eficiente.

«La experiencia de Micron en el desarrollo de tecnologías DRAM propietarias, combinada con nuestro uso estratégico de la litografía EUV, ha resultado en un sólido portafolio de productos de memoria basados en 1γ de vanguardia preparados para impulsar el ecosistema de IA», declaró Scott DeBoer, vicepresidente ejecutivo y director de tecnología y productos de Micron.

Transformando productos desde la nube hasta el borde

Sirviendo como base para futuros productos, el nodo 1γ se integrará en toda la cartera de memoria de Micron:

• Centro de datos: Las soluciones de memoria DDR5 basadas en 1γ para el centro de datos permiten un rendimiento hasta un 15% más rápido y proporcionan mayor eficiencia energética.
• IA en el borde: Las soluciones DRAM de baja potencia 1γ ofrecen un mayor ahorro de energía y un mayor ancho de banda, mejorando la experiencia del usuario con soluciones de IA en el borde.
• PC con IA: Los SODIMMs DDR5 1γ aumentan el rendimiento y reducen el consumo de energía en un 20%, extendiendo la duración de la batería y mejorando la experiencia general del usuario de portátiles.
• Móvil: LPDDR5X 1γ permitirá experiencias de IA excepcionales en el borde y continúa el liderazgo de Micron en tecnología móvil.
• Automotriz: La memoria LPDDR5X basada en 1γ amplía la capacidad, longevidad y rendimiento, alcanzando velocidades de hasta 9600MT/s.

Los avances del nodo 1γ de Micron han sido bien recibidos por socios clave como AMD e Intel, quienes ya han comenzado los esfuerzos de validación para la memoria DDR5 1γ de Micron, reconociendo las mejoras sustanciales en potencia y densidad que aportará a sus productos.

Los clientes y socios cualificados pueden participar en el Programa de Habilitación Tecnológica (TEP) de Micron para DDR5, que ofrece acceso anticipado a información técnica y modelos eléctricos y térmicos, así como soporte para ayudar en el diseño, desarrollo e introducción de plataformas informáticas de próxima generación.

Fuente: micron