22 octubre 2026
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Micron descarta la DRAM 4F² mientras YMTC y CXMT aceleran con ella

Antonio

Micron ha descartado llevar a producción la celda de memoria DRAM 4F², la arquitectura en la que Samsung, SK hynix y los fabricantes chinos CXMT y YMTC confían para seguir reduciendo el tamaño de la memoria. Su director de tecnología y producto, Scott DeBoer, llegó a calificar de mito su ventaja de densidad en un seminario técnico celebrado el 21/10/2026. Mientras, YMTC prepara un prototipo de DRAM 4F² a 9.600 MT/s y CXMT promete su primer módulo con esta tecnología antes de que acabe el año.

Las claves de la batalla por la DRAM 4F² en 30 segundos

Micron dice haber investigado la celda 4F² durante más de 20 años y no ve una vía viable para escalarla.
Apostará por seguir con la celda 6F² y pasar después a la DRAM 3D.
YMTC, conocido por su NAND, desarrolla una DRAM 4F² con transistor de canal vertical que apunta a 9.600 MT/s.
CXMT prevé lanzar antes de fin de año un módulo DDR5 RDIMM para servidores basado en 4F², aún sin especificaciones.

La discusión no es menor. La DRAM lleva años encontrando cada vez más difícil reducir el tamaño de sus celdas, y la memoria se ha convertido en uno de los cuellos de botella de los centros de datos de inteligencia artificial. Cómo y cuándo cada fabricante consiga más densidad por oblea marcará costes y capacidad de producción en los próximos años.

Qué es la celda 4F² y por qué promete más densidad

En la DRAM, cada bit se guarda en una celda formada por un transistor y un condensador. La medida F es la dimensión mínima que se puede fabricar en ese proceso. La DRAM actual usa celdas 6F², en las que el transistor y el condensador están uno al lado del otro. En la arquitectura 4F², el transistor se coloca en vertical (de ahí el nombre de transistor de canal vertical, o VCT) y el condensador va encima, de modo que cada celda ocupa un cuadrado de 2F por 2F.

Sobre el papel, una celda 4F² ocupa unos dos tercios de la superficie de una 6F² con el mismo nodo de fabricación, lo que permite meter más bits en cada oblea. La dificultad está en fabricar transistores verticales fiables y con buen rendimiento a gran escala. Samsung presentó un diseño 4F² de 16 Gb en la conferencia ISSCC de 2026, aunque su objetivo inicial de producir en masa en 2028 ya no tiene fecha firme, y SK hynix ha descrito una plataforma 4F² con puerta vertical para un nodo futuro, según Tom’s Hardware.

Micron descarta la 4F² y apuesta por la DRAM 3D

Micron va por otro camino. En su seminario técnico, la compañía explicó que lleva más de 20 años investigando la celda 4F² y que no encuentra una vía de escalado viable. Scott DeBoer habló de problemas fundamentales en su escalado y comparó su supuesta ventaja de densidad frente a la 6F² con una especie de mito. Según DIGITIMES, Micron considera que la arquitectura aporta beneficios limitados a cambio de más coste y complejidad.

La alternativa de Micron es estirar la celda 6F² durante más generaciones y saltar después a la DRAM 3D, que apila celdas en vertical como ya hace la memoria NAND. Según la información publicada tras el seminario, su fábrica de Boise (Idaho) empezará a producir en masa DRAM de nodo 1-delta en la segunda mitad de 2027, después del actual 1-gamma, y sus primeras arquitecturas 3D, llamadas 3D1 y 3D2, llegarían en generaciones posteriores, entre los nodos 1-zeta y 1-eta. Son planes de la propia compañía, sin fechas cerradas para la DRAM 3D.

YMTC y CXMT aceleran con la 4F²

Los fabricantes chinos van en la dirección contraria. YMTC, que se ha hecho un hueco entre los grandes de la NAND y está preparando su salida a bolsa en Shanghái, quiere llevar a la DRAM su tecnología Xtacking. Según Counterpoint Research, citada por Wccftech, la empresa lleva desde octubre de 2025 desarrollando y probando en su Fab 2 una LPDDR5 de 16 Gb a 7.500 MT/s, con una producción de unas 5.000 obleas al mes. La siguiente versión, a 9.600 MT/s, usaría una celda 4F² con transistor de canal vertical y se fabricaría en masa en su Fab 3, sin fecha anunciada. En Revista Cloud ya se contó cómo YMTC busca competir con Samsung en los SSD empresariales.

CXMT, el mayor fabricante chino de DRAM, va un paso por delante en el calendario. Su presidente, Cao Kanyu, anunció que su primer producto 4F², un módulo DDR5 RDIMM para servidores, llegará antes de que termine 2026. La compañía llama a su diseño de transistor vertical Vertical Surrounded Gate, presentó una matriz de investigación de 8 Gb en el congreso IEDM de 2023 y asegura tener más de 300 familias de patentes relacionadas. Sin embargo, no ha dado velocidades, capacidades ni volúmenes, y medios surcoreanos apuntan a que sus primeros productos podrían usar la 4F² solo de forma parcial. CXMT, que según TrendForce alcanzó el 9,5 % de los ingresos mundiales de DRAM en el segundo trimestre, es una de las empresas que están llevando la batalla de la memoria china a un nuevo nivel.

Para los fabricantes chinos, la 4F² tiene un atractivo añadido: permite ganar densidad sin depender tanto de reducir la dimensión mínima de fabricación, un terreno en el que las restricciones a la exportación de equipos de litografía avanzada les limitan. Ese argumento lo plantean analistas del sector; las empresas no lo han explicado así en sus anuncios. El experto en semiconductores Fred Chen, citado por Wccftech, sostiene que si CXMT resuelve los problemas de la 4F² podría pasar de un proceso efectivo 1c a 1d.

Preguntas frecuentes

¿Qué es la DRAM 4F²?

Es una arquitectura de celda en la que el transistor se coloca en vertical bajo el condensador, de modo que cada celda ocupa unos dos tercios de la superficie de la celda 6F² actual.

¿Por qué Micron descarta la 4F²?

Micron asegura que tras más de 20 años de investigación no ve una vía de escalado viable y que su ventaja de densidad es limitada frente a su coste. Prefiere extender la 6F² y pasar a la DRAM 3D.